存儲器 文章 進入存儲器技術(shù)社區(qū)
Dallas Semiconductor推出新型存儲器件DS28DG02
- Dallas Semiconductor推出新型存儲器件DS28DG02，具有空前的混合信號和非易失存儲功能集成度。 DS28DG02功能和容量具有很高的集成度，通?？晒?jié)省20%的PCB空間和30%的成本。由于采用更少的元件，使得終端設備的制造廠商可以減少材料清單數(shù)，從而降低了生產(chǎn)成本，并提高了設備的可靠性。通過簡化硬件的復雜度，并采用單個器件實現(xiàn)軟件通信，使產(chǎn)品設計人員的設計周期得到了縮短。該新型存儲器件具有空前大的陣列容量，能夠用于多種應用，包括通信、醫(yī)療、消費品和工業(yè)終端設備。 與傳
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富士通推出配備FeRAM的通用微控制器投放
- 富士通在2007年5月16日開幕的“第10屆嵌入系統(tǒng)開發(fā)技術(shù)展（ESEC）”上，參考展出了配備強電介質(zhì)內(nèi)置內(nèi)存（FeRAM，鐵電內(nèi)存）的通用8bit微控制器。評測用芯片“MB95RV100”近日即可供應，計劃2008年前后量產(chǎn)供貨。CPU內(nèi)核采用“F2MC-8FX”，工作頻率為10MHz。首先面向密鑰數(shù)據(jù)的保存用途投放市場。 配備FeRAM的微控制器最初只應用于數(shù)據(jù)保存區(qū)域（原有微控制的RAM部分）。程序保存區(qū)域預定以掩膜ROM的形式提供。產(chǎn)品系列計劃對于數(shù)據(jù)保存用途推出FeRAM分
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內(nèi)存價格終于反彈 業(yè)內(nèi)持不同意見
- 在5月18-25日，DRAM內(nèi)存價格終于出現(xiàn)了反彈，業(yè)界分析家對該現(xiàn)象是標志著大范圍的調(diào)整開始還是僅僅是一個短期現(xiàn)象持有不同意見。 據(jù)DRAMeXchange的數(shù)據(jù)顯示，從5月18日開始，包括eTT在內(nèi)各種頻率型號的512MB DDR2內(nèi)存現(xiàn)貨價格據(jù)呈上升勢頭。在所有類型當中，eTT壓低內(nèi)存升幅最大，達到16%。 一些業(yè)內(nèi)人士擔心DRAM現(xiàn)貨市場的價格反彈將會影響DRAM合同價格的調(diào)整。來自DRAM內(nèi)存廠商的消息稱現(xiàn)還沒有收到電腦廠商需求急劇變化的反饋，而來自內(nèi)存模組廠的消息稱，由于DRAM廠商
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內(nèi)存價格終于反彈 業(yè)內(nèi)持不同意見
- 在5月18-25日，DRAM內(nèi)存價格終于出現(xiàn)了反彈，業(yè)界分析家對該現(xiàn)象是標志著大范圍的調(diào)整開始還是僅僅是一個短期現(xiàn)象持有不同意見。 據(jù)DRAMeXchange的數(shù)據(jù)顯示，從5月18日開始，包括eTT在內(nèi)各種頻率型號的512MB DDR2內(nèi)存現(xiàn)貨價格據(jù)呈上升勢頭。在所有類型當中，eTT壓低內(nèi)存升幅最大，達到16%。 一些業(yè)內(nèi)人士擔心DRAM現(xiàn)貨市場的價格反彈將會影響DRAM合同價格的調(diào)整。來自DRAM內(nèi)存廠商的消息稱現(xiàn)還沒有收到電腦廠商需求急劇變化的反饋，而來自內(nèi)存模組廠的消息稱，由于DRA
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PC大廠刻意壓低內(nèi)存 上下游博弈仍在繼續(xù)
- 內(nèi)存顆粒在最近一兩天終于價格開始反彈，DDR2 512Mb ETT顆粒昨天收盤于1.58美元，而DDR2 512Mb 667MHz則從1.7美元反彈至1.76美元。 內(nèi)存業(yè)者表示，DRAM制造廠不再殺低出貨，再加上部份模組廠開始趁低收貨，是帶動近日DRAM現(xiàn)貨價跌深反彈的主因。只是目前終端市場需求依然疲軟，因此DRAM價格是否就此落底，仍待進一步觀察。 創(chuàng)見上海代表處的總經(jīng)理顏明吉表示，此前內(nèi)存之所以狂跌，戴爾和惠普等PC大廠故意觀望是非常重要的因素。 去年年末Vi
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DRAM廠減產(chǎn) DRAM售價瀕臨變動成本
- 近來對于所有DRAM廠來說都面臨慘不忍睹的情況，原因在于DRAM售價重挫，幾乎已到了寧可關(guān)廠不做生意的階段。DRAM廠已展開一波自救計劃，部分DRAM廠已正式啟動產(chǎn)能調(diào)配計劃，希望通過這樣動作來減少虧損，也因為DRAM廠已開始減產(chǎn)，DRAM廠認為第三季度應該可以見到減產(chǎn)后對于整體DRAM供需平穩(wěn)成效。 過去幾個月以來全球DRAM售價不斷出現(xiàn)暴跌，雖說目前價格略微回穩(wěn)，不過整體來說DRAM廠還是面臨到嚴重虧損壓力，DRAM廠坦承這樣的售價幾乎已是跌到DRAM廠采用12英寸廠90納米工藝技術(shù)時所需的變動成本，
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內(nèi)存狂跌引發(fā)質(zhì)量嚴重下滑 不良率數(shù)倍提升
- “憑良心來講，現(xiàn)在內(nèi)存的品質(zhì)整體來說真的很差。”某品牌內(nèi)存的一位高管向PConline產(chǎn)業(yè)資訊這樣透露。 根據(jù)相關(guān)人士透露，內(nèi)存晶元的測試，是晶元廠要另外要付費給專門的測試廠商。按照業(yè)界的概況，DDR2的顆粒一般好一點的原廠要測試800秒，普通的廠商是測試400秒。一般來說，原廠的品牌顆粒不太敢完全不測試，多少會測一下。但是現(xiàn)在測試時間變成了200秒或者100秒，甚至有些廠商只測50秒。 一般來說，如果經(jīng)過800秒完全測試，內(nèi)存顆粒的不良率可以低于500PPM(注1)，非常的低。當測試時間從800秒
