SK海力士(SK Hynix)決定采取選擇與集中策略，聚焦于20納米(nm)微細制程DRAM、三階儲存單元(Triple-Level Cell;TLC)的NAND Flash技術(shù)，以及固態(tài)硬碟(SSD)等優(yōu)勢領域。較弱勢的系統(tǒng)芯片方面，將集中發(fā)展CMOS影像感測器(CMOS Image Sensor;CIS)。

　　據(jù)ET News報導，日前SK海力士社長樸星昱在創(chuàng)下史上最高業(yè)績紀錄之際，反而在組織內(nèi)部強調(diào)危機意識，透過員工電子郵件與公司內(nèi)部電視等管道，不斷提醒現(xiàn)在不是放心的時刻，應透過強化根本競爭力，建立不會輕易被市場動搖的SK海力士獨家優(yōu)勢領域。

　　SK海力士2015年的事業(yè)方向也與樸星昱的論點結(jié)合，比起在全新領域投資發(fā)發(fā)事業(yè)，更致力于提升公司固有的基礎競爭力。

　　首先在DRAM領域，SK海力士為全球第二大DRAM業(yè)者，市占率27.3%，僅次于三星電子(Samsung Electronics)的40.0%。而2015年以提升市占率為主要目標，致力于提升制程技術(shù)以增強成本競爭力。

　　因此正全力實現(xiàn)20納米制程量產(chǎn)技術(shù)，預定在上半年正式應用于生產(chǎn)DRAM;在市場高速成長的Mobile DRAM領域，也將積極推出低功耗(LP)DDR4產(chǎn)品，以吸引高階市場客戶。

　　NAND Flash方面，SK海力士以上半年正式量產(chǎn)TLC產(chǎn)品為首要課題，同時也致力于擴大供應SSD等解決方案，以提高收益性。SK海力士的DRAM部門雖然位列全球第二名，但在NAND Flash上卻屈居第五，市占率僅約10%，因此推升排名也被SK海力士視為2015年的優(yōu)先課題之一。

　　而相對弱勢的系統(tǒng)芯片部門，則以發(fā)展CIS為重點。SK海力士自2007年開始開發(fā)CIS，2015年計劃推出高畫素等級產(chǎn)品，目標是在年底前創(chuàng)造出可見的成果。

　　據(jù)了解，SK海力士對于高附加價值產(chǎn)品，如應用處理器(AP)或是電力半導體等領域，并沒有正式的發(fā)展計劃。公司有關(guān)人士表示，系統(tǒng)芯片的項目多樣，也是終究要培養(yǎng)的領域，不過短期內(nèi)將會集中發(fā)展市場成長性佳、且公司有把握做好的領域。

　　業(yè)界人士表示，半導體事業(yè)的特性正是成敗在一念之間，可能因一個對的決定奪得豐碩戰(zhàn)果，也可能因一次的錯誤投資就遭遇巨大虧損。SK海力士尤其需要策略善用現(xiàn)有優(yōu)勢，以存儲器為中心擴大市占率并壓制海外競爭業(yè)者。