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半導(dǎo)體
半導(dǎo)體 文章 進(jìn)入半導(dǎo)體技術(shù)社區(qū)
安森美半導(dǎo)體推出兩款新的開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器—NCP3101和NCP3102
- 安森美半導(dǎo)體推出兩款新的開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器—NCP3101和NCP3102,簡(jiǎn)化高密度應(yīng)用中的嵌入式設(shè)計(jì)。這些器件提供新的集成度,使客戶(hù)能夠以嵌入式設(shè)計(jì)替代直流-直流(DC-DC)模塊,降低系統(tǒng)成本,同時(shí)提升功率密度。 根據(jù)Darnell Group行業(yè)報(bào)告,電流在5到10安培(A)范圍的DC-DC模塊正經(jīng)歷著極大的變化和市場(chǎng)增長(zhǎng)。雖然這個(gè)電流范圍的非隔離DC-DC轉(zhuǎn)換器模塊市場(chǎng)不是在萎縮就是增速緩慢,但集成的轉(zhuǎn)換器/穩(wěn)壓器IC市場(chǎng)在2006年到2011年間預(yù)計(jì)將增長(zhǎng)16%。 器件 NCP3
- 關(guān)鍵字: 安森美 半導(dǎo)體 NCP3101 元件 制造
恩智浦為Sling Media最新的SlingCatcher機(jī)頂盒提供“芯”動(dòng)力
- 恩智浦半導(dǎo)體(NXP Semiconductors)宣布為Sling Media, Inc.提供處理技術(shù),用于其全新的下一代數(shù)字媒體產(chǎn)品SlingCatcher,使該產(chǎn)品能夠無(wú)縫地將廣播、寬帶及個(gè)人內(nèi)容傳送到電視上。 SlingCatcher采用了恩智浦的STB810 IP機(jī)頂盒解決方案,使得用戶(hù)能夠?qū)⒁曨l內(nèi)容從一臺(tái)電視上轉(zhuǎn)移到另一臺(tái)電視上——例如從一臺(tái)具有數(shù)字視頻錄像功能的電視上轉(zhuǎn)移到家中或賓館中的另一臺(tái)電視上——以及從PC或筆記本上轉(zhuǎn)移到電視上。 “消費(fèi)者長(zhǎng)期以來(lái)一直希望能夠隨時(shí)隨地地
- 關(guān)鍵字: 恩智浦 半導(dǎo)體 SlingCatcher 模擬IC
2008年中國(guó)車(chē)用傳感器市場(chǎng)需求增幅顯著
- 傳感器技術(shù)是現(xiàn)代科技的前沿技術(shù),是現(xiàn)代信息技術(shù)的三大支柱之一,其水平高低是衡量一個(gè)國(guó)家科技發(fā)展水平的重要標(biāo)志之一。傳感器產(chǎn)業(yè)也是國(guó)內(nèi)外公認(rèn)的具有發(fā)展前途的高技術(shù)產(chǎn)業(yè),它以其技術(shù)含量高、經(jīng)濟(jì)效益好、滲透能力強(qiáng)、市場(chǎng)前景廣等特點(diǎn)為世人矚目。 中國(guó)傳感器市場(chǎng)快速發(fā)展,得益于車(chē)市的快速發(fā)展。目前,一輛普通家用轎車(chē)上大約安裝幾十到近百個(gè)傳感器,而豪華轎車(chē)上的傳感器數(shù)量可多達(dá)200個(gè)。2006年,中國(guó)汽車(chē)市場(chǎng)規(guī)模突破720萬(wàn)輛,其中乘用車(chē)突破500萬(wàn)輛。2007年國(guó)內(nèi)汽車(chē)銷(xiāo)量將超過(guò)800萬(wàn)輛,車(chē)用傳感器的銷(xiāo)
- 關(guān)鍵字: 傳感器 半導(dǎo)體 傳感器 執(zhí)行器
光電器件、傳感器及分立器件迎來(lái)快速增長(zhǎng)期
