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          瑞薩發(fā)布雙類型功率MOSFET DC/DC轉(zhuǎn)換器

          作者: 時間:2008-07-25 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏

            科技(Renesas Technology Corp.)近日宣布,推出適用于筆記本電腦及通信設(shè)備等產(chǎn)品的存儲器或ASIC同步整流的RJK0383DPA。該器件集成雙類型,可以實現(xiàn)更高的電源效率。據(jù)悉,此器件樣品將于在2008年10月在日本開始供應(yīng)。

          本文引用地址:http://cafeforensic.com/article/86225.htm

            RJK0383DPA集成了兩種不同類型的雙,構(gòu)成了一個采用WPAK『注1』(封裝代碼)高熱輻射封裝的同步整流,其面積為5.1×6.1 mm,厚度為0.8 mm(最大)。

            RJK0383DPA的功能概括如下:

            (1)先進工藝實現(xiàn)了91.6%的高效電源效率。

            RJK0383DPA采用先進的第十代,實現(xiàn)了更高的電源效率。例如當(dāng)把12V輸入轉(zhuǎn)換成為1.1V輸出時,電源效率為91.6%(在600 kHz開關(guān)頻率條件下),這是業(yè)界最高的效率。功率MOSFET處理的電源輸出電流比早期的雙類型功率產(chǎn)品增加了一倍。

            (2)通過將之前配置雙封裝功率MOSFET的芯片的安裝面積減少一半,實現(xiàn)更為精巧的電源設(shè)計和安裝密度。

            通過實現(xiàn)更高的電源效率,RJK0383DPA將配置雙封裝功率MOSFET的芯片安裝面積減少了大約一半,從而實現(xiàn)了更加小巧的同步整流和更高的安裝密度。RJK0383DPA在緊湊型移動設(shè)備的應(yīng)用上顯得尤為有效。
          據(jù)悉,RJK0383DPA的后續(xù)產(chǎn)品將是采用不同額定輸出電流的兩款新品——RJK0384DPA和RJK0389DPA,樣品預(yù)計將于2008年10月在日本交付。

          產(chǎn)品背景

            典型的通信設(shè)備,便攜式PC、圖形卡等信息設(shè)備,以及存儲器、ASIC、圖形處理單元(GPU)等元器件都使用不同的電源電壓,需要使用多個同步整流DC/DC轉(zhuǎn)換器。此外,最近幾年由于更多功能和性能以及數(shù)據(jù)處理量的增加,獨立的微處理芯片的功耗也在不斷增加。這對具有更低電壓和更高電流規(guī)格的同步整流DC/DC轉(zhuǎn)換器提出了更高要求,當(dāng)一個系統(tǒng)中使用的功率MOSFET數(shù)量增加時問題便會出現(xiàn)。

            為了滿足這些要求,瑞薩提高了其功率MOSFET產(chǎn)品的性能,并改進了封裝配置。通過采用雙封裝配置提高了同步整流DC/DC轉(zhuǎn)換器的電源效率,在沒有增加功率MOSFET數(shù)量的基礎(chǔ)上增強了電源輸出電流。此外,瑞薩還開發(fā)和批量生產(chǎn)了在一個封裝中集成兩個功率MOSFET的雙類型產(chǎn)品,進而減少了安裝面積。不過,由于散熱問題,雙類型功率MOSFET產(chǎn)品的電源效率不像雙封裝功率MOSFET配置那樣好,而且電流輸出較低。很明顯,市場需要一種具有改善電源效率的雙類型功率MOSFET產(chǎn)品,來滿足移動設(shè)備的小型化需求。

            新型RJK0383DPA是采用先進的第十代低損耗工藝制造的雙類型功率MOSFET,與瑞薩較早的雙類型產(chǎn)品相比,它可以實現(xiàn)高出大約7%的電源效率。

          產(chǎn)品細節(jié)

            RJK0383DPA集成了兩種不同類型的雙功率MOSFET,一個作為高側(cè)單元,另一個是低側(cè)單元『注2』。高側(cè)功率MOSFET具有1.5 nC(VDD=10V時)的漏-柵負載(Qgd),可以實現(xiàn)高開關(guān)速度和更高的效率。低側(cè)功率MOSFET具有3.7 mΩ(典型值:4.5 V)的低導(dǎo)通電阻『注3』(RDS(on)),可以降低功率損耗。

            此外,低側(cè)功率MOSFET還在同一個芯片上集成了肖特基勢壘二極管(SBD),以盡量降低彼此之間的布線電感『注4』,這就加快了DC/DC轉(zhuǎn)換器死區(qū)時間流到肖特基勢壘二極管的電流開關(guān)速度,從而進一步降低了損耗。它還可以有效地抑制開關(guān)期間的電壓尖峰,進而減少噪聲。

            用于制造RJK0383DPA的第十代工藝可以實現(xiàn)比此前的第九代工藝更低的損耗和更高的效率。該器件的導(dǎo)通電阻約為30%以下,而柵電荷電容(Qg)和漏-柵負載(Qgd)的不同特性大約分別為27%和30%,兩者都與較早的功率MOSFET產(chǎn)品的導(dǎo)通電阻相當(dāng)。

            RJK0383DPA的后續(xù)產(chǎn)品是兩款不同額定輸出電流產(chǎn)品-RJK0384DPA和RJK0389DPA,未來適用于其他DC/DC轉(zhuǎn)換器電源指標(biāo)的更多產(chǎn)品將加入該系列當(dāng)中,以滿足各種市場需求。

          典型應(yīng)用

            用于筆記本電腦、圖形卡、服務(wù)器和通信設(shè)備的同步整流DC/DC轉(zhuǎn)換器。



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