英飛凌科技股份公司和松下電器公司宣布，兩家公司已達成協(xié)議，將聯(lián)合開發(fā)采用松下電器的常閉式(增強型)硅基板氮化鎵(GaN)晶體管結(jié)構(gòu)，與英飛凌的表貼(SMD)封裝的GaN器件。在此背景下，松下電器向英飛凌授予了使用其常閉型GaN晶體管結(jié)構(gòu)的許可。按照這份協(xié)議的規(guī)定，兩家公司均可生產(chǎn)高性能GaN器件。由此帶來的益處是客戶可以從兩條渠道獲得采用可兼容封裝的GaN功率開關(guān)。迄今為止，沒有任何其他硅基板GaN器件提供了這樣的供貨組合。雙方商定不披露任何其他合同細節(jié)。

　　作為新一代化合物半導體技術(shù)，硅基板GaN技術(shù)備受關(guān)注。一方面，它可以實現(xiàn)很高的功率密度，從而縮小設(shè)備的外形尺寸(如電源和適配器);另一方面，它是提高能效的關(guān)鍵。一般而言，基于硅基板GaN技術(shù)的功率器件適用于各種領(lǐng)域，從高壓工業(yè)設(shè)備，如服務器電源(這也是600V GaN器件的潛在應用領(lǐng)域之一)，到低壓設(shè)備，如直流-直流轉(zhuǎn)換器(如在高端消費電子產(chǎn)品中)。IHS發(fā)布的市場研究報告顯示，與硅基板GaN技術(shù)相關(guān)的功率半導體市場，將以高達50%以上的復合年增長率(CAGR)增長，也就是說，到2023年，其市場容量將從2014年的1500萬美元，增至8億美元。

　　英飛凌科技股份公司電源管理及多元化市場事業(yè)部總裁Andreas Urschitz表示：“英飛凌致力于為客戶提供各式各樣、出類拔萃的產(chǎn)品和技術(shù)組合，包括可靠的GaN功率器件。我們堅信，增強模式硅基板GaN開關(guān)器件，結(jié)合我們相應的驅(qū)動器和優(yōu)化驅(qū)動方案，將為客戶創(chuàng)造價值，同時，這種雙重貨源概念將幫助客戶管理和穩(wěn)定其供應鏈。”

　　松下電器半導體有限公司總裁Toru Nishida指出：“充分發(fā)揮我們在化合物半導體技術(shù)領(lǐng)域的豐富經(jīng)驗，松下電器開發(fā)的常閉型GaN功率技術(shù)采用了簡單的配置和易于控制的機制。我們希望通過授權(quán)英飛凌使用我們的GaN功率技術(shù)中的常閉型GaN晶體管結(jié)構(gòu)，促進GaN功率器件的推廣。我們將對常閉型GaN技術(shù)進行不斷創(chuàng)新，為打造滿足客戶需求的解決方案做出貢獻。”