1 概述

　　隨著DS32X35系列產(chǎn)品的發(fā)布，Dallas Semi-conductor公司提供了無需電池的非易失存儲器。這些器件采用鐵電隨機存取存儲器(FRAM)技術，FRAM是非易失存儲器，其讀/寫操作與RAM類似。該系列器件能夠可靠地將數(shù)據(jù)保持10年之久，與EEPROM和其他非易失存儲器不同的是：它不需要考慮系統(tǒng)復雜性、過度開銷以及可靠性等問題。從1992年出現(xiàn)第一塊FRAM至今，鐵電隨機存取存儲技術已趨于成熟。

　　2 非易失存儲器

　　目前，非易失存儲技術主要有3種：電池備份的SRAM、EEPROM和閃存。FRAM的速度類似于傳統(tǒng)SRAM;FRAM的操作類似于串行EEPROM，主要區(qū)別是FRAM具有更好的寫操作特性和耐用性，能以I2C的速度對存儲器進行讀寫操作。在寫操作時，無需輪詢器件確認就緒條件。表1給出了非易失存儲技術的評定，評定等級1(最好)至4(最差)。

　　3 FRAM相對于EEPROM的優(yōu)勢

　　同等容量的EEPROM相比較，F(xiàn)RAM具有諸多優(yōu)勢：第一個優(yōu)勢是FRAM能夠以總線速度執(zhí)行寫操作，且數(shù)據(jù)開始傳輸后沒有任何寫延時。另外，F(xiàn)RAM不采用頁面寫操作方式，用戶可以簡便地連續(xù)寫入數(shù)據(jù)。數(shù)據(jù)傳輸時沒有尺寸限制，無延時。必要時，系統(tǒng)可以采用突發(fā)模式對整個存儲器陣列進行寫操作。

　　第二個優(yōu)勢是寫操作耐久性，寫次數(shù)高達100億次。多數(shù)EEPROM的只寫次數(shù)只能達到100萬次。實際上可以認為FRAM沒有寫次數(shù)的限制，非常適用于數(shù)據(jù)采集。

　　第三個優(yōu)勢是微功耗，有助于節(jié)省電能。FRAM采用鐵電存儲機制，可通過本地VCC支持寫操作，EEPROM則只需一個電荷泵或升壓電路?？梢?，F(xiàn)RAM電流消耗遠遠低于類似配置的EEPROM。

　　4 DS32X35帶有FRAM的高精度RTC

　　4.1 DS32X35簡介和內部結構

　　DS32X35是一款溫補時鐘/日歷器件，單個封裝內集成了32.768 kHz晶體和非易失存儲器。非易失存儲器采用兩種配置：2 048