恩智浦半導體(NXP Semiconductors，由飛利浦創(chuàng)立的獨立半導體公司)今日宣布推出全球首款N通道、1毫歐以下25V MOSFET產(chǎn)品，型號為PSMN1R2-25YL，它擁有最低的導通電阻RDSon以及一流的FOM 參數(shù)。該產(chǎn)品是迄今為止采用Power-SO8封裝(無損耗封裝：LFPAK)中擁有最低導通電阻RDSon的MOSFET，也是恩智浦現(xiàn)有MOSFET系列的延伸。最新一代MOSFET器件集高性能Power-S08 LFPAK封裝與最新Trench 6硅技術(shù)于一體，可在各種嚴苛應(yīng)用條件下提供諸多性能及可靠性優(yōu)勢，如電源OR-ring、電機控制和高效同步降壓器等。

　　恩智浦資深國際市場產(chǎn)品經(jīng)理John David Hughes先生表示：“在MOSFET制造技術(shù)領(lǐng)域，改善性能是一場曠日持久的競賽。我們在新Trench 6工藝中采用創(chuàng)新技術(shù)，進一步減小了導通電阻。對客戶而言，這一新的Trench技術(shù)為他們帶來許多優(yōu)勢，例如：提高的硅技術(shù)開關(guān)效率、出色的電阻和熱阻封裝性能。恩智浦Power-S08 (LFPAK) 封裝與廣為使用的Power SO-8 PCB封裝相兼容。”

　　領(lǐng)先全球的恩智浦Trench 6 MOSFET PSMN1R2–25YL，采用Power-S08 (LFPAK)封裝時25 V MOSFET的RDSon是0.9毫歐(典型值)，30 V MOSFET的RDSon達到1.0毫歐(典型值)。

　　除了全球最低RDSon MOSFET之外，恩智浦還宣布推出面向電源、電機控制和工業(yè)市場的新產(chǎn)品系列。該系列產(chǎn)品的工作電壓為25 V、30 V、40 V和80 V，采用Power-S08 (LFPAK)和TO220封裝。