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          英飛凌攜手三菱電機服務全球功率電子行業(yè)
          
                                                            
            
                    	
          • 　　英飛凌科技股份公司與三菱電機公司同意簽署一份服務協(xié)議，針對全球工業(yè)運動控制與驅動市場，提供采用SmartPACK和SmartPIM封裝的先進的IGBT模塊。利用英飛凌新近開發(fā)的這種革命性封裝概念，兩大領導廠商將會采用最新功率芯片推出新一代模塊產(chǎn)品。
　　根據(jù)協(xié)議規(guī)定，三菱電機將新一代功率芯片，應用與英飛凌Smart1、Smart2和Smart3封裝中，推出的具備不同額定電流和電壓(電流范圍：15A 至150A，電壓等級：600V和1200V)的產(chǎn)品。作為SmartPACK/PIM全新模塊概念的創(chuàng)造者
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          • 關鍵字：
                        英飛凌  IGBT  SmartPACK  SmartPIM                          
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          汽車級IGBT在混合動力車中的應用
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 混合動力車電力驅動的關鍵組件是電機和電機驅動器，IGBT作為電機驅動器的核心，它的可靠性關系著混合動力車輛的安全運行，本文主要針對IGBT模塊應用于汽車領域，所涉及的可靠性相關問題進行了探討，提出了汽車級IGBT概念，并詳細說明了英飛凌汽車級IGBT針對汽車應用做出的改進。

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          • 關鍵字：
                        英飛凌  IGBT  可靠性  功率循環(huán)  溫度循環(huán)  201003                          
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          RS推出1200種三洋半導體產(chǎn)品
          
                                                            
            
                    	
          • 　　國際著名電子、電機和工業(yè)產(chǎn)品分銷商RS Components于今日宣布，通過其在線目錄RS Online(RS在線：http://www.rs-components.com)渠道推出三洋(SANYO)半導體公司的1200類半導體產(chǎn)品。
　　此次推出的產(chǎn)品中，除了有采用三洋半導體獨自技術達成的用于電源電池管理的MOSFET系列(具有業(yè)界最高水準的低導通電阻特性, 并實現(xiàn)了小型薄型大功率), 低壓驅動閃光用IGBT產(chǎn)品以外，還包括低飽和電壓,射頻用各種雙極晶體管產(chǎn)品。 通過驅使獨自的核心技術, 三洋在多
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          • 關鍵字：
                        RS  MOSFET  IGBT                          
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          迎接太陽光伏能源的嶄新黎明
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 在新系統(tǒng)架構、控制方法和器件設計中的持續(xù)創(chuàng)新使得太陽能的利用效率更高。這些進步包括從全球政府部門對清潔能源的有力推動，使太陽能利用的前途真正變得光明。
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          • 關鍵字：
                        趨勢  采用  發(fā)展  結構  器件  IGBT                          
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          RS添加超過900種飛兆半導體裝置
          
                                                            
            
                    	
          • 　　RS Components于今日宣布，增加飛兆半導體900種新裝置，飛兆是全球領先節(jié)能半導體技術供應商。RS目前擁有最先進、最全面的飛兆電源產(chǎn)品系列，均可從庫存直接發(fā)貨至廣大設計工程師。
　　新添加的電源IC家族包括飛兆獲得大獎的直流直流控制器，融合了領先行業(yè)的便攜式裝置高功率、高性能、功率密度和規(guī)格等特點。RS推出的飛兆系列也包括Intellimax™負荷開關和MOSFET、高性能光耦合器、二極管、IGBT、邏輯及接口產(chǎn)品。
　　飛兆的FAN2XXX和FAN5XXX直流直流控制器家族
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          • 關鍵字：
                        RS  電源  IGBT  MOSFET  Intellimax                          
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          英飛凌推出適用于節(jié)能家電的創(chuàng)新功率轉換器件
          
                                                            
            
                    	
          • 　　英飛凌科技股份公司近日推出適用于節(jié)能家用電器電機驅動裝置的功率轉換器件系列。全新的600V RC IGBT驅動系列(RC指逆向導通)，可使變頻電機設計更加經(jīng)濟高效，從而確保采用多個電機的家電實現(xiàn)高達30%的節(jié)能。
　　洗衣機、冰箱、空調和洗碗機等家電使用的變頻電機驅動裝置，采用電子控制裝置和一個開關電源，以便在不同使用條件下，達到最佳能效。RC IGBT(絕緣柵雙極晶體管)驅動系列將英飛凌行業(yè)領先的TRENCHSTOP™ IGBT技術和續(xù)流二極管集成在單晶粒上，確保器件相對于競爭性解決方
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          • 關鍵字：
                        英飛凌  功率轉換器  IGBT  TRENCHSTOP                          
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          慕尼黑上海電子展唱響電力電子技術應用主旋律
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　針對不久前結束的哥本哈根會議，中國政府出臺了具體的量化政策，“到2020年我國單位GDP二氧化碳排放比2005年下降40%—45%”。同時，2010年是“十一五”的最后一年，單位GDP能耗降低20%的目標也需要實現(xiàn)。在“節(jié)能減排”政策的量化、“十一五”的最后沖刺加上可再生新能源應用不斷發(fā)展、智能電網(wǎng)的持續(xù)建設、混合動力和電動汽車市場的刺激等若干利好因素的共同作用下， 2010年將成為電力電子行業(yè)
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          • 關鍵字：
                        慕尼黑上海電子展  可再生能源  IGBT                          
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          優(yōu)化高電壓IGBT造就高效率太陽能逆變器
          
