半導(dǎo)體 文章 進(jìn)入半導(dǎo)體技術(shù)社區(qū)
解碼新基建「數(shù)據(jù)中心」：半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展新支點
- 移動互聯(lián)網(wǎng)時代，數(shù)據(jù)流量不斷增加。去年，我國移動互聯(lián)網(wǎng)用戶每戶平均月流量為7.82GB，是2018年的1.69倍，企業(yè)數(shù)據(jù)也呈現(xiàn)爆發(fā)式增長。不過，目前只有不到2%的企業(yè)數(shù)據(jù)被存儲下來，其中只有10%被用于數(shù)據(jù)分析。這說明，我國數(shù)據(jù)存儲利用能力存在很大缺口。在這樣的背景下，數(shù)據(jù)中心的重要性日益凸顯。數(shù)據(jù)中心，是指集中存放大量具備計算、儲存、交互信息能力的設(shè)備，并為之提供穩(wěn)定可靠運行環(huán)境的場所。這些看似冷冰的機(jī)房里，有無數(shù)人的互聯(lián)網(wǎng)生活和記憶，各行業(yè)的海量大數(shù)據(jù)（Big Data）在這里儲存、運算、傳輸，實現(xiàn)
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美議員提議對半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)提供228億援助 臺積電或受益
- 美國兩黨議員提出一項法案，為美國半導(dǎo)體制造業(yè)提供超過228億美元的援助，旨在刺激美國芯片工廠的建立。這份提案計劃為半導(dǎo)體器械提供40%的所得稅抵免額，還將提供聯(lián)邦資金中的100億美元將作為修建工廠激勵資金，120億美元可作為研發(fā)資金。通常來說，修建芯片工廠的成本可能高達(dá)150億美元，其中大部分成本花在購買昂貴的器械上。該法案由德克薩斯州共和黨參議員科寧（John Cornyn）和弗吉尼亞州民主黨參議員沃納（Mark Warner）提交至參議院。德克薩斯州共和黨議員麥考爾（Michael McCau
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Soitec 任命中國區(qū)戰(zhàn)略發(fā)展總監(jiān)，深化在中國的戰(zhàn)略發(fā)展
- 作為設(shè)計和生產(chǎn)創(chuàng)新性半導(dǎo)體材料的全球領(lǐng)軍企業(yè)，法國Soitec半導(dǎo)體公司正通過加強(qiáng)在中國的影響力以支持其業(yè)務(wù)發(fā)展。2020年4月，張萬鵬被任命為中國區(qū)戰(zhàn)略發(fā)展總監(jiān)。Soitec集團(tuán)與中國當(dāng)?shù)氐纳鷳B(tài)系統(tǒng)已建立了長期的合作伙伴關(guān)系。早在2007年，Soitec就與中國代工廠和研發(fā)中心開展產(chǎn)業(yè)合作。2014年，Soitec和中國領(lǐng)先的硅基半導(dǎo)體材料公司——上海新傲科技股份有限公司（Simgui）達(dá)成了有關(guān)射頻和功率半導(dǎo)體市場200mm SOI晶圓的戰(zhàn)略伙伴關(guān)系，并簽署了許可和技術(shù)轉(zhuǎn)移協(xié)議。2019年3月，Soi
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日本倒逼 韓國半導(dǎo)體在這個領(lǐng)域正式逆襲？
- 在東京實施出口限制之后,韓國的芯片和顯示器制造商已轉(zhuǎn)向本土化學(xué)制品來填補(bǔ)真空,從長遠(yuǎn)來看,這可能對日本公司造成更大的打擊。在被排除在供應(yīng)鏈中至關(guān)重要的部分之后,韓國公司不得不尋求其他途徑來保持生產(chǎn)水平的穩(wěn)定增長。全球領(lǐng)先的液晶顯示器生產(chǎn)商LG Display于11月開始使用韓國SoulBrain生產(chǎn)的蝕刻氣體制造面板。LG以前曾使用過從日本Stella Chemifa進(jìn)口的超純蝕刻氣體溶液,并被SoulBrain稀釋了100倍。LG官員說:“但是,由于我們將其稀釋得如此之多,我們不需要像日本那樣精確地加工
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研究機(jī)構(gòu)：華為海思Q1首次躋身全球十大半導(dǎo)體廠商之列
- 據(jù)國外媒體報道，近日，國際市場研究機(jī)構(gòu)IC Insights公布了2020年第一季度全球十大半導(dǎo)體制造商銷售排名。其中，華為海思排名第十，成為第一家躋身全球十大半導(dǎo)體供應(yīng)商的中國大陸企業(yè)。IC Insights的一份報告顯示，排名前10的半導(dǎo)體制造商分別是英特爾（美國）、三星（韓國）、臺積電（中國臺灣）、海力士（韓國）、美光（美國）、博通（美國）、高通（美國）、德州儀器（美國）、英偉達(dá)（美國）、海思（中國大陸）。在排名前10的半導(dǎo)體制造商中，有6家是美國公司，2家是韓國公司，中國臺灣和中國大陸各1家。其中
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安森美半導(dǎo)體任命Bernie Colpitts為首席會計官
