臺(tái)積電到目前為止對(duì)大陸?yīng)氋Y設(shè)立12寸廠案，多以大陸生產(chǎn)成本仍高于臺(tái)灣，模糊登陸行動(dòng)。

　　但半導(dǎo)體設(shè)備業(yè)者表示，臺(tái)積電多方評(píng)估后，確定落腳南京，已由南京市政府展開整地工程，臺(tái)積電預(yù)定最快年底或明年初進(jìn)行建廠作業(yè)，2018年完工，并以目前承接蘋果高階處理器的16納米主力制程，直接在當(dāng)?shù)亟訂紊a(chǎn)，為主力客戶高通、聯(lián)發(fā)科、海思、展訊等就近提供服務(wù)。

　　據(jù)了解，臺(tái)積電一開始選定三處，包括英特爾大連廠、武漢及南京，進(jìn)行12寸晶圓廠設(shè)廠地點(diǎn)，因大連英特爾舊廠是8寸廠，得打掉重建12寸，不符經(jīng)濟(jì)效益，臺(tái)積電放棄，最后在南京市政府提供優(yōu)惠的投資獎(jiǎng)勵(lì)下，決定落腳南京。

　　稍早南京浦口經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)不小心在圍籬上寫上“臺(tái)積電建廠用地”，讓臺(tái)積電12寸晶圓廠投資案曝光，南京市政府雖立刻撤下標(biāo)示，但也配合臺(tái)積電的投資行動(dòng)，展開整地工程。

　　半導(dǎo)體設(shè)備廠表示，臺(tái)積電放棄的大連廠，將由英特爾直接重新規(guī)劃與展訊興建全新的12寸廠，并切入生產(chǎn)儲(chǔ)存型快閃記憶體(NAND Flash)，可能是紫光集團(tuán)主導(dǎo)的首座12寸晶圓廠投資案，開啟進(jìn)軍記憶體的行動(dòng)。

　　至于臺(tái)積電落腳南京，則選定直接切入今年下半年量產(chǎn)的16納米FinFET+(鰭式場(chǎng)效電晶體強(qiáng)化版)，這項(xiàng)制程也是目前臺(tái)積電為蘋果生產(chǎn)A9處理器完封三星14納米的利器，將成為大陸技術(shù)最先進(jìn)的邏輯芯片代工廠。

　　半導(dǎo)體設(shè)備廠表示，臺(tái)積電設(shè)定時(shí)程是2017年底完成開始試產(chǎn)，2018年正式接單量產(chǎn)，以臺(tái)積電2018年在臺(tái)可能推進(jìn)到7納米量產(chǎn)，臺(tái)積電直接切入16 納米在大陸接單量產(chǎn)，仍符合投審會(huì)規(guī)范，不過臺(tái)積電這項(xiàng)制程布局，將大幅領(lǐng)先大陸設(shè)廠的中芯、聯(lián)芯等，預(yù)料將掀起極大的震撼。

　　臺(tái)灣半導(dǎo)體業(yè)者在大陸12寸晶圓廠布局 圖/經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)提供