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單晶硅
單晶硅 文章 進(jìn)入單晶硅技術(shù)社區(qū)
浙江大學(xué)杭州國(guó)際科創(chuàng)中心 50mm 厚 6 英寸碳化硅單晶生長(zhǎng)成功，且晶體質(zhì)量達(dá)到業(yè)界水平
- IT之家 7 月 28 日消息，據(jù)浙江大學(xué)杭州國(guó)際科創(chuàng)中心發(fā)布，近日浙江大學(xué)杭州國(guó)際科創(chuàng)中心先進(jìn)半導(dǎo)體研究院-乾晶半導(dǎo)體聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室和浙江大學(xué)硅材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室在浙江省“尖兵計(jì)劃”等研發(fā)項(xiàng)目的資助下，成功生長(zhǎng)出厚度達(dá)到 50 mm 的 6 英寸碳化硅單晶。該重要進(jìn)展意味著，碳化硅襯底成本有望大幅降低，半導(dǎo)體碳化硅產(chǎn)業(yè)發(fā)展或?qū)⒂瓉?lái)發(fā)展新契機(jī)。據(jù)介紹，碳化硅（SiC）單晶作為寬禁帶半導(dǎo)體材料，對(duì)高壓、高頻、高溫及高功率等半導(dǎo)體器件的發(fā)展至關(guān)重要。目前，國(guó)內(nèi)碳化硅單晶的直徑已經(jīng)普遍能達(dá)到 6 英寸，但
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單晶硅強(qiáng)勢(shì)回歸 單多之爭(zhēng)風(fēng)云再起
- 雖然單晶硅顯示出了強(qiáng)勢(shì)回歸的態(tài)勢(shì)，但在太陽(yáng)能發(fā)電路線上，多晶硅與單晶硅之爭(zhēng)還將在很長(zhǎng)一段時(shí)間內(nèi)持續(xù)下去。
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美二次光伏雙反余波：?jiǎn)尉Ч栌型铏C(jī)上位
- 日前，美國(guó)商務(wù)部公布對(duì)華第二次光伏產(chǎn)品雙反調(diào)查終裁結(jié)果：認(rèn)定從中國(guó)大陸進(jìn)口的晶體硅光伏產(chǎn)品存在傾銷和補(bǔ)貼行為，裁定中國(guó)大陸廠商傾銷幅度26.71%~165.04%;補(bǔ)貼幅度27.64%~49.79%。根據(jù)相關(guān)程序，2015年1月29日美國(guó)國(guó)際貿(mào)易委員會(huì)將做出損害終裁。 業(yè)內(nèi)人士分析，此次光伏雙反的裁決對(duì)國(guó)內(nèi)光伏企業(yè)最大的負(fù)面影響莫過(guò)于稅率將大幅提高，主要為反傾銷稅和反補(bǔ)貼稅，從而導(dǎo)致成本提高，銷售價(jià)格增加。不過(guò)，此次雙反未將硅片納入到雙反調(diào)查范圍內(nèi)，硅片制造商也免于懲罰性扣稅。由于單晶硅產(chǎn)品在海
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天合光能單晶硅組件輸出功率創(chuàng)世界紀(jì)錄
- 2014年4月8日，天合光能宣布，其單晶硅太陽(yáng)能光伏組件(60片156mmX156mm單晶硅電池)創(chuàng)造了P型單晶硅組件輸出功率新的世界紀(jì)錄。該項(xiàng)成果經(jīng)第三方TUVRheiland(萊茵)權(quán)威認(rèn)證機(jī)構(gòu)測(cè)試，峰值輸出功率(Pmax)高達(dá)326.3瓦，表明其量產(chǎn)PERC(PassivatedEmitterRearCell)單晶硅高效組件達(dá)到世界領(lǐng)先水平。創(chuàng)造這一紀(jì)錄的組件是基于設(shè)在天合光能的中國(guó)光伏科學(xué)與技術(shù)國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室研發(fā)平臺(tái)研制，采用的是公司自主研發(fā)的中試量產(chǎn)HoneyUltra高效單晶太陽(yáng)能電池片。
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從4004到core i7——處理器的進(jìn)化史-CPU構(gòu)成零件-1
- 在下面的兩個(gè)帖子當(dāng)中，我將簡(jiǎn)短地介紹構(gòu)成CPU的零件，一種晶體管。我將展示如何完成最簡(jiǎn)單的設(shè)計(jì)，這相當(dāng)于IC設(shè)計(jì)中的Hello world，并且略微提到Hello world的幾種變體。
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關(guān)注光伏政策進(jìn)一步落實(shí)的明確目標(biāo)
- 《意見(jiàn)》內(nèi)容核心仍圍繞此前國(guó)務(wù)院常務(wù)會(huì)議提出的政策方向，即：積極開拓光伏應(yīng)用市場(chǎng);加快產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)調(diào)整和技術(shù)進(jìn)步;規(guī)范產(chǎn)業(yè)發(fā)展秩序;完善并網(wǎng)管理和服務(wù);完善具體支持政策等。文件本身并無(wú)顯著超過(guò)市場(chǎng)預(yù)期的內(nèi)容，但對(duì)幾個(gè)數(shù)字的首次明確提出仍值得關(guān)注，同時(shí)建議密切關(guān)注相關(guān)政策后續(xù)的具體落實(shí)情況。 1.《意見(jiàn)》在總體要求中提出：“2013—2015年，年均新增光伏發(fā)電裝機(jī)容量1000萬(wàn)千瓦(10GW)左右，到2015年總裝機(jī)容量達(dá)到3500萬(wàn)千瓦(35GW)以上?！边@是我
