6月19日消息，據(jù)國外媒體報道，閃存制造商SanDisk公司近日發(fā)布了報送給美國證券交易委員會的一份報告，該報告稱，SanDisk將與東芝公司合作，共同開發(fā)和制造可重寫3D內(nèi)存。

　　SanDisk公司稱，兩家公司將共同致力于3D內(nèi)存芯片的開發(fā)和生產(chǎn)，并共享與開發(fā)項目有關(guān)的專利許可技術(shù)。作為合資企業(yè)一部分，東芝將向SanDisk支付許可費用。

　　雙方合資最終將導(dǎo)致一種可替代NAND閃存的新型內(nèi)存技術(shù)，SanDisk是NAND型閃存的主要生產(chǎn)商之一。后者被iPod、iPhone、數(shù)碼相機和其他設(shè)備用作儲存圖片、歌曲和其他數(shù)據(jù)。

　　3D內(nèi)存芯片并非新概念，它是數(shù)年前為降低成本和儲存更長時間信息而開發(fā)的技術(shù)。與NAND閃存相比，3D內(nèi)存儲存的信息可保存100年以上。Matrix Semiconductor在數(shù)年前開發(fā)出了3D內(nèi)存芯片，方法是以垂直方式堆疊內(nèi)存顆粒，而不是以往的水平方式。Matrix公司稱，新方法可降低成本。Matrix曾與臺積電公司共同生產(chǎn)芯片，但并未進入量產(chǎn)。

　　SanDisk公司在2005年收購了Matrix，東芝與SanDisk合資企業(yè)開發(fā)的3D內(nèi)存與Matrix芯片最大區(qū)別是: Matrix芯片無法重新寫入數(shù)據(jù)，數(shù)據(jù)一旦存入就只能永久保存在介質(zhì)中。反之，可重寫3D內(nèi)存可反復(fù)重寫。

　　就在幾年前，東芝開發(fā)出了垂直堆疊的可重寫3D閃存芯片，東芝當時已經(jīng)生產(chǎn)了芯片樣品，但沒有投入商業(yè)生產(chǎn)。

　　SanDisk與東芝打算整合雙方的知識產(chǎn)權(quán)和技術(shù)人才，以便進一步開發(fā)3D內(nèi)存芯片和生產(chǎn)技術(shù)。兩家公司沒有透露合資企業(yè)的設(shè)立成本，也未說明相關(guān)許可費用。

　　有分析師指出，3D內(nèi)存芯片不會很快上市銷售，困難之一是這種芯片難于進入大規(guī)模量產(chǎn)階段。東芝和SanDisk需要三到四年時間才能拿出可與NAND閃存競爭的3D內(nèi)存。