- 光電器件、傳感器/激勵(lì)器(actuator)和分立器件(O-S-D)由于市場(chǎng)規(guī)模不大,容易受到市場(chǎng)忽視。但2006-2011期間,預(yù)計(jì)其年平均增長(zhǎng)率約10%,高于整體芯片市場(chǎng)9%的年均增售增長(zhǎng)預(yù)測(cè)。 自從上世紀(jì)九十年代末以來(lái),O-S-D銷(xiāo)售累積平均增長(zhǎng)率高于整體半導(dǎo)體市場(chǎng),部分原因是在“網(wǎng)絡(luò)泡沫”期間,在光纖網(wǎng)絡(luò)和高速通信方面的過(guò)度投資,這在網(wǎng)絡(luò)泡沫在2001年最終破裂。 但是,其它光電元器件產(chǎn)品仍然不斷快速出現(xiàn)。本世紀(jì)初期,手機(jī)和其它便攜式產(chǎn)品中顯示屏|顯示器件增長(zhǎng)驅(qū)動(dòng),包括攝像頭手機(jī)和
- 關(guān)鍵字: 光電元器件 傳感器 半導(dǎo)體 傳感器 執(zhí)行器
半導(dǎo)體市場(chǎng)不看淡 IC設(shè)計(jì)、封測(cè)今年展望佳
- 雖然今年開(kāi)春以來(lái),半導(dǎo)體廠股價(jià)慘跌,不過(guò)不僅上游IC設(shè)計(jì)業(yè)者對(duì)今年展望樂(lè)觀,后段封測(cè)廠也對(duì)今年?duì)I運(yùn)充滿(mǎn)信心。業(yè)者表示,由于晶圓代工廠六五奈米接單比重大增,一線封測(cè)廠如日月光、矽品等高階覆晶封測(cè)生產(chǎn)線利用率可望維持高檔;晶圓代工廠及DRAM廠今年的晶圓出貨將較去年增加一五%左右,所以晶圓測(cè)試廠京元電、欣銓、力成等營(yíng)收可望同步成長(zhǎng);至于類(lèi)比IC及消費(fèi)性IC出貨量也放大二五%以上,二線廠如超豐、菱生、矽格等已開(kāi)始增加產(chǎn)能因應(yīng)。整體來(lái)看,今年封測(cè)廠營(yíng)收平均可望較去年成長(zhǎng)一五%至二○%。 美國(guó)消費(fèi)性電子展
- 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體 IC GPS EDA IC設(shè)計(jì)
2008年:中國(guó)半導(dǎo)體市場(chǎng)增長(zhǎng)趨緩
- 對(duì)于中國(guó)的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)而言,2008年將是又一輪循環(huán)發(fā)展的新起點(diǎn)。這一年,既是中國(guó)的首個(gè)奧運(yùn)年,也是全球第一塊集成電路(IC)誕生50周年。感知事業(yè)冷暖,預(yù)言市場(chǎng)趨勢(shì),雖有著諸多不確定的變數(shù),但跟隨2007年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展腳步,仍是有跡可循。 國(guó)際市場(chǎng)將回暖? 2007年,全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)繼續(xù)疲軟。 雖然2006年底和2007年初,國(guó)內(nèi)外各大業(yè)內(nèi)機(jī)構(gòu)對(duì)2007年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)都有一個(gè)相對(duì)樂(lè)觀的預(yù)測(cè),普遍認(rèn)為2007年度全球市場(chǎng)的增長(zhǎng)率將在5%~10%之間,但根據(jù)世界半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計(jì)組織(W
- 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體 IC DRAM 半導(dǎo)體材料
我國(guó)半導(dǎo)體技術(shù)在照明革命中搶占制高點(diǎn)
