導(dǎo)讀：PN結(jié)對(duì)我們來(lái)說(shuō)是很熟悉的東西了，二極管、三極管、MOS管等等都運(yùn)用的是PN結(jié)的原理，下面我們就來(lái)講述一下PN結(jié)的原理，親們快來(lái)學(xué)習(xí)一下吧~~~

1.PN結(jié)原理--簡(jiǎn)介

　　PN結(jié)(PN junction)，其實(shí)就是由一側(cè)摻雜成P型半導(dǎo)體，另一側(cè)摻雜成N型半導(dǎo)體構(gòu)成的一塊半導(dǎo)體晶體，中間二者相連的接觸面稱為PN結(jié)。PN結(jié)是電子技術(shù)中許多元件，例如半導(dǎo)體二極管、雙極性晶體管的物質(zhì)基礎(chǔ)。P是positive的縮寫，N是negative的縮寫，表明正荷子與負(fù)荷子起作用的特點(diǎn)。

2.PN結(jié)原理--特性

　　PN結(jié)的單向?qū)щ娦裕喝敉饧与妷菏闺娏鲝腜區(qū)流到N區(qū)，PN結(jié)呈低阻性，所以電流大;反之是高阻性，電流小。

　　擊穿性：二極管的PN結(jié)PN結(jié)加反向電壓時(shí)，空間電荷區(qū)變寬，區(qū)中電場(chǎng)增強(qiáng)，反向電壓增大到一定程度時(shí)，反向電流將突然增大。

　　雪崩擊穿：當(dāng)阻擋層中的載流子漂移速度增大到一定程度時(shí)，會(huì)將共價(jià)鍵中的價(jià)電子碰撞出來(lái)。雪崩擊穿發(fā)生在摻雜濃度較低的PN結(jié)中，阻擋層寬，碰撞電離的機(jī)會(huì)較多，所以雪崩擊穿的擊穿電壓高。

3.PN結(jié)原理

　　PN結(jié)的形成其實(shí)就是在一塊完整的硅片上，用不同的摻雜工藝使其一邊形成N型半導(dǎo)體，另一邊形成P型半導(dǎo)體，那么在兩種半導(dǎo)體的交界面附近就形成了PN結(jié)。

　　在形成PN結(jié)之后，由于N型半導(dǎo)體區(qū)內(nèi)的電子數(shù)量多于空穴數(shù)量，而P型半導(dǎo)體區(qū)內(nèi)的空穴數(shù)量多于電子數(shù)量，所以在它們的交界處就出現(xiàn)了電子和空穴的濃度差。這樣，電子和空穴都要從濃度高的地方向濃度低的地方擴(kuò)散。此時(shí)將在N型半導(dǎo)體和P型半導(dǎo)體的結(jié)合面上形成如下物理過(guò)程如下：

　　最后，多子的擴(kuò)散和少子的漂移達(dá)到動(dòng)態(tài)平衡。在P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體的結(jié)合面兩側(cè)，留下離子薄層，這個(gè)離子薄層形成的空間電荷區(qū)稱為PN結(jié)。PN結(jié)的內(nèi)電場(chǎng)方向由N區(qū)指向P區(qū)。在空間電荷區(qū)，由于缺少多子，所以也稱耗盡層。

　　拓展閱讀：

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　　2.二極管工作原理

　　3.PN結(jié)的形成及工作原理