2014年，全球集成電路產業(yè)開始步入平穩(wěn)發(fā)展階段，產業(yè)結構調整步伐加速，IC設計業(yè)與晶圓代工業(yè)呈現異軍突起之勢。展望2015年，我國集成電路產業(yè)規(guī)模將持續(xù)增大，產業(yè)結構日趨合理;技術水平持續(xù)提升，與國際差距逐步縮小;國內企業(yè)實力倍增，有望洗牌全球格局;政策環(huán)境日趨向好，基金引領投資熱潮。

　　全球市場規(guī)模擴大

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　　根據全球半導體貿易協(xié)會統(tǒng)計(WSTS)，2014年全球半導體市場規(guī)模達到3331億美元，同比增長9%，為近4年增速之最。伴隨著行業(yè)集中度越來越高，行業(yè)發(fā)展也逐步結束過去高增長和周期性波動的發(fā)展局面，開始步入平穩(wěn)發(fā)展階段。

　　從產業(yè)鏈結構看，制造業(yè)、IC設計業(yè)、封裝和測試業(yè)分別占全球半導體產業(yè)整體營業(yè)收入的50%、27%和23%。從產品結構看，模擬芯片、處理器芯片、邏輯芯片和存儲芯片2014年的銷售額分別為442.1億美元、622.1億美元、859.3億美元和786.1億美元，分別占全球集成電路市場份額的16.1%、22.6%、32.6%和28.6%。

　　據中國半導體行業(yè)協(xié)會統(tǒng)計，2014年我國集成電路產業(yè)銷售收入達3015.4億元，同比增長20.2%，增速較2013年提高4個百分點。產業(yè)規(guī)模繼續(xù)保持快速增長，各季度增速呈現前緩后高的態(tài)勢。

　　從產業(yè)鏈結構看，2014年我國集成電路產業(yè)鏈各環(huán)節(jié)均呈現增長態(tài)勢。其中，設計業(yè)增速最快，銷售額為1047.4億元，同比增長29.5%;芯片制造業(yè)銷售額為712.1億元，同比增長18.5%;封裝測試業(yè)銷售額為1255.9億元，同比增長14.3%。IC設計業(yè)的快速發(fā)展導致國內芯片代工與封裝測試產能普遍吃緊。從市場結構看，通信和消費電子是我國集成電路最主要的應用市場，二者合計共占整體市場的48.9%，其中網絡通信領域依然是2014年引領中國集成電路市場增長的主要動力。全球計算機產銷量的下滑直接導致中國計算機領域集成電路市場的增速放緩，2014年計算機類集成電路市場份額進一步下滑，同比下滑達13.28%。

　　14nm工藝芯片正式進入市場

　　3D-NAND存儲技術走向商用

　　2014年，集成電路產業(yè)重要創(chuàng)新的三大進展如下：一是14nm FinFET工藝芯片正式進入市場。14nm工藝節(jié)點被業(yè)界普遍視為集成電路制造的工藝拐點。在實現14nm工藝的技術進程中，目前主要包括兩條技術路線。一種是由英特爾公司在22nm制程中就開始采用的FinFET結構三柵晶體管技術，另一種是由IBM和意法半導體等公司在22nm制程節(jié)點中采用的FD-SOI全耗盡技術。

　　二是3D-NAND存儲技術走向商用。2014年10月，三星公司宣布開始量產用于固態(tài)硬盤(SSD)的3bit MLC 3D V-NAND閃存。3D V-NAND技術的優(yōu)勢在于不僅可以提升芯片的存儲密度和寫入速度，還可以降低芯片的功耗。截至2014年12月，全球已經有4家存儲器生產企業(yè)推出自己的3D-NAND發(fā)展路線圖?？傮w來看，該技術有望在2016年全面走向市場，并替代傳統(tǒng)NAND閃存。

　　三是可穿戴市場推動無線充電技術走向成熟。移動智能終端用戶對于電池續(xù)航能力的要求不斷提升，促使芯片設計企業(yè)開始布局新的電源供應技術，其中無線充電技術已經成為業(yè)界“搶攻”的重點。截至2014年年底，已有包括博通、艾迪特(IDT)、德州儀器(TI)、聯發(fā)科、安森美等在內的多家芯片廠商積極瞄準可穿戴式設備市場推出無線充電解決方案，并針對周邊的電源管理平臺發(fā)展策略做出相應變革。

　　2014年，集成電路產業(yè)在以下三個方面值得引起重視：一是國際芯片巨頭“軍備競賽”日益激烈，我國芯片制造業(yè)面臨國際壓力愈發(fā)增強;二是核心知識產權的缺失，使得4G設備在加速替代過程中仍將面臨專利的隱患;三是國家集成電路產業(yè)投資基金的實施將面臨投資主體選擇、海外并購標的甄別等幾方面的挑戰(zhàn)。