但是，希望增加開(kāi)關(guān)密度，在一個(gè)較小的封裝內(nèi)能提供更多能力。當(dāng)今被測(cè)系統(tǒng)趨于更復(fù)雜和具有更多的點(diǎn)線。所以，測(cè)試工程師面對(duì)增加元件密度和同時(shí)增加通道間距離的困難。

　　在某種情況下，對(duì)一個(gè)噪聲問(wèn)題的解決方案，對(duì)待不同的噪聲問(wèn)題可能會(huì)降低方案的有效性。必須很好的了解噪聲源、耦合方法和噪聲接收器，以便對(duì)這些因素做適當(dāng)?shù)恼壑钥紤]。

　　根據(jù)經(jīng)驗(yàn)，導(dǎo)線直徑40倍的物理分離距離將衰減噪聲8dB左右。導(dǎo)線間更大的分離幾乎沒(méi)有影響。

　　樹(shù)形開(kāi)關(guān)

　　樹(shù)形開(kāi)關(guān)分離彼此的開(kāi)關(guān)列，這對(duì)于降低大系統(tǒng)中雜散斷開(kāi)開(kāi)關(guān)電容是相當(dāng)有效的，這種雜散電容是連接系統(tǒng)中未用并聯(lián)繼電器所引起的。如圖2所示，樹(shù)形開(kāi)關(guān)置在左邊H、L、G線和左邊16通道的3列之間。引入的繼電器與輸入繼電器串聯(lián)可降低這種雜散電容。

　　對(duì)于16通道多路開(kāi)關(guān)，這種串聯(lián)開(kāi)關(guān)配置能有效地降低測(cè)量電路的雜散電容。這使串?dāng)_小、測(cè)量建立時(shí)間快。

　　T形開(kāi)關(guān)

　　T形開(kāi)關(guān)是把所有未用通道與測(cè)量總線隔離，用低電容通路到地。這種隔離是在單導(dǎo)線上實(shí)現(xiàn)的，在信號(hào)通路中插入2個(gè)另外的接點(diǎn)。結(jié)果在高頻具有良好的通道間信號(hào)隔離。

　　T形開(kāi)關(guān)原理說(shuō)明示于圖3。圖中所示上面的源VN與負(fù)載電阻斷開(kāi)，這是因?yàn)殚_(kāi)關(guān)A和B是新斷開(kāi)的，開(kāi)關(guān)C是閉合的。因此，開(kāi)關(guān)的T部分有效地并接到地。然而，在另一個(gè)位置具有相應(yīng)觸點(diǎn)的下部源VS連接到負(fù)載R2。

　　降低開(kāi)關(guān)電容和耦合噪聲的另一方法是使開(kāi)關(guān)和開(kāi)關(guān)觸點(diǎn)間隙大或使觸點(diǎn)面積特別小。例如，Agilent 876A同軸SPDT開(kāi)關(guān)在其開(kāi)關(guān)動(dòng)作中利用非常長(zhǎng)的接入。這使斷開(kāi)觸點(diǎn)間隙最大。此開(kāi)關(guān)是封裝在精密的金屬殼中，以保證大于18GHz的信號(hào)完整性。