半導(dǎo)體材料 文章 進(jìn)入半導(dǎo)體材料技術(shù)社區(qū)
電子元件：半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在波動(dòng)中保持增長(zhǎng)
- 全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)向亞太轉(zhuǎn)移，我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)融入全球產(chǎn)業(yè)鏈 全球半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模06年達(dá)到247.7億美元。主要應(yīng)用領(lǐng)域包括計(jì)算機(jī)、消費(fèi)電子、通信等。在電子制造業(yè)轉(zhuǎn)移和成本差異等因素的作用下，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)向亞太地區(qū)轉(zhuǎn)移趨勢(shì)明顯。我國(guó)內(nèi)地半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展滯后于先進(jìn)國(guó)家，內(nèi)地企業(yè)多位于全球產(chǎn)業(yè)鏈的中下游環(huán)節(jié)。我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)成為全球產(chǎn)業(yè)鏈的組成部分，產(chǎn)量和產(chǎn)值提高迅速，但是產(chǎn)品技術(shù)含量和附加值偏低。 2007年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)大幅波動(dòng)，長(zhǎng)遠(yuǎn)發(fā)展前景良好 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的硅周期難以消除。200
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中國(guó)無晶圓廠半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)未來五年持續(xù)增長(zhǎng)
- 中國(guó)無晶圓廠半導(dǎo)體設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)在未來五年將持續(xù)保持高速增長(zhǎng)，從2007年的28億美元達(dá)到2011年的103億美元，年復(fù)合增長(zhǎng)率將達(dá)到38.6%。與過去只靠傳統(tǒng)前十名公司獨(dú)撐門面相比，未來五年中國(guó)的二線設(shè)計(jì)公司在收入和市場(chǎng)定位上將會(huì)有積極的表現(xiàn)，推動(dòng)整個(gè)產(chǎn)業(yè)的高速發(fā)展，而2007年也將成為中國(guó)二線無晶圓廠半導(dǎo)體設(shè)計(jì)公司的里程碑年。 據(jù)iSuppli調(diào)查，2006年中國(guó)全行業(yè)總收入達(dá)到19.6億美元，第一次有七家設(shè)計(jì)公司收入超過了1億美元這個(gè)具有重要意義
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8月全球半導(dǎo)體銷售收入增長(zhǎng)4.5% 達(dá)216億美元
- 半導(dǎo)體工業(yè)協(xié)會(huì)（SIA）公布最新報(bào)告稱，今年八月份全球半導(dǎo)體的銷售收入比去年同期增長(zhǎng)了4.5%達(dá)到216億美元，去年八月份的銷售收入為206億美元；比今年七月份增長(zhǎng)了4.9%，七月份的收入為205億美元。 SIA表示，NAND閃存芯片供應(yīng)緊張和價(jià)格上揚(yáng)推動(dòng)了全球半導(dǎo)體收入的增長(zhǎng)。八月份全球NAND閃存芯片的銷售比去年同期增長(zhǎng)了48%，比今年七月份增長(zhǎng)了19%。 SIA總裁George Scalise表示，在八月份全球半導(dǎo)體的銷售中，正常季節(jié)銷售模式導(dǎo)致比七月份增長(zhǎng)
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半導(dǎo)體分立器件未來的三大發(fā)展趨勢(shì)
