盡管目前全球存儲器四強(qiáng)競局維持平衡狀態(tài)，然近期各廠投資動作頻頻，包括三星電子(Samsung Electronics)、美光(Micron)與東芝(Toshiba)為量產(chǎn)3D NAND Flash，紛投資建廠或以既有生產(chǎn)線進(jìn)行轉(zhuǎn)換，SK海力士(SK Hynix)亦可能利用M10廠生產(chǎn)3D NAND Flash，業(yè)界預(yù)期未來3~4年內(nèi)存儲器產(chǎn)業(yè)既有平衡競局恐將被打破。

　　半導(dǎo)體業(yè)者表示，3D NAND技術(shù)是未來存儲器產(chǎn)品主流，然技術(shù)層次及難度十分高，目前在制程良率上仍面臨許多挑戰(zhàn)，預(yù)計2016年真正順利量產(chǎn)的存儲器大廠只有三星，其他業(yè)者仍在全力追趕中，全球3D NAND賽局甫揭開序幕。

　　值得注意的是，3D NAND技術(shù)帶來突破性的成本降低，將攸關(guān)固態(tài)硬碟(SSD)市場發(fā)展，未來云端伺服器及企業(yè)SSD應(yīng)用，亟需成本降低的存儲器解決方案來驅(qū)動市場快速成長，目前看來3D NAND技術(shù)能做到大量取代傳統(tǒng)硬碟，讓SSD市場滲透率飛躍前進(jìn)。

　　現(xiàn)階段全球存儲器產(chǎn)業(yè)維持四強(qiáng)寡占的平衡競局，但各廠臺面下投資動作暗潮洶涌，三星與SK海力士在2015年初宣布大規(guī)模的長期設(shè)備投資計劃，美光與東芝亦致力發(fā)展NAND Flash新技術(shù)，建廠計劃如火如荼進(jìn)行中，業(yè)界預(yù)期存儲器產(chǎn)業(yè)平衡狀態(tài)可能在未來3~4年內(nèi)被打破。

　　根據(jù)韓媒D-Daily報導(dǎo)，SK海力士最近宣布未來10年內(nèi)將投資46兆韓元(約396億美元)，興建包含利川M14在內(nèi)的3個新廠，若加計維護(hù)及建物設(shè)備投資，總投資額高達(dá)75兆韓元(約645億美元)。

　　目前SK海力士擁有的12吋生產(chǎn)線有利川M10、忠北清州M11、M12及大陸無錫HC2，其中，利川與無錫廠生產(chǎn)DRAM，清州廠生產(chǎn)NAND Flash，原本M10廠負(fù)責(zé)的DRAM會移轉(zhuǎn)到M14新廠生產(chǎn)，M10廠20納米級DRAM產(chǎn)能為13萬片12吋晶圓，M14新廠產(chǎn)能為20萬片，未來將可視需求快速擴(kuò)產(chǎn)，至于M10廠未來可能用來生產(chǎn)系統(tǒng)芯片、NAND Flash或做為研發(fā)設(shè)施。

　　三星正在京畿道平澤建設(shè)新廠，預(yù)定2017年上半啟用，第一期投資額15.6兆韓元(約134億美元)，估計12吋晶圓產(chǎn)量可達(dá)20萬片，但生產(chǎn)項(xiàng)目仍未定;原本打算做為系統(tǒng)LSI廠的華城17產(chǎn)線，先改為生產(chǎn)DRAM;至于三星大陸西安NAND Flash廠首期生產(chǎn)規(guī)模為每月10萬片12吋晶圓。

　　美光在購并爾必達(dá)(Elpida)之后，將新加坡DRAM廠轉(zhuǎn)為生產(chǎn)NAND Flash，且致力發(fā)展3D NAND Flash，新加坡10X廠第1季開始進(jìn)行量產(chǎn)3D NAND Flash的設(shè)備轉(zhuǎn)換，預(yù)定2016年中投入量產(chǎn)。至于美光與英特爾(Intel)合資公司IM Flash，則陸續(xù)購并美國與新加坡NAND Flash工廠投入營運(yùn)。

　　另外，日廠東芝與美國SanDisk合資的3家大型NAND Flash制造廠亦陸續(xù)啟動，其中，屬于超大型工廠的晶圓五廠已完成第二階段投資開始啟動，改建為尖端生產(chǎn)線的晶圓二廠最近在進(jìn)行測試，預(yù)估2016年完工后將擴(kuò)大供應(yīng)量。