存儲器 文章 進入存儲器技術(shù)社區(qū)
復(fù)旦微電推出NAND Flash及EEPROM存儲器新品
- 4月27日，上海復(fù)旦微電子集團股份有限公司今日舉辦線上發(fā)布會，推出FM25/FM29系列SLC NAND，F(xiàn)M24N/FM24LN/FM25N高可靠、超寬壓系列EEPROM，以及符合AEC-Q100的車規(guī)FM24C/FM25系列EEPROM等非揮發(fā)存儲新產(chǎn)品。FM25/FM29系列產(chǎn)品基于28nm先進NAND flash工藝，滿足6萬次擦寫次數(shù)和數(shù)據(jù)保存10年的高可靠性要求，應(yīng)用于工規(guī)、5G通訊、車載等相關(guān)領(lǐng)域。FM24N/FM24LN/FM25N系列產(chǎn)品基于95nm先進EEPROM工藝，具備低功耗、
- 關(guān)鍵字： 復(fù)旦微電 NAND Flash EEPROM 存儲器
存儲器廠商Q1虧損恐難逃
- 由于DRAM及NAND Flash第一季價格續(xù)跌，加上庫存水位過高，終端消費支出持續(xù)放緩，據(jù)外電消息，韓國三星電子及SK海力士本季度的芯片業(yè)務(wù)恐因提列庫存損失而面臨數(shù)十億美元虧損。法人指出，南亞科（2408）及華邦電（2344）因減產(chǎn)及跌價導(dǎo)致營收及毛利率持續(xù)下滑，第一季本業(yè)虧損恐將在所難免。據(jù)外電報導(dǎo)，三星電子3月19日提交給韓國金融監(jiān)督院的申報文件中指出，截至去年第四季，整體庫存資產(chǎn)達到52.2兆韓元（約折合399億美元），遠高于2021年的41.4兆韓元并創(chuàng)下歷史新高。其中，占三星營收比重最高的半導(dǎo)
- 關(guān)鍵字： 存儲器 DRAM NAND Flash
平面→立體，3D DRAM重定存儲器游戲規(guī)則？
- 近日，外媒《BusinessKorea》報道稱，三星的主要半導(dǎo)體負責人最近在半導(dǎo)體會議上表示正在加速3D DRAM商業(yè)化，并認為3D DRAM是克服DRAM物理局限性的一種方法，據(jù)稱這將改變存儲器行業(yè)的游戲規(guī)則。3D DRAM是什么？它將如何顛覆DRAM原有結(jié)構(gòu)？壹摩爾定律放緩，DRAM工藝將重構(gòu)1966年的秋天，跨國公司IBM研究中心的Robert H. Dennard發(fā)明了動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM），而在不久的將來，這份偉大的成就為半導(dǎo)體行業(yè)締造了一個影響巨大且市場規(guī)模超千億美元的產(chǎn)業(yè)帝國。DRA
- 關(guān)鍵字： 3D DRAM 存儲器
人大代表馮丹：加快國家存儲器基地建設(shè)，真正實現(xiàn)自主可控
- 信息社會離不開數(shù)據(jù)存儲，金融、電信、互聯(lián)網(wǎng)等，更需要高可靠、高安全的海量存儲系統(tǒng)，存儲器和存儲系統(tǒng)是數(shù)據(jù)的載體，關(guān)乎數(shù)字經(jīng)濟產(chǎn)業(yè)安全、國家安全。在今年全國兩會期間，全國人大代表、華中科技大學(xué)計算機學(xué)院教授馮丹提出了《關(guān)于加快國家存儲器基地建設(shè)的建議》。馮丹認為，應(yīng)加快數(shù)據(jù)存儲產(chǎn)業(yè)強鏈補鏈，助力數(shù)字經(jīng)濟發(fā)展?！皬膽?zhàn)略高度重視數(shù)據(jù)存力產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展，將數(shù)據(jù)存力指標納入國家體系，盡快形成我國數(shù)據(jù)存儲產(chǎn)業(yè)發(fā)展的頂層規(guī)劃和具體目標，打造一批典型示范項目，加快先進存力的開發(fā)與應(yīng)用?！瘪T丹建議，制定獨立的存儲產(chǎn)業(yè)強鏈補
- 關(guān)鍵字： 存儲器 自主可控
格芯收購瑞薩非易失性電阻式RAM技術(shù)，加強存儲器產(chǎn)品組合
