今年令人激動的技術(shù)終于由intel得以宣布最新進(jìn)度，intel方面表示，用來替代當(dāng)前NAND閃存技術(shù)的全新PCM(phase change memory，相位變換存儲)芯片即將進(jìn)入全面的量產(chǎn)化階段，并且intel公司目前已經(jīng)可以提供PCM閃存芯片的樣品。

　　Sandisk剛剛發(fā)布有別于當(dāng)前標(biāo)準(zhǔn)NAND flash閃存芯片存儲密度的新技術(shù)，不過intel方面則在接下來沒有多久的時間內(nèi)發(fā)布消息表明，PCM閃存芯片的樣品已經(jīng)開始出貨給特定的合作客戶，首批出貨樣品采用90納米制程技術(shù)生產(chǎn)，產(chǎn)品代號Alverstone，采用2bit核心存儲單元的多級封裝技術(shù)制造，單體容量目前為256M bit。

　　PCM最新發(fā)布的測試樣品制作技術(shù)來自于剛剛加入intel和意法半導(dǎo)體(ST microelectronics)的NUmonyx，PCM閃存技術(shù)采用一種非常類似于CD和DVD的數(shù)據(jù)存儲技術(shù)，intel早在2001年左右就已經(jīng)開始進(jìn)行這項(xiàng)工作的開發(fā)，早期代號為ovonics，intel采用具有硫?qū)倩锊Ａ匦缘牟牧贤ㄟ^加熱方式針對材料特性在晶體和無規(guī)則穿透組織間進(jìn)行切換，這種切換動作可以產(chǎn)生特殊電阻，并激發(fā)潛在的數(shù)據(jù)存儲技術(shù)，和閃存一樣，PCM技術(shù)也是數(shù)據(jù)存儲非易失性的，這也就意味著在斷電之后數(shù)據(jù)存儲動作仍然有效。

　　對于PCM技術(shù)而言，最重要的一項(xiàng)開發(fā)特性就是材料的熱敏性，根據(jù)intel方面的測試，這種材質(zhì)變換技術(shù)可以達(dá)到10萬次的讀寫循環(huán)操作而不會出現(xiàn)任何問題。

　　Nunonyx技術(shù)設(shè)計(jì)部總裁Ed Doller表示，PCM對于非易失性存儲技術(shù)來是，是發(fā)展經(jīng)過40年之后令人額外關(guān)注的新技術(shù)，對于今天的存儲技術(shù)存在重大意義，而intel和意法半導(dǎo)體則將這項(xiàng)實(shí)用性的新技術(shù)已經(jīng)帶到客戶手中。

　　Numonyx將會致力于供應(yīng)全系列針對不同客戶和工業(yè)設(shè)備的PCM完整存儲解決方案，包括當(dāng)前流行的移動電話，MP3播放器，數(shù)碼相機(jī)，電腦以及其他高科技設(shè)備，同時intel表示這項(xiàng)新技術(shù)也會為該公司在盈利方面建立卓越表現(xiàn)機(jī)會。

　　intel是全球第一家制造flash閃存芯片的公司，而在1989年NOR閃存設(shè)備容量僅為256KB，并在早期用來存儲操作系統(tǒng)，其大小尺寸要和一個鞋盒子相當(dāng)，而上個月，intel公司則在切實(shí)考慮完全舍棄陳舊而無利潤的閃存業(yè)務(wù)。