記憶體大廠整軍經(jīng)武，準備展開新一波大戰(zhàn)!據(jù)傳三星電子和SK 海力士 (SK Hynix )將大買設備，積極投資3D NAND Flash;另外DRAM也將轉(zhuǎn)進新制程，拉高戰(zhàn)力。

　　韓媒etnews 6日報導，記憶體大廠爭相量產(chǎn)3D NAND Flash，新制程和傳統(tǒng)NAND Flash相比，差別在于從平面改為立體，能層層堆疊，提高效能。據(jù)了解，由2D轉(zhuǎn)進3D NAND Flash，顯影制程不變，但是金屬化和刻蝕步驟將分別增加50~60%、30~40%，需要采購不少新設備。據(jù)了解，三星最早量產(chǎn)3D NAND Flash，目前正在擴充西安3D NAND Flash廠產(chǎn)線，盼將堆疊層數(shù)從32層提高到48層。與此同時，SK海力士也增加投資，預定今年下半量產(chǎn)3D NAND Flash，將打造36層的3D NAND Flash產(chǎn)線。

　　DRAM方面，今年下半，三星擬把20 奈米 DRAM制程比重提高到20%，SK海力士則要將25奈米DRAM制程比重提高至60%。為了轉(zhuǎn)進新制程，兩家公司都將大肆采購。

　　南韓媒體中央日報日文版甫于6月19日報導，因固態(tài)硬碟(SSD)需求提振3D架構(gòu)的NAND型快閃記憶體 (Flash Memory)需求呈現(xiàn)急速增長，故三星計畫把生產(chǎn) 3D NAND的中國西安半導體工廠產(chǎn)量較現(xiàn)行擴增50%。報導指出，據(jù)熟知 三星事務的關(guān)系人士透露，目前三星西安工廠晶圓月產(chǎn)量為4-5萬片，而三星計畫于今(2015)年底前將其產(chǎn)量提高5成(增加2萬片)至6-7萬片。

　　barron`s.com 6月23日報導，雖然美光與英特爾(Intel Corp.)已在3月發(fā)表最新3D NAND技術(shù)，還宣稱廠房已開始投產(chǎn)、預計今年底就會產(chǎn)能全開，但瑞士信貸分析師Keon Han與團隊發(fā)表研究報告指出，三星在3D NAND領域擁有獨特優(yōu)勢，因為該公司可將3D NAND直接賣回給自己，而在客戶需求前景較為穩(wěn)定下，三星能夠直接打造全新的3D NAND廠房，不需要像競爭對手那樣把舊有廠房升級來節(jié)省成本。瑞信認為，三星未來2年在3D NAND市場都不會面臨太多競爭。

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