當(dāng)前VLSI技術(shù)不斷向深亞微米及納米級(jí)發(fā)展，模擬開關(guān)是模擬電路中的一個(gè)十分重要的原件，由于其較低的導(dǎo)通電阻，極佳的開關(guān)特性以及微小封裝的特性，受到人們的廣泛關(guān)注。模擬開關(guān)導(dǎo)通電阻的大小直接影響開關(guān)的性能，低導(dǎo)通電阻不僅可以降低信號(hào)損耗而且可以提高開關(guān)速度。要減小開關(guān)導(dǎo)通電阻，可以通過(guò)采用大寬長(zhǎng)比的器件和提高柵源電壓的方法，可是調(diào)節(jié)器件的物理尺寸不可避免地會(huì)帶來(lái)一些不必要的寄生效應(yīng)，比如增大器件的寬度會(huì)增加器件面積進(jìn)而增加?xùn)烹娙?，脈沖控制信號(hào)會(huì)通過(guò)電容耦合到模擬開關(guān)的輸入和輸出，在每個(gè)開關(guān)周期其充放電過(guò)程中會(huì)消耗更多的電流，時(shí)間常數(shù)t=RC，充放電時(shí)間取決于負(fù)載電阻和電容，使得開關(guān)的速度變慢，同時(shí)增大寬長(zhǎng)比也增加了器件的成本。當(dāng)前減小導(dǎo)通電阻的普遍辦法是提高開關(guān)管的柵電壓。

　　1傳統(tǒng)模擬開關(guān)原理及柵增壓原理

　　圖1傳統(tǒng)模擬開關(guān)

　　在MOS技術(shù)中，傳統(tǒng)的開關(guān)實(shí)現(xiàn)就是一個(gè)PMOS管和一個(gè)NMOS管并聯(lián)，如圖1所示，A和B兩端分別為傳送信號(hào)的輸入、輸出端，兩個(gè)管子的柵極分別由極性相反的信號(hào)來(lái)控制。由于MOS管的源極和漏極可以互換，因此這個(gè)電路的輸入、輸出端也可以互換，它可以控制信息雙向流通，就像一個(gè)雙向開關(guān)。工作過(guò)程：當(dāng)控制信號(hào)S=1時(shí)，PMOS管和NMOS管均導(dǎo)通，傳輸門接通，信號(hào)暢行無(wú)阻;當(dāng)控制信號(hào)S=0時(shí)，PMOS管和NMOS管均截止，傳輸門關(guān)閉，開關(guān)斷開。當(dāng)一管的導(dǎo)通電阻減小，則另一管的導(dǎo)通電阻就增加。由于兩管是并聯(lián)運(yùn)行，可近似地認(rèn)為開關(guān)的導(dǎo)通電阻近似為一常數(shù)。這是CMOS傳輸門的優(yōu)點(diǎn)。

　　1.1模擬開關(guān)分析

　　CMOS開關(guān)的導(dǎo)通電阻為：

　　導(dǎo)通電阻將不隨輸入信號(hào)改變而改變，可等效為一個(gè)恒定阻值的電阻，如式(3)，不會(huì)引起模擬信號(hào)的失真，由于導(dǎo)通電阻是由兩個(gè)電阻并聯(lián)，所以阻值較單管開關(guān)小得多，使得開關(guān)速率又得到提高。從式(3)中可以知道MOS開關(guān)為了能提高速度和精度，需要抬高NMOS管的柵電壓。增加?xùn)烹妷鹤钪苯拥霓k法就是提高電路的電源低壓，但是從低電壓系統(tǒng)角度來(lái)說(shuō)這增加了成本，因此需要加一個(gè)電源電路，最好的辦法是芯片內(nèi)部產(chǎn)生一個(gè)電壓來(lái)增加?xùn)烹妷骸?/p>

　　1.2柵增壓原理

　　柵增壓原理是依靠電荷泵的工作原理：先貯存能量，然后以受控方式釋放能量，以獲得所需的輸出電壓。本文中所用的電容式電荷泵采用電容器來(lái)貯存能量，通過(guò)電容對(duì)電荷的積累，電容A端接時(shí)鐘信號(hào)Clk，當(dāng)A點(diǎn)電位為0時(shí)，B點(diǎn)電位為Vdd;當(dāng)A點(diǎn)電位為Vdd時(shí)，由于電容兩端的電壓不會(huì)突變，理想情況下，此時(shí)B點(diǎn)電位被抬升為2Vdd，因?yàn)殡姾杀玫挠行ч_環(huán)輸出電阻存在，使得實(shí)際情況B點(diǎn)電位低于2Vdd.

　　圖2柵增壓基本電路