- 半導(dǎo)體光源具有體積小、壽命長(zhǎng)、節(jié)能、環(huán)保和安全等特點(diǎn),用它代替白熾燈、熒光燈是人們夢(mèng)寐以求的目標(biāo)。半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)屬于光電子產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域。隨著第三代半導(dǎo)體材料氮化鎵的突破和藍(lán)、綠、白光發(fā)光二極管的問(wèn)世,半導(dǎo)體技術(shù)在引發(fā)微電子革命之后,又在孕育一場(chǎng)新的產(chǎn)業(yè)革命——照明革命。美國(guó)、日本、韓國(guó)等國(guó)家和地區(qū),近年來(lái)相繼推出半導(dǎo)體照明計(jì)劃,投入巨資進(jìn)行研發(fā)。 我國(guó)“半導(dǎo)體照明工程”重大項(xiàng)目在探索性、前沿性材料生長(zhǎng)和器件部分關(guān)鍵技術(shù)取得突破,部分核心技術(shù)突破的苗頭已經(jīng)顯現(xiàn)。 目前,國(guó)內(nèi)已首次成功生長(zhǎng)出直徑3
- 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體 二極管 照明 顯示技術(shù)
光伏產(chǎn)業(yè)帶來(lái)機(jī)會(huì) 國(guó)產(chǎn)太陽(yáng)能電池成功搶灘
- 光伏產(chǎn)業(yè)涵蓋了太陽(yáng)光能轉(zhuǎn)化為電能的一系列過(guò)程,而裝備是貫穿整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈的基礎(chǔ),光伏產(chǎn)業(yè)鏈的每一個(gè)環(huán)節(jié)都離不開(kāi)相應(yīng)的生產(chǎn)設(shè)備。目前,我國(guó)光伏裝備產(chǎn)業(yè)已具有一定的規(guī)模和水平,可為產(chǎn)業(yè)的發(fā)展提供強(qiáng)有力的支撐。隨著國(guó)家對(duì)新型可再生能源發(fā)展的重視,作為產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)支撐和中國(guó)光伏產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)利器之一的光伏裝備將隨著產(chǎn)業(yè)的發(fā)展而不斷發(fā)展壯大。 國(guó)產(chǎn)設(shè)備可部分替代進(jìn)口 正如微電子產(chǎn)業(yè)的核心是集成電路制造,太陽(yáng)能光伏產(chǎn)業(yè)鏈除前道的硅材料提純、硅片加工和后道的組件及應(yīng)用系統(tǒng)生產(chǎn)外,最核心關(guān)鍵的環(huán)節(jié)為太陽(yáng)能電池制造,它的
- 關(guān)鍵字: 微電子 集成電路 半導(dǎo)體 電源 光通信
2008國(guó)際消費(fèi)電子展上精彩不斷,恩智浦生動(dòng)演繹下一代消費(fèi)者體驗(yàn)
- 恩智浦半導(dǎo)體(NXP Semiconductors)(由飛利浦創(chuàng)建的獨(dú)立半導(dǎo)體公司) 日前參展于正在美國(guó)拉斯維加斯舉行的2008國(guó)際消費(fèi)電子展。思智浦半導(dǎo)體所展示的生動(dòng)體驗(yàn)“芯”科技讓消費(fèi)者可在家中、車(chē)上、移動(dòng)設(shè)備上獲得明亮鮮艷的畫(huà)面、清晰悅耳的聲音和輕松便捷的信息共享,盡享更美妙的感官體驗(yàn)。從組件到互聯(lián)系統(tǒng)的完整參考設(shè)計(jì),恩智浦都展示了超前的解決方案。 恩智浦將著重展示面向互聯(lián)家庭、移動(dòng)電話、汽車(chē)信息娛樂(lè)系統(tǒng)的半導(dǎo)體解決方案。此外,恩智浦高級(jí)管理人員也將發(fā)表多場(chǎng)涵蓋從個(gè)人電視到移動(dòng)設(shè)備創(chuàng)新等主
- 關(guān)鍵字: 恩智浦 半導(dǎo)體 HDTV 音視頻技術(shù)
富晶半導(dǎo)體發(fā)布12款模擬IC新產(chǎn)品