- 推動高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體 (ON Semiconductor)，今日宣布任命Bernard (“Bernie”)為安森美半導(dǎo)體公司及其全資子公司Semiconductor Components Industries, LLC (“SCILLC”)的首席會計官，以及SCILLC財務(wù)副總裁 。 Colpitts此前是總部位于美國德克薩斯州的視頻游戲零售商GameStop Corp.的高級副總裁兼首席會計官。執(zhí)行副總裁兼首席財務(wù)官Bernard Gutmann說：“我很高興歡迎Bernie成為我直接下屬的一
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富士通推出業(yè)界最高密度4 Mbit ReRAM量產(chǎn)產(chǎn)品
- 富士通電子元器件（上海）有限公司近日宣布，推出業(yè)界最高密度4 Mbit ReRAM（可變電阻式存儲器）（注1）產(chǎn)品MB85AS4MT。此產(chǎn)品為富士通半導(dǎo)體與松下電器半導(dǎo)體（注2）合作開發(fā)的首款ReRAM存儲器產(chǎn)品。ReRAM是基于電阻式隨機(jī)存取的一種非易失性存儲器，此產(chǎn)品可將DRAM的讀寫速度與SSD的非易失性結(jié)合于一身，同時具備更低的功耗及更快的讀寫速度。ReRAM作為存儲器前沿技術(shù)，未來預(yù)期可以替代目前的FlashRAM,并且具有成本更低,性能更突出的優(yōu)勢。ReRAM存儲芯片的能耗可達(dá)到閃存的1/20
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意法半導(dǎo)體發(fā)布2020年可持續(xù)發(fā)展報告
- 橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域的全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡稱ST)近日發(fā)布了2020年可持續(xù)發(fā)展報告。第23版報告包含意法半導(dǎo)體2019年可持續(xù)發(fā)展績效的詳情和亮點，并提出了與聯(lián)合國全球契約十項原則和可持續(xù)發(fā)展目標(biāo)一致的公司2025年可持續(xù)發(fā)展愿景和長遠(yuǎn)目標(biāo)。“可持續(xù)發(fā)展是ST價值主張的三大要素之一，它已經(jīng)深深地植根于我們的公司DNA和46,000名優(yōu)秀員工的日常工作中。在這個充滿挑戰(zhàn)的時代，我們的員工再次用行動證明了他們適應(yīng)力、創(chuàng)造力和社區(qū)承諾。我們的可持續(xù)發(fā)展理念
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英特爾完成十年企業(yè)社會責(zé)任目標(biāo)，力爭在下一個十年創(chuàng)造更大影響力
- 面對新冠疫情，企業(yè)采取聯(lián)合行動應(yīng)對全球最大挑戰(zhàn)的必要性從未如此顯著。科技公司更是如此，因為數(shù)據(jù)和信息在幫助追蹤、診斷和治療這一流行病方面發(fā)揮著至關(guān)重要的作用，并且將在我們?努力應(yīng)對未來全球性挑戰(zhàn)?中繼續(xù)發(fā)揮重要作用。英特爾長期以來一直致力于將企業(yè)社會責(zé)任融入公司的業(yè)務(wù)運營。時光飛逝，難以置信自制定2020年企業(yè)社會責(zé)任目標(biāo)以來，已經(jīng)過去了近十年。不過也很高興地告訴大家，我們幾乎實現(xiàn)了所有目標(biāo)。英特爾最新企業(yè)社會責(zé)任報告詳細(xì)介紹了我們所付諸的努力，我想特別分享其中幾項成就：●?
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意法半導(dǎo)體發(fā)布新抗輻射加固器件，提高航天應(yīng)用能效
- 為了進(jìn)一步擴(kuò)大航天級抗輻射加固功率器件的產(chǎn)品組合，意法半導(dǎo)體近日推出了新的已通過ESCC（歐洲航天元器件協(xié)調(diào)委員會）認(rèn)證的200V和400V功率整流管，以及45V和150V抗SEB[1]效應(yīng)的肖特基整流管。新推出的?抗輻射加固肖特基二極管?包括SEB耐量高達(dá)61MeV/cm2/mg LET (線性能量傳遞)的45V和150V產(chǎn)品，這兩款產(chǎn)品是業(yè)界首款額定SEB的肖特基二極管產(chǎn)品，適用于多種轉(zhuǎn)換器拓?fù)洹?50V和45V產(chǎn)品都可以直連100V和28V衛(wèi)星電源總線。在40A/125°C時，1
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半導(dǎo)體介紹
semiconductor
電阻率介于金屬和絕緣體之間并有負(fù)的電阻溫度系數(shù)的物質(zhì)。半導(dǎo)體室溫時電阻率約在10-5～107歐·米之間，溫度升高時電阻率指數(shù)則減小。半導(dǎo)體材料很多，按化學(xué)成分可分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類。鍺和硅是最常用的元素半導(dǎo)體；化合物半導(dǎo)體包括Ⅲ-Ⅴ 族化合物（砷化鎵、磷化鎵等）、Ⅱ-Ⅵ族化合物( 硫化鎘、硫化鋅等)、氧化物(錳、鉻、鐵、銅的氧化物), [ 查看詳細(xì) ]
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