3月17日，新成立的盛美半導(dǎo)體(上海)有限公司在中國(guó)半導(dǎo)體國(guó)際展上展出了十二英寸單片兆聲波清洗設(shè)備，本設(shè)備用于65nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)以下的十二英寸高端硅片清洗。盛美獨(dú)家具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)技術(shù)可使兆聲波能量在12英寸硅片上非常均勻地分布(非均勻度的一個(gè)均方差小于2%)，本技術(shù)在不損傷硅片微結(jié)構(gòu)的條件下使顆粒去除效率達(dá)到99.2%。

　　隨著半導(dǎo)體芯片的體積越來(lái)越小，當(dāng)今半導(dǎo)體清洗技術(shù)的一大挑戰(zhàn)是對(duì)機(jī)械損傷和不良率的控制。65納米節(jié)點(diǎn)以下控制電極與電容結(jié)構(gòu)越來(lái)越脆弱。當(dāng)積成電路線寬越變?cè)叫?，可影響硅片良率的粒子也越?lái)越小，而顆粒越小越難清洗。在芯片上如何避免微結(jié)構(gòu)損傷也是一個(gè)很具挑戰(zhàn)的難題，這就造成了芯片良率控制的窗口越來(lái)越小。

　　盛美半導(dǎo)體設(shè)備公司的創(chuàng)始人、首席執(zhí)行官王暉博士說(shuō)：“雖然工業(yè)界一直期盼兆聲波清洗技術(shù)成為半導(dǎo)體關(guān)鍵性清洗難題的解決方案，然而還沒(méi)有任何一家公司可以均勻地控制兆聲波在硅片上的能量分布。盛美的Ultra C單片清洗設(shè)備是第一臺(tái)能精確控制兆聲波能量均勻度的設(shè)備，使用超純凈水在不損傷微結(jié)構(gòu)的條件下顆粒去除效率(PRE)可達(dá)到98.3%;如果使用SC1化學(xué)清洗液顆粒去除效率(PRE)可高達(dá)99.2%”

　　盛美獨(dú)有的自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)技術(shù)，“SAPS” 可以控制兆聲波能量在硅片面內(nèi)以及硅片到硅片之間的非均勻度都小于2%。而目前在市面上的單片兆聲波清洗設(shè)備只能控制兆聲波能量非均勻度在10-20%。