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          串行存儲器AT45DB161B在車輛行駛記錄儀中的應用

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          作者:何敏 劉榮 孫崢 時間:2007-03-20 來源:電子元器件應用 收藏
          1 概述

          行駛記錄儀的主要數據包括事故疑點和行駛狀態(tài)數據。其中,事故疑點數據是記錄儀以不大于0.2s的時間間隔持續(xù)記錄并存儲停車前20 s實時時間所對應的車輛行駛速度及車輛制動狀態(tài)信號,記錄次數至少為1O次:行駛狀態(tài)數據是無論車輛在行駛狀態(tài)還是停止狀態(tài),記錄儀提供的與實時時間對應的車輛行駛速度信息。記錄儀應能以不大于1 min的時間間隔持續(xù)記錄并存儲車輛在最近360 h內的行駛狀態(tài)數據,該行駛狀態(tài)數據主要是車輛在行駛過程中與實時時間相對應的每分鐘間隔內的平均行駛速度值[1]。

          該記錄儀需要采用大容量的數據。以往的設計均采用并行或鐵電。其中并行存儲器存儲容量大,讀寫速度快。但是抗干擾能力差,而汽車上的干擾較強.雖然可以通過其它軟、硬件措施來避免。但是在設計時一般都需要選擇抗干擾能力強的芯片;鐵電存儲器采用串行接口,抗干擾能力強,也具有很高的靈活性,可以單字節(jié)讀寫(不需要擦除,可直接改寫數據),但其存儲密度小,單位成本高,讀寫速度較慢,由于行駛記錄儀要求每0.2 s采樣一次速度和狀態(tài),因此讀寫存儲器的速度會影響采樣的精度和程序的運行。

          現在的EEP

          ROM閃速存儲陣列Flash Memory有ATMEL、SST的小扇區(qū)結構閃速存儲器(Small Sector Flash Memory)和ATMEL的海量存儲器(Data-Flash Memory)。這類器件具有EEPROM與NOR技術Flash Memory的綜合優(yōu)勢,主要表現為:

          (1)讀寫靈活性比EEPROM差,不能直接改寫數據。在編程之前需先進行頁擦除,與NOR技術Flash Memory的塊結構相比,其頁尺寸小,因而具有快速隨機讀取和快編程、快擦除的特點:

          (2)與EEPROM相比,這種存儲器具有明顯的成本優(yōu)勢;

          (3)存儲密度比EEPROM大,但比NOR技術Flash Memory小[2]。

          因此,該Dataflash存儲容量大,讀寫速度快,抗干擾能力強,在行駛記錄儀中作存儲器是較好的選擇。本文給出了采用ATMEL的來存儲數據的記錄儀設計方案。

          2

          ATMEL公司的Data-Flash產品的代表型號為AT45DBxxxx。此系列存儲器容量較大(從1~256MB);封裝尺寸小,最小封裝型式(CBGA)的尺寸為6 mm



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