- 信息產(chǎn)業(yè)數(shù)字化、智能化、網(wǎng)絡(luò)化的不斷推進(jìn)，新材料(如GaN、AlN、SiC、SiGe、銻化物、金剛石、有機(jī)材料等)和新技術(shù)(如微納米、MEMS、碳納米管等)的不斷涌現(xiàn)，都將對(duì)半導(dǎo)體分立器件未來的發(fā)展產(chǎn)生深遠(yuǎn)的影響，將會(huì)從不同的側(cè)面促進(jìn)半導(dǎo)體分立器件向高頻、寬帶、高速、低噪聲、大功率、大電流、高線性、大動(dòng)態(tài)范圍、高效率、高亮度、高靈敏度、低功耗、低成本、高可靠、微小型等方面快速發(fā)展。 半導(dǎo)體分立器件未來的發(fā)展將會(huì)呈現(xiàn)以下幾個(gè)特點(diǎn)： 1.新型半導(dǎo)體分立器件將不斷呈現(xiàn)，在替代原有市場(chǎng)應(yīng)用的同時(shí)，
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全球半導(dǎo)體行業(yè)繼續(xù)在低谷徘徊
- 7月全球半導(dǎo)體行業(yè)銷售額為206億美元，同比增長(zhǎng)2.2％，比6月份增長(zhǎng)速度加快了1.3個(gè)百分點(diǎn)；環(huán)比增長(zhǎng)3.2％，比6月環(huán)比增長(zhǎng)速度加快了4.9個(gè)百分點(diǎn)。雖然7月行業(yè)運(yùn)行情況好于6月份，但從整體來看行業(yè)繼續(xù)在低谷徘徊，行業(yè)在旺季來臨的復(fù)蘇情況還需要后續(xù)數(shù)據(jù)的印證。 國(guó)內(nèi)電子制造業(yè)繼續(xù)保持3月份以來的平緩增長(zhǎng)趨勢(shì) 1－7月國(guó)內(nèi)電子制造業(yè)實(shí)現(xiàn)銷售收入2.28萬億元，同比增長(zhǎng)18.2％，比1－6月的增長(zhǎng)速度加快了0.6個(gè)并百分點(diǎn)，繼續(xù)保持著3月份以來逐月微幅平穩(wěn)增長(zhǎng)的上升趨勢(shì)。預(yù)計(jì)隨著下半年銷售旺季的來臨，國(guó)內(nèi)
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各國(guó)半導(dǎo)體型號(hào)命名方法
- 一、中國(guó)半導(dǎo)體器件型號(hào)命名方法半導(dǎo)體器件型號(hào)由五部分（場(chǎng)效應(yīng)器件、半導(dǎo)體特殊器件、復(fù)合管、PIN型管、激光器件的型號(hào)命名只有第三、四、五部分）組成。五個(gè)部分意義如下： 第一部分：用數(shù)字表示半導(dǎo)體器件有效電極數(shù)目。2-二極管、3-三極管 第二部分：用漢語拼音字母表示半導(dǎo)體器件的材料和極性。表示二極管時(shí)：A-N型鍺材料、B-P型鍺材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。表示三極管時(shí)：A-PNP型鍺材料、B-NPN型鍺材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。 第三部分：用漢語拼音字母表示半導(dǎo)體器件的內(nèi)型
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國(guó)際半導(dǎo)體協(xié)會(huì)認(rèn)為臺(tái)灣將成12寸晶圓最大產(chǎn)地
- 國(guó)際半導(dǎo)體設(shè)備材料產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)(SEMI)總裁暨執(zhí)行長(zhǎng)梅耶(Stanley T. Myers)十一日表示，全球十二寸晶圓產(chǎn)出今年將再比去年成長(zhǎng)百分之五十九，明年成長(zhǎng)率也有百分之二十九。其中，臺(tái)灣將于明年首度超越韓國(guó)，成為十二寸晶圓產(chǎn)能最大的產(chǎn)地，分析師認(rèn)為，島內(nèi)日月光、硅品、力成、京元電等后段封測(cè)廠將受惠最大。 據(jù)臺(tái)灣《經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》報(bào)道，“SEMICON Taiwan 二〇〇七臺(tái)灣半導(dǎo)體設(shè)備暨材料展”十二日起在臺(tái)北世貿(mào)一館及三館一連舉行三天，今年計(jì)有超過七百五十家廠商參展，創(chuàng)近年來參展廠商最高紀(jì)錄。
