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          2024年度復(fù)旦大學(xué)“十大科技進(jìn)展”揭榜,半導(dǎo)體領(lǐng)域成果亮眼

          發(fā)布人:芯股嬸 時(shí)間:2025-01-09 來(lái)源:工程師 發(fā)布文章

          1月8日,在復(fù)旦大學(xué)2024年度科技工作會(huì)議上,復(fù)旦大學(xué)黨委書(shū)記裘新揭曉了2024年度復(fù)旦大學(xué)“十大科技進(jìn)展”和“十大科技進(jìn)展”提名名單。其中與集成電路相關(guān)的“新型半導(dǎo)體性光刻膠及特大規(guī)模集成度有機(jī)芯片制造”、“靈活可重構(gòu)寬帶硅基射頻收發(fā)芯片設(shè)計(jì)技術(shù)”等引起行業(yè)關(guān)注。

          《新型半導(dǎo)體性光刻膠及特大規(guī)模集成度有機(jī)芯片制造》

          在2024年度復(fù)旦大學(xué)“十大科技進(jìn)展”獲獎(jiǎng)名單中,由高分子科學(xué)系/聚合物分子工程國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室/材料科學(xué)系魏大程、張申、陳仁忠等人發(fā)布的《新型半導(dǎo)體性光刻膠及特大規(guī)模集成度有機(jī)芯片制造》提出了“全光刻有機(jī)電子技術(shù)路線(xiàn)”,突破了高集成有機(jī)芯片可靠制造瓶頸。

          團(tuán)隊(duì)發(fā)展了納米互穿網(wǎng)絡(luò)聚集態(tài)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)原理,研發(fā)了該路線(xiàn)的核心原材料“半導(dǎo)體性光刻膠”,制造出全球首款特大規(guī)模集成度聚合物半導(dǎo)體芯片,是目前聚合物半導(dǎo)體芯片的最高集成度。該芯片應(yīng)用于柔性仿生視網(wǎng)膜,具有與人眼視網(wǎng)膜相當(dāng)?shù)墓忭憫?yīng)度、像素密度和功耗以及比商用CMOS芯片更高的圖像識(shí)別準(zhǔn)確率。相關(guān)成果2024年發(fā)表于Nature Nanotechnology,并被News&Views專(zhuān)欄亮點(diǎn)報(bào)道,認(rèn)為該工作“開(kāi)發(fā)了一項(xiàng)推動(dòng)有機(jī)集成光電子學(xué)發(fā)展的晶圓級(jí)、可靠、標(biāo)準(zhǔn)化制造技術(shù)”。

          《一類(lèi)全新“明亮”偶極激子的發(fā)現(xiàn)》

          在2024年度復(fù)旦大學(xué)“十大科技進(jìn)展”提名名單中,物理學(xué)系/光電研究院的晏湖根、黃申洋、余博洋等人發(fā)表的《一類(lèi)全新“明亮”偶極激子的發(fā)現(xiàn)》發(fā)現(xiàn)全新“明亮”偶極激子,為光學(xué)觀測(cè)量子世界打開(kāi)一扇窗。研究團(tuán)隊(duì)在轉(zhuǎn)角黑磷同質(zhì)結(jié)中發(fā)現(xiàn)了一種新型偶極激子。

          這類(lèi)激子源于獨(dú)特的能帶結(jié)構(gòu),無(wú)需依賴(lài)隧穿效應(yīng)即可實(shí)現(xiàn)顯著的光吸收,突破了偶極激子與光相互作用能力弱的瓶頸問(wèn)題,同時(shí)賦予其全新的調(diào)控維度。該發(fā)現(xiàn)為探索強(qiáng)關(guān)聯(lián)態(tài)、多體量子物理和非線(xiàn)性光學(xué)等基礎(chǔ)研究提供了理想平臺(tái)。相關(guān)成果發(fā)表在Science,并獲同期Science “視角”欄目評(píng)述文章的高度評(píng)價(jià)。

          《發(fā)現(xiàn)新型三層鎳氧化物超導(dǎo)體》

          物理學(xué)系的趙俊等發(fā)表的《發(fā)現(xiàn)新型三層鎳氧化物超導(dǎo)體》則在三層鎳氧化物單晶中發(fā)現(xiàn)壓力誘導(dǎo)的塊體超導(dǎo)電性,為高溫超導(dǎo)研究提供了新的視角和平臺(tái)。尋找非銅基高溫超導(dǎo)體對(duì)揭示超導(dǎo)機(jī)理及推動(dòng)應(yīng)用至關(guān)重要。

          研究團(tuán)隊(duì)成功合成了幾乎無(wú)氧缺陷的三層鎳氧化物單晶,發(fā)現(xiàn)其在壓力下呈現(xiàn)30K超導(dǎo)電性,超導(dǎo)體積分?jǐn)?shù)超過(guò)86%,首次在鎳氧化物中實(shí)現(xiàn)了塊體超導(dǎo)電性,并揭示了其獨(dú)特的層間耦合和奇異金屬行為,為高溫超導(dǎo)研究提供了全新的視角和平臺(tái)。成果于2024年7月在Nature上發(fā)表。Nature以“超導(dǎo)探索領(lǐng)域進(jìn)一步拓寬”為題亮點(diǎn)報(bào)道。

          《靈活可重構(gòu)寬帶硅基射頻收發(fā)芯片設(shè)計(jì)技術(shù)》

          另外,在《靈活可重構(gòu)寬帶硅基射頻收發(fā)芯片設(shè)計(jì)技術(shù)》中,由微電子學(xué)院/新一代集成電路技術(shù)集成攻關(guān)大平臺(tái)/集成芯片與系統(tǒng)全國(guó)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室/嘉善復(fù)旦研究院/國(guó)家集成電路創(chuàng)新中心的閆娜、許灝、尹睿團(tuán)隊(duì)研發(fā)的高集成度靈活可重構(gòu)寬帶硅基射頻收發(fā)芯片具備工作制式、頻帶范圍、增益、信號(hào)帶寬等多維度可重構(gòu)特性,體積及成本均低于現(xiàn)有解決方案的百分之一,是國(guó)內(nèi)頻帶覆蓋范圍最寬、靈活性最強(qiáng)、集成度最高的硅基可重構(gòu)射頻收發(fā)芯片。

          融合通信、感知、計(jì)算的多功能一體化是未來(lái)通信和軍事裝備系統(tǒng)發(fā)展的必然趨勢(shì),其核心難點(diǎn)在于突破集成度和抗干擾瓶頸,完成多芯片系統(tǒng)向單芯片集成的跨越式發(fā)展。團(tuán)隊(duì)突破了多路徑電磁耦合、自適應(yīng)調(diào)諧濾波、多環(huán)路反饋抗干擾等關(guān)鍵理論,實(shí)現(xiàn)一款超寬帶高集成度可重構(gòu)射頻收發(fā)芯片,為軍民多領(lǐng)域創(chuàng)新應(yīng)用以及現(xiàn)代軍事裝備一體化、小型化、智能化提供強(qiáng)有力的技術(shù)支持。相關(guān)成果已被集成電路設(shè)計(jì)領(lǐng)域頂級(jí)會(huì)議、被譽(yù)為“芯片奧林匹克”的IEEE ISSCC及固態(tài)電路頂級(jí)期刊IEEE JSSC錄用并發(fā)表。


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