近日,由揚(yáng)州大學(xué)物理學(xué)院承擔(dān)的江蘇省科技攻關(guān)項(xiàng)目大功率高亮度LED芯片取得重要進(jìn)展,首批試制樣品已上線接受1000小時(shí)的性能測試.這款由我國自主研發(fā)的新光源芯片,將用于替代國外同類產(chǎn)品.

　　據(jù)了解,LED是目前世界各國加緊開發(fā)的節(jié)能光源產(chǎn)品,用于替代傳統(tǒng)的電力光源,芯片則是LED的“大腦”.但目前國產(chǎn)LED芯片在壽命、亮度、性價(jià)比等方面均弱于進(jìn)口芯片,從而造成最終產(chǎn)品成本高,難以在一般消費(fèi)者中普及,且高端產(chǎn)品的芯片需依賴進(jìn)口.

　　據(jù)課題負(fù)責(zé)人揚(yáng)大物理學(xué)院曾祥華教授介紹,由該院光電研究中心 10名科研人員組成的研究團(tuán)隊(duì),與揚(yáng)州華夏光電聯(lián)合開展校企合作,對國產(chǎn)芯片的結(jié)構(gòu)進(jìn)行重新設(shè)計(jì),著力解決發(fā)熱量大、衰減快等穩(wěn)定性問題,以提高其使用壽命.曾祥華表示,目前首批新型芯片樣品已經(jīng)試制成功,并已經(jīng)獲得三項(xiàng)國家專利,經(jīng)過1000小時(shí)連續(xù)帶電測試后,研究人員還將對細(xì)節(jié)進(jìn)行改進(jìn),新芯片的穩(wěn)定使用壽命約能提高到5萬小時(shí)以上.據(jù)悉,新芯片因由我國自主研發(fā),這將大大縮減LED制造成本,最終可用于替代進(jìn)口芯片.