- 富晶半導(dǎo)體(FortuneSEMICONDUCTORCORPORATION,F(xiàn)SC)日前發(fā)布了包含混合信號(hào)、電源|穩(wěn)壓器管理,以及電池管理系列的12款全新產(chǎn)品,范圍涵蓋了IT產(chǎn)品、通信產(chǎn)品以及消費(fèi)性產(chǎn)品等應(yīng)用,同時(shí)強(qiáng)調(diào)已經(jīng)有能力根據(jù)客戶(hù)需求提供定制產(chǎn)品。 在混合信號(hào)(MSP)產(chǎn)品線方面,富晶這次共推出5項(xiàng)新產(chǎn)品:OTPROMMCUwith14-bitDSADCFS9821、FS9822、FS9823,以及FS9922-DMM3、FS9922-DMM4(帶模擬條數(shù)字多用電表IC)。 FS98
- 關(guān)鍵字: 富晶 半導(dǎo)體 IC 模擬IC
Gartner:08全球半導(dǎo)體設(shè)備開(kāi)支將降9.9%
- 據(jù)市場(chǎng)研究公司Gartner最新發(fā)表的研究報(bào)告稱(chēng),2008年全球半導(dǎo)體設(shè)備開(kāi)支預(yù)計(jì)將達(dá)到403億美元,比2007年的448億美元減少9.9%。 Gartner半導(dǎo)體生產(chǎn)事業(yè)部副總裁KlausRinnen稱(chēng),2007年的特點(diǎn)是DRAM內(nèi)存不顧供過(guò)于求的現(xiàn)實(shí)繼續(xù)加大投資、NAND閃存開(kāi)支增速減緩和代工廠商恢復(fù)開(kāi)支的狀況令人失望。在2008年,我們預(yù)計(jì)隨著DRAM內(nèi)存市場(chǎng)將糾正資本開(kāi)支的長(zhǎng)期錯(cuò)誤,半導(dǎo)體主要設(shè)備市場(chǎng)的開(kāi)支將減少。代工廠商開(kāi)支增長(zhǎng)速度減緩和由于擔(dān)心美國(guó)經(jīng)濟(jì)衰退而采取的謹(jǐn)慎態(tài)度都是造成20
- 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體 NAND 閃存 IC自動(dòng)測(cè)試設(shè)備 ATE
2012年全球高功率RF半導(dǎo)體市場(chǎng)達(dá)10億美元
- 據(jù)市場(chǎng)研究公司ABIResearch最新發(fā)表的研究報(bào)告稱(chēng),2012年全球高功率RF半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到接近10億美元。 ABIResearch研究經(jīng)理LanceWilson稱(chēng),這個(gè)行業(yè)未來(lái)五年的發(fā)展將取決于三個(gè)重要的問(wèn)題。在生產(chǎn)水平上,引進(jìn)氮化鎵(GaN)和碳化硅RF功率設(shè)備意味著SiLDMOS工藝的滅亡嗎?隨著移動(dòng)/3G基礎(chǔ)設(shè)施市場(chǎng)的下降,它們將繼續(xù)以前一樣推動(dòng)RF功率半導(dǎo)體行業(yè)的增長(zhǎng)嗎?無(wú)線基礎(chǔ)設(shè)施以外的分市場(chǎng)會(huì)填補(bǔ)這個(gè)市場(chǎng)的空缺嗎? 為了回答這些問(wèn)題以及其它問(wèn)題,ABIResearc
- 關(guān)鍵字: RF 半導(dǎo)體 3G RF IF
安森美半導(dǎo)體持續(xù)拓展四川合資廠
- 安森美半導(dǎo)體宣布,2008年計(jì)劃把所有封裝形式為微型表面貼裝(SOSM)的產(chǎn)品從其在馬來(lái)西亞的芙蓉廠轉(zhuǎn)移到中國(guó)四川省的合資企業(yè)樂(lè)山-菲尼克斯半導(dǎo)體有限公司,將令樂(lè)山廠年產(chǎn)能力約增15%,并將會(huì)在樂(lè)山產(chǎn)生190多個(gè)工作機(jī)會(huì)。 該計(jì)劃將分為兩個(gè)階段進(jìn)行。第一階段的設(shè)備已由專(zhuān)機(jī)從馬來(lái)西亞于1月5日抵達(dá)成都雙流機(jī)場(chǎng),完成清關(guān)手續(xù)后會(huì)被直接運(yùn)送到樂(lè)山-菲尼克斯半導(dǎo)體有限公司,隨后開(kāi)始安裝和生產(chǎn),預(yù)計(jì)1月內(nèi)可以投產(chǎn),總產(chǎn)能約為每年超過(guò)10億只芯片。而第二階段預(yù)期于2009年第一季度投入生產(chǎn),屆時(shí)總產(chǎn)能將添增