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7月全球半導(dǎo)體銷售額比上月增3.2％
- 美國(guó)半導(dǎo)體工業(yè)協(xié)會(huì)(SIA)公布的結(jié)果顯示，2007年7月全球半導(dǎo)體銷售額為205億8000萬美元，比上月增長(zhǎng)3.2％（英文發(fā)布資料）。比上年同月增長(zhǎng)2.2％。 上月比和上年同月比增長(zhǎng)率僅百分之二三，但就近期的銷售額來說，已經(jīng)是“大幅”上升了。上個(gè)月之前SIA還強(qiáng)調(diào)半導(dǎo)體產(chǎn)品單價(jià)的下滑（參閱本站報(bào)道），此次則轉(zhuǎn)變了看法?！皫追N主要產(chǎn)品的單價(jià)均略有回升，使得銷售額比上月增長(zhǎng)了3.2％”（SIA）。 SIA表示，7月份微處理器的平均單價(jià)比上月增長(zhǎng)3％以上，供貨量增加了近5％。另外，NAND
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7月全球芯片銷售額達(dá)206億美元 同比增2.2%
- 9月4日消息，世界半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計(jì)協(xié)會(huì)(World Semiconductor Trade Statistics)最新統(tǒng)計(jì)結(jié)果顯示，今年7月，全球芯片三個(gè)月平均銷售額為206億美元，較上個(gè)月增長(zhǎng)3.2％，較去年同期增長(zhǎng)2.2％。 據(jù)EE Times網(wǎng)站報(bào)道，按地域劃分，美洲地區(qū)銷售額占34.7億美元，較上個(gè)月增長(zhǎng)52％，但較去年同期下降了6.2％；亞太地區(qū)同比增長(zhǎng)最為明顯，銷售額達(dá)到了99億美元，但較上個(gè)季度僅增長(zhǎng)了3.2％。 日本半導(dǎo)體7月銷售額為40億美元，較上個(gè)月增長(zhǎng)2.1％，較2
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SIA：7月全球半導(dǎo)體銷售額增長(zhǎng)2.2%至206億美元
- SIA：7月全球半導(dǎo)體銷售額增長(zhǎng)2.2%至206億美元 據(jù)路透報(bào)道，美國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)(SIA)周二稱,7月全球半導(dǎo)體銷售額增長(zhǎng)2.2%至206億美元,受惠于對(duì)消費(fèi)電子品的需求不斷上升. SIA稱,盡管今年頭幾個(gè)月業(yè)內(nèi)競(jìng)爭(zhēng)很激烈,但2007年全球半導(dǎo)體銷售額增幅有望達(dá)到1.8%的預(yù)估.
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臺(tái)灣晶圓測(cè)試吃緊 卡到半導(dǎo)體生產(chǎn)鏈
- 上游晶圓代工廠投片滿載，整合組件制造廠（IDM）又拉高晶圓測(cè)試（wafersorting）委外代工比重，臺(tái)灣四大晶圓測(cè)試廠福雷電、京元電、欣銓、臺(tái)曜電等，目前訂單能見度已排到十月，然因晶圓測(cè)試所需的晶圓探針卡（probecard）產(chǎn)能大缺，探針卡又進(jìn)入新產(chǎn)品世代交替期，供貨商如旺硅、日本MJC、美商FormFactor等拉長(zhǎng)探針卡交期，所以晶圓測(cè)試產(chǎn)能更吃緊，已成為半導(dǎo)體生產(chǎn)鏈瓶頸。 產(chǎn)能滿載訂單已排到十月 包括臺(tái)積電、聯(lián)電、世界先進(jìn)等晶圓代工廠，因LCD驅(qū)動(dòng)IC、網(wǎng)通芯片、繪圖芯片及芯片組等
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中國(guó)多晶硅產(chǎn)業(yè)發(fā)展的“喜”與“憂”
