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FeFET 陣列可在電池供電設備中實現(xiàn)同態(tài)加密
- 在數(shù)據(jù)作為商品買賣的時代，真正的隱私是罕見的。但是同態(tài)加密可以完全保護您的數(shù)據(jù)，因此任何人，甚至是用于處理它的服務器，都無法讀取您的信息。它的工作原理是這樣的：設備對數(shù)據(jù)進行加密，將其發(fā)送出去進行處理，對加密數(shù)據(jù)進行計算，然后在返回時解密數(shù)據(jù)。數(shù)學上復雜的過程可確保您處理的數(shù)據(jù)可以在最后解密，而任何人都無法在中間對其進行解碼。然而，實現(xiàn)同態(tài)加密的基礎數(shù)學所需的計算能力對于目前的物聯(lián)網(wǎng)來說太過分了。位于中國北京的北京大學的一個工程師團隊旨在改變這種狀況。他們的新器件使用鐵電場效應晶體管 （FeFET）&nb
- 關鍵字： FeFET 陣列 電池供電設備 同態(tài)加密 鐵電設備 IoT
產(chǎn)綜研聯(lián)合東京大學研制出采用強電介質(zhì)NAND閃存單元
- 日本產(chǎn)業(yè)技術綜合研究所（產(chǎn)綜研）與東京大學，聯(lián)合研制出了采用強電介質(zhì)柵極電場效應晶體管（Ferroelectric gate field-effect transistor：FeFET）的NAND閃存存儲單元。可擦寫1億次以上，寫入電壓為6V以下。而此前的NAND閃存存儲單元只能擦寫1萬次，且寫入電壓為20V。以往的NAND閃存只能微細化到30nm左右，而此次的存儲單元技術還可以支持將來的20nm和10nm工藝技術。 此次，通過調(diào)整p型Si底板溝道中所注入雜質(zhì)的條件，使NAND
- 關鍵字： FeFET NAND閃存 東京大學 產(chǎn)綜研
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