- 當?shù)貢r間2月9日，晶圓代工廠格芯（GlobalFoundries）宣布，已收購瑞薩電子（Renesas）的專利和經(jīng)過生產(chǎn)驗證的導(dǎo)電橋接隨機存取存儲器（CBRAM）技術(shù)，這是一種低功耗的存儲器解決方案，旨在實現(xiàn)家庭、工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)及智能移動設(shè)備的一系列應(yīng)用。格芯表示，這項交易進一步加強了格芯的存儲器產(chǎn)品組合，并通過增加另一種可靠的、可定制的、相對容易集成到其他技術(shù)節(jié)點的嵌入式存儲器解決方案，擴展了其嵌入式非易失性存儲器（NVM）解決方案的路線圖。這項技術(shù)將使客戶能夠進一步區(qū)分其SoC設(shè)計，并推動新一代安全和智能
- 關(guān)鍵字： 格芯 瑞薩 易失性電阻式 RAM 存儲器
筆電存儲器新標準，CAMM有望取代SO-DIMM
- SO-DIMM（Small Outline DIMM）因小巧尺寸設(shè)計，適合空間有限的系統(tǒng)，例如筆電、小型工業(yè)電腦、NAS、路由器等。根據(jù)外媒報導(dǎo)，JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會可能將戴爾和英特爾合作開發(fā)的CAMM（Compression Attached Memory Module）作為下一代標準，取代SO-DIMM。近日，國外媒體PCWorld引用戴爾資深工程師、JEDEC委員會成員Tom Schnell的說法表示，JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會考慮采用CAMM成為正式標準，并讓其他制造商加以使用。Tom Sc
- 關(guān)鍵字： 筆電 存儲器 CAMM SO-DIMM
隨機存取存儲器有哪些特點?寄存器和存儲器有什么區(qū)別?
- 存儲器相當于我們的大腦的存儲單元，能夠保存我們的電子數(shù)據(jù)。為增進大家對存儲器的認識，本文將對隨機存取存儲器、寄存器和存儲器的區(qū)別予以介紹。如果你對存儲器具有興趣，不妨和小編一起來繼續(xù)認真地往下閱讀哦。一、隨機存取存儲器隨機存取存儲器(randomaccessmemory，RAM)又稱作“隨機存儲器”，是與CPU直接交換數(shù)據(jù)的內(nèi)部存儲器，也叫主存(內(nèi)存)。它可以隨時讀寫，而且速度很快，通常作為操作系統(tǒng)或其他正在運行中的程序的臨時數(shù)據(jù)存儲媒介。存儲單元的內(nèi)容可按需隨意取出或存入，且存取的速度與存儲單元的位置無
- 關(guān)鍵字： 寄存器 存儲器
MCU三巨頭，三種選擇
- 半導(dǎo)體技術(shù)持續(xù)更新迭代，MCU也要與時俱進。為了更好地迎接未來趨勢，有的廠商選擇從內(nèi)核下手，比如，由Arm Cortex-M內(nèi)核轉(zhuǎn)向RISC-V內(nèi)核；也有選擇集成AI，通過在MCU中加入AI加速器，讓MCU更加智能；還有一種就是本文將主要介紹的，集成新型存儲器。MCU作為一款需要集成CPU、SRAM、非易失性存儲器，以及專用外設(shè)的芯片，最常見的存儲器形式主要包括了 eDRAM 、SRAM 易失性存儲器、閃存、EEPROM 非易失性存儲器，這其中集成式閃存是MCU的重要特征。然而，隨著時間的推移，閃存卻逐漸
- 關(guān)鍵字： MCU 存儲器 英飛凌 ST 瑞薩
美光宣布推出適用于數(shù)據(jù)中心的DDR5存儲器
- 當?shù)貢r間11月10日，美光宣布推出適用于數(shù)據(jù)中心的DDR5存儲器，該存儲器已針對新的AMD EPYC? 9004系列處理器進行了驗證。隨著現(xiàn)代服務(wù)器將更多處理內(nèi)核裝入CPU，每個CPU內(nèi)核的存儲器帶寬一直在下降。與前幾代相比，美光DDR5提供了更高的帶寬，從而緩解了這一瓶頸，提高了可靠性和可擴展性。據(jù)介紹，美光將配備其DDR5的單個第4代AMD EPYC處理器系統(tǒng)的STREAM基準性能與3200MT/秒的第3代AMD EPYC處理器系統(tǒng)和美光DDR4進行了比較。使用第4代AMD EPYC處理器系統(tǒng)
- 關(guān)鍵字： 美光 數(shù)據(jù)中心 DDR5 存儲器
TrendForce：存儲器廠聚焦CXL存儲器擴充器產(chǎn)品