- （一）國(guó)內(nèi)多晶硅產(chǎn)業(yè)出現(xiàn)可喜發(fā)展勢(shì)頭 當(dāng)今世界是信息產(chǎn)業(yè)興旺發(fā)達(dá)的時(shí)代，電子信息技術(shù)成為各國(guó)競(jìng)爭(zhēng)的關(guān)鍵領(lǐng)域之一，而多晶硅作為信息產(chǎn)業(yè)最基礎(chǔ)的原材料，對(duì)電子信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展起著重要的作用。目前，IT產(chǎn)業(yè)的快速增長(zhǎng)，以及太陽能光伏發(fā)電產(chǎn)業(yè)的興起，給多晶硅帶來了高速增長(zhǎng)的需求：2004年，國(guó)內(nèi)多晶硅的生產(chǎn)能力僅為60噸，而市場(chǎng)需求量則是2280噸，95％以上的多晶硅需要進(jìn)口。 洛陽市有著豐富的生產(chǎn)多晶硅的原料，洛
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穩(wěn)壓二極管
- 穩(wěn)壓二極管(又叫齊納二極管)它的電路符號(hào)是:此二極管是一種直到臨界反向擊穿電壓前都具有很高電阻的半導(dǎo)體器件.在這臨界擊穿點(diǎn)上,反向電阻降低到一個(gè)很少的數(shù)值,在這個(gè)低阻區(qū)中電流增加而電壓則保持恒定,穩(wěn)壓二極管是根據(jù)擊穿電壓來分檔的,因?yàn)檫@種特性,穩(wěn)壓管主要被作為穩(wěn)壓器或電壓基準(zhǔn)元件使用.其伏安特性見圖1,穩(wěn)壓二極管可以串聯(lián)起來以便在較高的電壓上使用,通過串聯(lián)就可獲得更多的穩(wěn)定電壓. 穩(wěn)壓管的應(yīng)用: 1、浪涌保護(hù)電路(如圖2):穩(wěn)壓管在準(zhǔn)確的電壓下?lián)舸?這就使得它可作為限制或保護(hù)之元件來使用,因
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二極管的特性與應(yīng)用
- 幾乎在所有的電子電路中，都要用到半導(dǎo)體二極管，它在許多的電路中起著重要的作用，它是誕生最早的半導(dǎo)體器件之一，其應(yīng)用也非常廣泛。 二極管的工作原理 晶體二極管為一個(gè)由p型半導(dǎo)體和n型半導(dǎo)體形成的p-n結(jié)，在其界面處兩側(cè)形成空間電荷層，并建有自建電場(chǎng)。當(dāng)不存在外加電壓時(shí)，由于p-n 結(jié)兩邊載流子濃度差引起的擴(kuò)散電流和自建電場(chǎng)引起的漂移電流相等而處于電平衡狀態(tài)。 當(dāng)外界有正向電壓偏置時(shí)，外界電場(chǎng)和自建電場(chǎng)的互相抑消作用使載流子的擴(kuò)散電流增加引起了正向電流。
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DRAM價(jià)格回暖 芯片廠商股價(jià)大幅上漲
- 從國(guó)外媒體處獲悉：當(dāng)?shù)貢r(shí)間本周四，由于計(jì)算機(jī)內(nèi)存芯片價(jià)格大幅上漲，包括韓國(guó)現(xiàn)代半導(dǎo)體在內(nèi)的主要亞洲芯片生產(chǎn)商股價(jià)均呈現(xiàn)不同程度的上漲。 根據(jù)DRAMeXchange公布的數(shù)據(jù)顯示，本周三512MB DDR2內(nèi)存的現(xiàn)貨價(jià)格上漲17%，這同時(shí)也是疲軟的內(nèi)存市場(chǎng)近期出現(xiàn)的罕見的價(jià)格反彈現(xiàn)象。由于產(chǎn)量增加再加上市場(chǎng)需求低于預(yù)期，今年DRAM芯片價(jià)格大幅下滑，各大內(nèi)存芯片廠商也因此受到不同程度影響。 業(yè)內(nèi)分析人士指出，本周三內(nèi)存現(xiàn)貨價(jià)格反彈可能也只是暫時(shí)現(xiàn)象，但同時(shí)也堅(jiān)定
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半導(dǎo)體材料介紹
半導(dǎo)體材料（semiconductor material）
導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體與絕緣體之間的物質(zhì)稱為半導(dǎo)體。半導(dǎo)體材料是一類具有半導(dǎo)體性能、可用來制作半導(dǎo)體器件和集成電的電子材料，其電導(dǎo)率在10（U-3）～10（U-9）歐姆/厘米范圍內(nèi)。半導(dǎo)體材料的電學(xué)性質(zhì)對(duì)光、熱、電、磁等外界因素的變化十分敏感，在半導(dǎo)體材料中摻入少量雜質(zhì)可以控制這類材料的電導(dǎo)率。正是利用半導(dǎo)體材料的這些性質(zhì)，才制造出功能多樣 [ 查看詳細(xì) ]
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