                                                            
            
                    	
          • 隨著綠色電力運動勢頭不減，包括家電、照明和電動工具等應用，以至其他工業(yè)用設備都在盡可能地利用太陽能的優(yōu)點。為了有效地滿足這些產(chǎn)品的需求，電源設計師正通過最少數(shù)量的器件、高度可靠性和耐用性，以高效率把太陽能源轉換成所需的交流或者直流電壓。
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          • 關鍵字：
                        太陽能  逆變器  高效率  造就  電壓  IGBT  優(yōu)化                          
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          英飛凌和飛兆半導體達成侵權訴訟和解協(xié)議
          
                                                            
            
                    	
          • 　　英飛凌科技股份公司今天宣布，公司與飛兆半導體公司之間的專利侵權訴訟已達成和解。2008年11月，英飛凌向美國特拉華州地方法院提起訴訟。本訴和反訴標的包括與超結功率晶體管以及溝槽式功率 MOSFET和IGBT功率晶體管有關的14項專利。
　　通過廣泛的半導體技術專利交叉許可，雙方就上述訴訟達成和解。根據(jù)和解協(xié)議，飛兆半導體將向英飛凌支付許可費，但協(xié)議的具體條款和條件保密。
　　英飛凌和飛兆半導體將通知美國特拉華州地方法院，雙方已經(jīng)達成和解，并將申請撤訴。
　　作為半導體行業(yè)的全球領袖，英飛凌目前正
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          • 關鍵字：
                        英飛凌  MOSFET  IGBT                          
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          IGBT核心技術及人才缺失 工藝技術缺乏
          
                                                            
            
                    	
          • 　　新型電力半導體器件的代表，IGBT的產(chǎn)業(yè)化在我國還屬空白。無論技術、設備還是人才，我國都處于全方位的落后狀態(tài)。應當認識到，電力半導體器件和集成電路在國民經(jīng)濟發(fā)展中地位同樣重要，因此，政府應該對IGBT產(chǎn)業(yè)予以大力扶持。
　　眾所周知，電力電子技術可以提高用電效率，改善用電質量，是節(jié)省能源的王牌技術。當今以絕緣柵雙極晶體管(IGBT)為代表的新型電力半導體器件是高頻電力電子線路和控制系統(tǒng)的核心開關元器件，它的性能參數(shù)將直接決定著電力電子系統(tǒng)的效率和可靠性。IGBT已成為新型電力半導體器件的代表性器件，
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          • 關鍵字：
                        器件  IGBT  封裝  測試  MOSFET                          
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          寧波比亞迪半導體虧損調查：生產(chǎn)線可稱老古董
          
                                                            
            
                    	
          • 　　這是一個結果尚不明朗的賭注，巴菲特和王傳福站在一邊，巴菲特已經(jīng)賭贏了，但是王傳福暫時還沒有。
　　初冬的傍晚天黑得早，寧波北侖港保稅港區(qū)的比亞迪(73.4,-0.70,-0.95%,經(jīng)濟通實時行情)寧波半導體公司(原寧波中緯)依舊冒著騰騰的熱氣，公司墻上貼滿了新員工的名字，由于人數(shù)眾多，許多人還來不及辦理入廠證件。大批身穿比亞迪廠服的員工走出工廠大門，投入茫茫夜色，這里有許多來自深圳的年輕工程師，他們正試圖適應在寧波度過的第一個寒冷冬天。
　　這些員工身上，承載著王傳福的野心和夢想。“
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          • 關鍵字：
                        比亞迪  IGBT                          
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          功率半導體充當節(jié)能先鋒 中國企業(yè)加快步伐
          
                                                            
            
                    	
          • 　　過去，人們常把集成電路比作電子系統(tǒng)的大腦，而把功率半導體器件比作四肢，因為集成電路的作用是接受和處理信息，而功率器件則根據(jù)這些信息指令產(chǎn)生控制功率，去驅動相關電機進行所需的工作。如今，新型功率半導體器件如MOSFET(金屬-氧化物-半導體場效應晶體管)、IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)及功率集成電路應用逐漸普及，其為信息系統(tǒng)提供電源的功能也越來越引人注目。功率半導體器件在電子系統(tǒng)中的地位已不僅限于“四肢”，而是為整個系統(tǒng)“供血”的“心臟&rdq
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          • 關鍵字：
                        功率半導體  MOSFET  IGBT                          
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          關于IGBT導通延遲時間的精確測量方法
          
                                                            
            
                    	
          • IGBT以其輸入阻抗高，開關速度快，通態(tài)壓降低等特性已成為當今功率半導體器件的主流器件，但在它的使用過程中，精確測量導通延遲時間，目前還存在不少困難。在介紹時間測量芯片TDC-GP2的主要功能和特性的基礎上，利用其優(yōu)良的特性，設計一套高精度的IGBT導通延遲時間的測量系統(tǒng)，所測時間間隔通過液晶顯示器直接讀取，是一套較為理想的測量方案。
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          • 關鍵字：
                        IGBT  導通  精確測量  方法                            
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           igbt介紹
          
      			
          
		      	
          
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