三菱電機(jī)投資研發(fā)第四代半導(dǎo)體——氧化鎵
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3月26日，在三菱電機(jī)舉辦的主題為可持續(xù)發(fā)展倡議在線會(huì)議上，三菱電機(jī)宣布將對(duì)有望成為下一代半導(dǎo)體的氧化鎵（Ga2O3）進(jìn)行投資研發(fā)。與主要用于電動(dòng)汽車（xEV）的碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體相比，三菱電機(jī)稱這一布局是“為擴(kuò)大更高電壓的市場(chǎng)”。
source：三菱電機(jī)三菱電機(jī)表示，2024年~2030年，公司將投入約9000億日元（折合人民幣約430億元）用于碳化硅、氧化鎵等下一代功率半導(dǎo)體、材料和產(chǎn)品的回收利用、可再生能源等綠色領(lǐng)域的研發(fā)。據(jù)了解，2023年7月，該公司宣布已投資Novel Crystal Technology（NCT），后者是一家生產(chǎn)用于功率半導(dǎo)體的氧化鎵襯底和外延片的公司。三菱電機(jī)的功率半導(dǎo)體設(shè)計(jì)和制造技術(shù)將與NCT的氧化鎵晶圓技術(shù)相結(jié)合。在這次會(huì)議上，三菱電機(jī)明確表示將投資并開始全面研發(fā)氧化鎵功率半導(dǎo)體。與碳化硅和氮化鎵（GaN）相比，氧化鎵具有更高的帶隙能量，在電力基礎(chǔ)設(shè)施、可再生能源和鐵路等需要特別高耐壓的應(yīng)用中很有前途。三菱電機(jī)還在努力增加用于器件制造的碳化硅襯底的尺寸。2023年5月，公司宣布將與美國相干（Coherent）公司共同開發(fā)尺寸為8英寸（200mm）的碳化硅襯底。在這次發(fā)布會(huì)上，三菱電機(jī)總裁Kei Urushima表示，聯(lián)合開發(fā)將以"從Coherent接收襯底，采用我們的技術(shù)，然后將其返還給Coherent"的形式進(jìn)行。近年來三菱電機(jī)一直在向Coherent采購6英寸（150mm）碳化硅襯底。2023年10月，三菱電機(jī)和電裝公司宣布將共同向從Coherent分拆出來的碳化硅業(yè)務(wù)公司各投資5億美元，總計(jì)10億美元（折合人民幣約72億元）。來源：半導(dǎo)體在線
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