- 據(jù)TrendForce集邦咨詢最新服務(wù)器相關(guān)報告指出，CXL（Compute Express Link）原是希望能夠整合各種xPU之間的性能，進而優(yōu)化AI與HPC所需要的硬件成本，并突破原先的硬件限制。CXL的支援仍是以CPU為源頭去考慮，但由于可支援CXL功能的服務(wù)器CPU Intel Sapphire Rapids與AMD Genoa現(xiàn)階段僅支援至CXL 1.1規(guī)格，而該規(guī)格可先實現(xiàn)的產(chǎn)品則是CXL存儲器擴充（CXL Memory Expander）。因此，TrendForce認為
- 關(guān)鍵字： TrendForce 集邦咨詢 存儲器 CXL AI/ML DRAM
存儲器大廠江波龍掛牌上市：正式登陸A股創(chuàng)業(yè)板
- 8月5日，國內(nèi)存儲器大廠江波龍首次公開發(fā)行股票成功登陸A股創(chuàng)業(yè)板，正式在深圳證券交易所掛牌上市，股票代碼為“301308”。 江波龍本次發(fā)行價格為55.67元/股，對應(yīng)的發(fā)行市盈率為24.76倍，計劃募資15億元。截止發(fā)稿，大漲61.67%，報90元/股，最新市值為370億元?！ 〗埗麻L、總經(jīng)理蔡華波在致辭中指出，江波龍今天正式在創(chuàng)業(yè)板掛牌上市，是公司發(fā)展歷程中的一個重要里程碑，為公司進一步發(fā)展壯大提供了寬廣的平臺。公司將以上市為新的起點，開啟公司二次創(chuàng)業(yè)之路，持續(xù)加強存儲研發(fā)和產(chǎn)品創(chuàng)新，全面
- 關(guān)鍵字： 存儲器 江波龍
利用 IP 融合云計算基礎(chǔ)架構(gòu)
- 數(shù)據(jù)中心工作負載和計算應(yīng)用程序不斷從傳統(tǒng)數(shù)據(jù)中心遷移到超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心。根據(jù) Cisco 全球云指數(shù) 測算，“到 2021 年，94% 的工作負載和計算實例都將在云數(shù)據(jù)中心進行處理”（圖 1）。雖然許多應(yīng)用程序由超大規(guī)模的公共云運營商托管，但許多關(guān)鍵任務(wù)工作負載和計算實例都是由私有超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心托管的。預(yù)計從 2016 年到 2021 年，私有超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心將以 11% 的復(fù)合年增長率增長。雖然大型云提供商開發(fā)了定制的機架級系統(tǒng)，但私有云提供商通常采用融合基礎(chǔ)架構(gòu) (CI) 或超融
- 關(guān)鍵字： 云計算 存儲器
俄烏沖突引發(fā)上游原料擔憂，會加劇“缺芯”嗎？
- 太平洋證券認為，戰(zhàn)爭雖不至斷貨，但可能導(dǎo)致價格上漲?；谠牧蠋齑婧筒少彾嘣?，目前大型芯片公司預(yù)測俄烏危機對半導(dǎo)體供應(yīng)鏈的干擾有限。太平洋證券認為，俄烏沖突本質(zhì)上對全球電子產(chǎn)業(yè)鏈的影響相當有限，最大的影響主要集中在部分半導(dǎo)體耗材的價格。這類耗材一般庫存都會在半年以上，雖然不至于因為戰(zhàn)爭而斷貨，但或?qū)?dǎo)致價格的上漲。目前，美國有90%以上半導(dǎo)體材料氖來自于烏克蘭，氖對于芯片制造中使用的激光器至關(guān)重要。據(jù)市場研究公司 Techcet 稱，該氣體是俄羅斯鋼鐵制造業(yè)的副產(chǎn)品，并在烏克蘭進行提純。此外，美國 35
- 關(guān)鍵字： 俄烏沖突 上游材料 市場分析 傳感器 存儲器
存儲器介紹
什么是存儲器
存儲器（Memory）是計算機系統(tǒng)中的記憶設(shè)備，用來存放程序和數(shù)據(jù)。計算機中的全部信息，包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計算機程序、中間運行結(jié)果和最終運行結(jié)果都保存在存儲器中。它根據(jù)控制器指定的位置存入和取出信息。
存儲器的構(gòu)成
構(gòu)成存儲器的存儲介質(zhì)，目前主要采用半導(dǎo)體器件和磁性材料。存儲器中最小的存儲單位就是一個雙穩(wěn)態(tài)半導(dǎo)體電路或一個CMOS晶體管或磁性材 [ 查看詳細 ]
存儲器電路
存儲器相關(guān)帖子
存儲器資料下載
存儲器視頻
存儲器專欄文章
相關(guān)主題
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473