安森美半導(dǎo)體以超低電容技術(shù)擴(kuò)充ESD保護(hù)產(chǎn)品系列
全球領(lǐng)先的電源管理和電路保護(hù)半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國納斯達(dá)克上市代號:ONNN)擴(kuò)充高性能片外靜電放電(ESD)保護(hù)產(chǎn)品系列,推出兩款業(yè)界一流的器件——ESD7L5.0D和NUP4212。這些新產(chǎn)品以安森美半導(dǎo)體專有的集成ESD保護(hù)平臺(tái)設(shè)計(jì),提高了鉗位電壓性能,同時(shí)保持低電容和小裸片尺寸。
ESD7L5.0D采用極小的1.2 mm x 1.2 mm x 0.5 mm SOT-723封裝,保護(hù)每條線路0.5皮法(pF)電容的兩條高速數(shù)據(jù)線路。將安森美半導(dǎo)體的低電容技術(shù)集成至3引腳封裝為設(shè)計(jì)人員提供以單個(gè)器件保護(hù)USB2.0端口D+和D-線路的解決方案。ESD7L5.0D也能夠連接陰極至陰極,保護(hù)0.25 pF電容的一條雙向線路,非常適用于保護(hù)高頻射頻(RF)天線線路。
NUP4212采用小巧的1.6 mm x 1.6 mm x 0.5 mm UDFN-6封裝,保護(hù)每條線路0.7 pF的4條高速數(shù)據(jù)線路和2條Vcc電源線路。使設(shè)計(jì)人員能夠采用單個(gè)集成器件保護(hù)兩個(gè)USB端口上的D+和D-線路及Vcc線路。
這兩款新器件的主要特點(diǎn),都來自安森美半導(dǎo)體傲視同儕的專有技術(shù)。ESD7L5.0D和NUP4212能夠?qū)?5千伏(kV)的輸入ESD波形在數(shù)納秒(ns)內(nèi)鉗位至低于7伏(V),確保當(dāng)今的對ESD敏感的集成電路(IC)具有最高水平的保護(hù)。諸如聚合物和陶瓷壓敏電阻等其它低電容片外ESD保護(hù)技術(shù)也提供低電容,但它們的ESD鉗位電壓遠(yuǎn)高于安森美半導(dǎo)體的解決方案。此外,安森美半導(dǎo)體這些硅器件沒有無源技術(shù)的磨損問題,在經(jīng)受ESD等多次浪涌事件后可靠性和性能都不會(huì)受到影響。
安森美半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品部全球市場營銷副總裁麥滿權(quán)說:“安森美半導(dǎo)體推出針對高速數(shù)據(jù)應(yīng)用的超低電容產(chǎn)品,持續(xù)擴(kuò)大我們在高性能ESD保護(hù)解決方案的領(lǐng)先地位。下一代便攜應(yīng)用需要在越來越高的數(shù)據(jù)率下具有更高的性能和更大的設(shè)計(jì)靈活性。安森美半導(dǎo)體不斷配合這個(gè)趨勢,推出完整的低電容ESD保護(hù)解決方案系列。”
采用這個(gè)技術(shù)平臺(tái)的首款產(chǎn)品ESD9L5.0S以技術(shù)、應(yīng)用和設(shè)計(jì)創(chuàng)新方面的巨大進(jìn)步而榮獲美國《Electronic Products》雜志以及中國《今日電子》雜志各頒發(fā)2007“年度產(chǎn)品”獎(jiǎng)。
ESD7L5.0DT5G采用SOT-723封裝,每8,000片的批量單價(jià)為0.20美元。NUP4212采用UDFN-6封裝,每3,000片的批量單價(jià)為0.608美元。
更多技術(shù)信息請?jiān)L問安森美半導(dǎo)體電路保護(hù)網(wǎng)站http://www.onsemi.com.cn/circuitprotection或聯(lián)系麥滿權(quán)(電郵:M.K.Mak@onsemi.com)。
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