- 關(guān)鍵字: 安森美 半導(dǎo)體 SOSM 消費(fèi)電子
45納米時(shí)代來(lái)臨 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)亟待“路線圖”
- 特約嘉賓: 中國(guó)工程院院士許居衍 “十一五”重大專(zhuān)項(xiàng)專(zhuān)家組專(zhuān)家魏少軍 中國(guó)科學(xué)院微電子研究所所長(zhǎng)葉甜春 魏少軍我認(rèn)為中芯國(guó)際采取的與IBM合作的技術(shù)路線是正確的。雖然45納米技術(shù)與65納米技術(shù)從線寬上看只差一代,但它是一個(gè)關(guān)鍵節(jié)點(diǎn),技術(shù)難度將比65納米高得多,完全靠我們自主研發(fā)會(huì)需要很長(zhǎng)的時(shí)間和巨大的投入。采取國(guó)際合作可以加快這一進(jìn)程。當(dāng)然,中芯國(guó)際也不能長(zhǎng)期完全依靠引進(jìn),還是要投入資金,提升自己的技術(shù)水平,發(fā)展自身的能力。 中芯國(guó)際應(yīng)該根據(jù)國(guó)內(nèi)外市場(chǎng)的需求以及自身商業(yè)模
- 關(guān)鍵字: 45納米 半導(dǎo)體 集成電路 MCU和嵌入式微處理器
臺(tái)灣半導(dǎo)體業(yè)受惠北京奧運(yùn)全球景氣 前景看好
- 臺(tái)灣“經(jīng)濟(jì)部”電子信息組科長(zhǎng)呂正欽三日下午表示,由于2008年北京奧運(yùn)會(huì)存在著高規(guī)格轉(zhuǎn)播的要求和需求,今年全球數(shù)字電視臺(tái)整機(jī)銷(xiāo)售量、機(jī)頂盒銷(xiāo)售量都可望看俏,低價(jià)計(jì)算機(jī)有望大量增產(chǎn);微軟最新操作系統(tǒng)VISTA也可望發(fā)揮換機(jī)潮效應(yīng)。因此,今年全球半導(dǎo)體業(yè)景氣不看淡。 臺(tái)灣“經(jīng)濟(jì)部”工業(yè)局今天下午舉行臺(tái)灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)新競(jìng)爭(zhēng)力記者會(huì),呂正欽在會(huì)上發(fā)表上述看法。 呂正欽并預(yù)估去年臺(tái)灣半導(dǎo)體產(chǎn)值將逾新臺(tái)幣一點(diǎn)五兆元,較前年增長(zhǎng)7.7%。高于國(guó)際市場(chǎng)調(diào)機(jī)構(gòu)預(yù)測(cè)2007年全球IC產(chǎn)業(yè)市場(chǎng)營(yíng)收年增百分之四點(diǎn)一
- 關(guān)鍵字: IC 半導(dǎo)體 臺(tái)灣 半導(dǎo)體材料
半導(dǎo)體介紹
semiconductor
電阻率介于金屬和絕緣體之間并有負(fù)的電阻溫度系數(shù)的物質(zhì)。半導(dǎo)體室溫時(shí)電阻率約在10-5~107歐·米之間,溫度升高時(shí)電阻率指數(shù)則減小。半導(dǎo)體材料很多,按化學(xué)成分可分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類(lèi)。鍺和硅是最常用的元素半導(dǎo)體;化合物半導(dǎo)體包括Ⅲ-Ⅴ 族化合物(砷化鎵、磷化鎵等)、Ⅱ-Ⅵ族化合物( 硫化鎘、硫化鋅等)、氧化物(錳、鉻、鐵、銅的氧化物), [ 查看詳細(xì) ]
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