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          產綜研聯合東京大學研制出采用強電介質NAND閃存單元

          •   日本產業(yè)技術綜合研究所(產綜研)與東京大學,聯合研制出了采用強電介質柵極電場效應晶體管(Ferroelectric gate field-effect transistor:FeFET)的NAND閃存存儲單元。可擦寫1億次以上,寫入電壓為6V以下。而此前的NAND閃存存儲單元只能擦寫1萬次,且寫入電壓為20V。以往的NAND閃存只能微細化到30nm左右,而此次的存儲單元技術還可以支持將來的20nm和10nm工藝技術。     此次,通過調整p型Si底板溝道中所注入雜質的條件,使NAND
          • 關鍵字: FeFET  NAND閃存  東京大學  產綜研  

          產綜研分離金屬性與半導體性碳納米管

          •  日本產業(yè)技術綜合研究所日前提出了在單層碳納米管(SWCNT)中有選擇地分離金屬性SWCNT和半導體性SWCNT的方法。    首先在雙氧水中對金屬性SWCNT和半導體性SWCNT混合而成的市售SWCNT(金屬性SWCNT占1/3)進行熱處理,利用半導體性SWCNT先于金屬性SWCNT發(fā)生氧化和燃料的原理,成功地將金屬性SWCNT的含量濃縮到了80%。金屬性SWCNT有望作為透明電極材料取代ITO(銦錫氧化物)。另外,由于有望能夠對SWCNT結構進行有選擇地控制,因此將來通過有選擇地提取半導體性
          • 關鍵字: 半導體性  產綜研  金屬性  嵌入式系統(tǒng)  碳納米管  
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          產綜研介紹

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