2009年4月8日，北京訊，日前，賽普拉斯半導(dǎo)體公司宣布推出了一款低功耗 SRAM 和兩款快速異步 SRAM，進(jìn)一步豐富了其業(yè)界領(lǐng)先的產(chǎn)品系列。新型的 64 兆比特 (Mbit) MoBL® (More Battery Life™) SRAM 是市場(chǎng)上密度最大的低功耗 SRAM，旨在延長(zhǎng)高端銷售點(diǎn)終端、游戲應(yīng)用、VoIP 電話、手持消費(fèi)和醫(yī)療設(shè)備等應(yīng)用的電池工作時(shí)間。新推出的 3 兆比特和6兆比特快速異步 SRAM 與 24 位寬的處理器相連接，能充分滿足音頻處理、無(wú)線和網(wǎng)絡(luò)等應(yīng)用的需求。

　　賽普拉斯是快速異步和低功耗 SRAM 領(lǐng)域的業(yè)界領(lǐng)先企業(yè)，旗下的產(chǎn)品系列從 4 千比特 (Kbits)至 32 兆比特以及 64 千比特至64兆比特等應(yīng)有盡有。CY62187EV30LL 64兆比特3V MoBL SRAM 提供 4M x 16 配置，通常的超低待機(jī)電流僅為 8 uA，存取時(shí)間僅為55-ns (taa)。其采用符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)的 48-BGA 封裝，體積為 8.0 x 9.5 x 1.4 mm，是同等密度水平下同類產(chǎn)品中最小的封裝。

　　CY7C1024DV33 3兆比特 3.3V SRAM 提供 128K x 24 配置，CY7C1034DV33 6兆比特 3.3V SRAM 提供 256K x 24 配置。這兩款產(chǎn)品的存取時(shí)間都為 10-ns，采用符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)的 119-BGA 封裝。異步 SRAM 是采用賽普拉斯高性能 90 納米 C9™ CMOS 工藝技術(shù)制造的。

　　賽普拉斯異步存儲(chǔ)器業(yè)務(wù)部的副總裁 Badri Kothandaraman 指出：“賽普拉斯不斷投資于異步SRAM 領(lǐng)域，這體現(xiàn)了我們多年來(lái)對(duì) SRAM 市場(chǎng)的長(zhǎng)期重視。我們決心推出滿足多種應(yīng)用需求的新產(chǎn)品，從而不斷加強(qiáng)自身在 SRAM 市場(chǎng)領(lǐng)域中的領(lǐng)先地位。”