韓國電子巨頭三星電子公司日前宣稱，他們開發(fā)研制出了全球第一款使用70nm工藝生產(chǎn)的512Mb DDR2

　　SDRam存儲芯片，這也是目前存儲芯片制造領域內(nèi)的最精細的微處理技術。

　　三星電子稱，采用70nm工藝生產(chǎn)的512Mb DDR2 SDRam存儲芯片，是當前80nm 和 90nm處理工藝的延續(xù)。但目前采用70nm處理工藝的每個晶圓上的芯片數(shù)量至少要比采用90nm工藝所包含的芯片數(shù)量多出一倍。新的生產(chǎn)工藝采用了三星的金屬絕緣層金屬(Metal-Insulator-Metal，MIM)技術以及被稱為“三維晶體管技術——凹道排列晶體管(recess channel array transistor，RCAT)”3D構(gòu)架技術。

　　這些技術的采用確保了70nm 512Mb DRam芯片克服了DRam體積大的缺點以及提高了數(shù)據(jù)的更新恢復功能，70nm 工藝技術是繼三星2002年首次推出sub-micron處理技術和2003年推出80nm處理工藝后，再次在存儲技術上取得的新突破。

　　三星公司稱，預計在2006年的下半年，推出采用70nm 工藝生產(chǎn)的容量分別為512Mb、1Gb和2Gb的存儲產(chǎn)品。

　　市場調(diào)研機構(gòu) Gartner Dataquest之前發(fā)表的一份調(diào)查報告中稱，今年全球DRam芯片市場的收入在262億美元左右，而到2008年，全球DRam芯片市場的收入將291億美元。工藝生產(chǎn)的512Mb DDR2 SDRam存儲芯片，是當前80nm 和 90nm處理工藝的延續(xù)。但目前采用70nm處理工藝的每個晶圓上的芯片數(shù)量至少要比采用90nm工藝所包含的芯片數(shù)量多出一倍。

　　新的生產(chǎn)工藝采用了三星的金屬絕緣層金屬(Metal-Insulator-Metal，MIM)技術以及被稱為“三維晶體管技術——凹道排列晶體管(recess channel array transistor，RCAT)”3D構(gòu)架技術。

　　這些技術的采用確保了70nm 512Mb DRam芯片克服了DRam體積大的缺點以及提高了數(shù)據(jù)的更新恢復功能，70nm 工藝技術是繼三星2002年首次推出sub-micron處理技術和2003年推出80nm處理工藝后，再次在存儲技術上取得的新突破。

　　三星公司稱，預計在2006年的下半年，推出采用70nm 工藝生產(chǎn)的容量分別為512Mb、1Gb和2Gb的存儲產(chǎn)品。市場調(diào)研機構(gòu) Gartner Dataquest之前發(fā)表的一份調(diào)查報告中稱，今年全球DRam芯片市場的收入在262億美元左右，而到2008年，全球DRam芯片市場的收入將291億美元。