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日本知名半導(dǎo)體制造商羅姆設(shè)立“浙江大學(xué)羅姆獎學(xué)金”
- 12月28日下午，日本知名半導(dǎo)體制造商羅姆(ROHM)株式會社在浙江大學(xué)永謙活動中心對浙江大學(xué)信息與電子工程學(xué)系及光電學(xué)系的10名大學(xué)生及碩士研究生頒發(fā)了“浙江大學(xué)羅姆獎學(xué)金”。同時，浙江大學(xué)授予羅姆(ROHM)株式會社常務(wù)董事高須秀視客座教授稱號。此次是浙大光電系首次聘請非教育家日本人為客座教授。羅姆(ROHM)集團表示今后繼續(xù)加強與浙江大學(xué)的合作，擴大對優(yōu)秀學(xué)子的支援。 據(jù)悉，羅姆(ROHM)集團于今年8月30日與浙江大學(xué)簽訂“浙江大學(xué)羅姆獎學(xué)金制度&rd
- 關(guān)鍵字： ROHM 半導(dǎo)體 大學(xué)
Fabless將繼續(xù)推動產(chǎn)業(yè)進步
- Fabless模式創(chuàng)建于10多年之前。全球半導(dǎo)體聯(lián)盟GSA的總裁Jodi Shelton再次表示Fabless公司將更多的呈現(xiàn)，成長與繁榮。本文將匯總Fabless模式取得的成就。 從1994年開始由一批產(chǎn)業(yè)的精英成立Fabless半導(dǎo)體協(xié)會，F(xiàn)SA。目的為了在Fabless與它的合作伙伴之間提供一個平臺，創(chuàng)造一個更利于產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新的環(huán)境。它們相信Fabless模式具生命力，而且可持續(xù)的增長。
- 關(guān)鍵字： Fabless 半導(dǎo)體
安智電子材料與IBM共同開發(fā)新世代微影技術(shù)
- 在半導(dǎo)體和平面顯示器產(chǎn)業(yè)居領(lǐng)導(dǎo)地位的主要電子化學(xué)品供應(yīng)商安智(AZ)電子材料(倫敦股票交易所：AZEM)與IBM簽署了一項協(xié)議(紐約證券交易所：IBM)開發(fā)新世代的微影技術(shù)。安智將與IBM-Almaden研究中心的材料研發(fā)團隊共同開發(fā)一種以塊狀聚合物為基礎(chǔ)的材料，可以應(yīng)用在與傳統(tǒng)的微影及半導(dǎo)體制程設(shè)備相容的定向自組裝(Directed Self-Assembly, DSA)制程。
- 關(guān)鍵字： 安智 半導(dǎo)體
半導(dǎo)體 介紹
semiconductor
電阻率介于金屬和絕緣體之間并有負(fù)的電阻溫度系數(shù)的物質(zhì)。半導(dǎo)體室溫時電阻率約在10-5～107歐·米之間，溫度升高時電阻率指數(shù)則減小。半導(dǎo)體材料很多，按化學(xué)成分可分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類。鍺和硅是最常用的元素半導(dǎo)體；化合物半導(dǎo)體包括Ⅲ-Ⅴ 族化合物（砷化鎵、磷化鎵等）、Ⅱ-Ⅵ族化合物( 硫化鎘、硫化鋅等)、氧化物(錳、鉻、鐵、銅的氧化物), [ 查看詳細(xì) ]
半導(dǎo)體 電路
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