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NEC電子推出可用于內(nèi)置硬盤的機頂盒的芯片
- NEC電子近日開發(fā)出了用于內(nèi)置硬盤(HDD)的機頂盒（STB）的系統(tǒng)芯片—“EMMA2SE（μPD61140）”，并將于即日起開始發(fā)售樣品。此外，NEC電子還將于今年6月起，推出在EMMA2SE的基礎(chǔ)上內(nèi)置了防非法使用功能的“EMMA2SE/P（μPD61142）”的樣品。 這兩款新產(chǎn)品均為將接收、存儲、播放數(shù)字廣播所必需的功能集成到了1顆芯片上的圖像處理用系統(tǒng)芯片。新產(chǎn)品的主要特征包括：CPU的處理性能提高到了284MIPS，約為NEC電子以往產(chǎn)品的1.4倍；可外接容量達1G的外部存儲器；內(nèi)置USB功
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意法新款8引腳微控制器增加了存儲容量
- 8位微控制器的世界領(lǐng)導廠商意法半導體進一步完善了公司專門為簡單的低成本應用設計的ST7UltraLite系列8引腳微控制器產(chǎn)品陣容，新的ST7FLITEU0系列產(chǎn)品在現(xiàn)有產(chǎn)品的豐富外設基礎(chǔ)上擴大了存儲容量和有用的系統(tǒng)功能。采用8引腳的SO、DIP和0.9mm厚的DFN封裝，工作溫度高達125℃，新系列產(chǎn)品是HVAC(暖風、通風和空調(diào))、家電、照明控制和電動工具市場的最佳選擇。 由于內(nèi)置的2KB閃存程序存儲器的容量是以前產(chǎn)品的二倍，同時還內(nèi)置一個128字節(jié)的數(shù)據(jù)EEPROM，新產(chǎn)品雖然
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三大DRAM廠商瘋狂擴產(chǎn) 致內(nèi)存價崩潰
- 據(jù)業(yè)界消息稱，由于美光科技公司(Micron Technology, Inc.)、爾必達(ELPIDA MEMORY) 和海力士半導體（Hynix Semiconductor Inc.)等三家內(nèi)存廠商提高了DRAM的產(chǎn)量，因此DRAM內(nèi)存價格近期出現(xiàn)大幅下跌。 據(jù)悉，這三家廠商紛紛調(diào)整調(diào)整產(chǎn)能，將之前生產(chǎn)其它類型產(chǎn)品的生產(chǎn)線全部轉(zhuǎn)而生產(chǎn)DRAM內(nèi)存。據(jù)預測，07年第二季度受上述三家廠商產(chǎn)能調(diào)節(jié)影響，全球DRAM內(nèi)存產(chǎn)量將增長20-30%。 美光科技由于預測07年受手機市場帶動，CIS（C
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NAND Flash和NOR Flash的比較
- NOR和NAND是現(xiàn)在市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開發(fā)出NOR flash技術(shù)，徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統(tǒng)天下的局面。緊接著，1989年，東芝公司發(fā)表了NAND flash結(jié)構(gòu)，強調(diào)降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盤一樣可以通過接口輕松升級。但是經(jīng)過了十多年之后，仍然有相當多的硬件工程師分不清NOR和NAND閃存。 相“flash存儲器”經(jīng)常可以與相“NOR存儲器”互換使用。許多業(yè)內(nèi)人士也搞不清楚NAND閃存技術(shù)相對于NOR技術(shù)的優(yōu)越之處，因
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存儲兩重天 模擬獲利高
- 隨著各大半導體巨頭陸續(xù)公布2006年(日歷年)第四季度和全年財報，過去一年中半導體產(chǎn)業(yè)的一些脈絡也逐漸清晰起來。半導體市場規(guī)模在2006年創(chuàng)出新高之后，2007年有望繼續(xù)保持接近兩位數(shù)的增長，半導體產(chǎn)業(yè)的周期性明顯減弱。得益于存儲器市場的快速增長，海力士、奇夢達、Elpida、三星等公司的收入都有所增長，然而，DRAM市場與NAND、NOR閃存市場的冰火兩重天導致并非所有的存儲器廠家都笑逐顏開。雖然2006年半導體封裝測試業(yè)的收入大幅增長，但是芯片廠商尤其是模擬芯片廠商的利潤率還是在半導體行業(yè)中居于領(lǐng)先地
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存儲器介紹
什么是存儲器
存儲器（Memory）是計算機系統(tǒng)中的記憶設備，用來存放程序和數(shù)據(jù)。計算機中的全部信息，包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計算機程序、中間運行結(jié)果和最終運行結(jié)果都保存在存儲器中。它根據(jù)控制器指定的位置存入和取出信息。
存儲器的構(gòu)成
構(gòu)成存儲器的存儲介質(zhì)，目前主要采用半導體器件和磁性材料。存儲器中最小的存儲單位就是一個雙穩(wěn)態(tài)半導體電路或一個CMOS晶體管或磁性材 [ 查看詳細 ]
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