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光伏企業(yè)持續(xù)虧損抑制N型單晶硅產(chǎn)品發(fā)展
- 太陽(yáng)能市場(chǎng)的不景氣已嚴(yán)重遏制光伏企業(yè)的科技發(fā)展。盡管N型單晶硅高效產(chǎn)品很可能實(shí)現(xiàn)P型多單晶硅太陽(yáng)能產(chǎn)品所“望塵莫及”的突破，但絕大多數(shù)太陽(yáng)能企業(yè)依然對(duì)投資新科技持保守態(tài)度。 太陽(yáng)能制造商指出，高轉(zhuǎn)換效率是太陽(yáng)能產(chǎn)業(yè)的主要目標(biāo)之一。鑒于物理性質(zhì)方面限制，目前主流型別的太陽(yáng)能產(chǎn)品(即P型單多晶硅)的轉(zhuǎn)換效率仍未超越20%。然而，N型單晶硅并無(wú)此類物理限制。 臺(tái)灣太陽(yáng)能制造商表示，目前多家光伏企業(yè)遭受虧損之累，即使一些有興趣投資研發(fā)N型多晶硅太陽(yáng)能產(chǎn)品的企業(yè)也沒(méi)有雄厚的財(cái)
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光伏產(chǎn)業(yè)：盛宴散去之后
- 來(lái)自浙江省能源局的最新信息顯示，受歐美“雙反”調(diào)查影響，今年前三季度，浙江省光伏產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值僅200多億元，比去年同期下降51%。與此同時(shí),今年前三季度全省光伏企業(yè)總虧損約30億元，全年全省光伏企業(yè)行業(yè)虧損面將達(dá)到80%。 浙江光伏產(chǎn)業(yè)的現(xiàn)狀，只是中國(guó)光伏產(chǎn)業(yè)困境的縮影。 “雙反”引發(fā)行業(yè)虧損 先是美國(guó)“雙反”，再是歐盟跟進(jìn)，現(xiàn)在連與我國(guó)光伏產(chǎn)品貿(mào)易額只有16億元的印度也跟著加入了對(duì)華光伏產(chǎn)品“雙反&rd
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資本重新涌入光伏 行業(yè)處于抄底時(shí)嗎
- 最近一段時(shí)間，資本市場(chǎng)上的個(gè)別光伏類股票異動(dòng)頻繁。比如說(shuō)，在香港上市的全球最大的多晶硅料供應(yīng)商保利協(xié)鑫GCL，在不到一個(gè)月的時(shí)間內(nèi)，股價(jià)從1.2港元/股左右上漲到1.6港元/股左右，漲幅接近40%，資本有大幅涌入的跡象。 同樣的，在美國(guó)上市的中國(guó)企業(yè)江西賽維LDK，也在不到一個(gè)月時(shí)間內(nèi)從0.7美元/股左右回升到0.98美元/股，漲幅也是40%左右。 而光伏實(shí)業(yè)方面，資本也沒(méi)有閑著。比如，在此光伏行業(yè)“寒冬”之際，2012年9月20日“隆基股份上市暨500
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我國(guó)首臺(tái)單晶硅片多線切割機(jī)面世
- 。因受到關(guān)鍵技術(shù)的制約，目前國(guó)內(nèi)太陽(yáng)能級(jí)單晶硅材料多線切割機(jī)完全依賴進(jìn)口。為打破國(guó)外壟斷，中國(guó)電子科技集團(tuán)第四十五研究所依托自身在半導(dǎo)體材料加工設(shè)備領(lǐng)域豐富的人才、智力、技術(shù)資源優(yōu)勢(shì)，聯(lián)合晶龍實(shí)業(yè)集團(tuán)、河北工業(yè)大學(xué)等單位，聯(lián)合進(jìn)行太陽(yáng)能級(jí)單晶硅材料多線切割機(jī)項(xiàng)目的攻關(guān)，經(jīng)過(guò)近4年的努
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王占國(guó)院士：半導(dǎo)體材料將走向“納米化”
- 半導(dǎo)體是介于導(dǎo)體和絕緣體之間的材料。自1947年12月23日正式發(fā)明后，在家電、通信、網(wǎng)絡(luò)、航空、航天、國(guó)防等領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用，給電子工業(yè)帶來(lái)革命性的影響。2010年，全球半導(dǎo)體市場(chǎng)達(dá)到2983億美元，拉動(dòng)上萬(wàn)億美元的電子產(chǎn)品市場(chǎng)。 伴隨著半導(dǎo)體市場(chǎng)的壯大，半導(dǎo)體材料也不斷獲得突破。王占國(guó)介紹，一般將鍺和硅稱為第一代半導(dǎo)體材料。將砷化鎵、磷化銦等稱為第二代半導(dǎo)體材料，而將寬禁帶的碳化硅、氮化鎵和金剛石等稱為第三代半導(dǎo)體材料。 第一代材料中，12英寸單晶硅已經(jīng)大規(guī)模生產(chǎn)，18英寸單晶硅已在實(shí)
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單晶硅介紹
硅是地球上儲(chǔ)藏最豐富的材料之一，從19世紀(jì)科學(xué)家們發(fā)現(xiàn)了晶體硅的半導(dǎo)體特性后，它幾乎改變了一切，甚至人類的思維。直到上世紀(jì)60年代開始，硅材料就取代了原有鍺材料。硅材料――因其具有耐高溫和抗輻射性能較好，特別適宜制作大功率器件的特性而成為應(yīng)用最多的一種半導(dǎo)體材料，目前的集成電路半導(dǎo)體器件大多數(shù)是用硅材料制造的。
硅的單晶體。具有基本完整的點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)的晶體。不同的方向具有不同的性質(zhì)，是一種良好的 [ 查看詳細(xì) ]
單晶硅專欄文章
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