7月21日三星電子宣布已經(jīng)開(kāi)始量產(chǎn)40納米2Gb DDR3 Dram。這是該級(jí)別產(chǎn)品全世界首次進(jìn)入量產(chǎn)。同時(shí)該產(chǎn)品比去年九月量產(chǎn)的50納米產(chǎn)品擁有更高的量產(chǎn)性。

　　據(jù)悉，繼2008年9月三星電子在業(yè)內(nèi)首次量產(chǎn)50納米DDR3 Dram之后，該公司又于2009年1月首次開(kāi)發(fā)出40納米2Gb DDR3 Dram并于本月首次投入量產(chǎn)。三星電子通過(guò)不斷簡(jiǎn)化生產(chǎn)工藝縮短生產(chǎn)時(shí)間，極大地提高了生產(chǎn)效率和成本競(jìng)爭(zhēng)力。

　　三星電子表示，新一代量產(chǎn)的40納米產(chǎn)品擁有更高的科技水平和環(huán)保型解決方案從而將獲得比50納米產(chǎn)品更高的市場(chǎng)評(píng)價(jià)。同時(shí)為了進(jìn)一步擴(kuò)展DDR3內(nèi)存的市場(chǎng)，三星電子今后將針對(duì)區(qū)域服務(wù)器(16G或8G內(nèi)存)、小型服務(wù)器及個(gè)人臺(tái)式機(jī)(4G內(nèi)存)、筆記本電腦(4G內(nèi)存)等提供更高效的內(nèi)存產(chǎn)品。

　　半導(dǎo)體市場(chǎng)調(diào)查機(jī)構(gòu)I supply提供的數(shù)據(jù)表明DDR3產(chǎn)品將從目前占整體Dram市場(chǎng)的20%增長(zhǎng)到2012年的82%。2G DDR3產(chǎn)品將從目前占整體DDR3市場(chǎng)的5%發(fā)展到2012年82%。而作為以生產(chǎn)Dram產(chǎn)品著稱(chēng)的全球第二大半導(dǎo)體廠商，三星電子正是依靠在業(yè)內(nèi)不斷率先開(kāi)發(fā)新一代更高容量和性能的Dram產(chǎn)品，確保了其在內(nèi)存市場(chǎng)的主導(dǎo)地位。