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安世半導(dǎo)體
安世半導(dǎo)體 文章 進(jìn)入安世半導(dǎo)體技術(shù)社區(qū)
最大程度提高對(duì)汽車以太網(wǎng)應(yīng)用的ESD保護(hù)
- 數(shù)十年來，以太網(wǎng)廣泛應(yīng)用于工業(yè)和計(jì)算網(wǎng)絡(luò)，但如今，越來越多地部署到汽車應(yīng)用，取代了控制器局域網(wǎng)絡(luò)(CAN)等傳統(tǒng)網(wǎng)絡(luò)。汽車以太網(wǎng)提供拓?fù)潇`活性、高帶寬和穩(wěn)定的通信，能夠滿足原始設(shè)備制造商(OEM)從域向區(qū)域網(wǎng)絡(luò)架構(gòu)過渡期間的車內(nèi)數(shù)據(jù)通信需求。本文首先討論各種汽車以太網(wǎng)標(biāo)準(zhǔn)，然后再考慮它們必須符合的嚴(yán)格靜電保護(hù)(ESD)和電磁兼容性(EMC)標(biāo)準(zhǔn)。最后介紹 Nexperia（安世半導(dǎo)體）的一系列元件，汽車 OEM 可利用這些元件確保車輛網(wǎng)絡(luò)在發(fā)生 ESD 事件時(shí)得到全面保護(hù)。汽車以太網(wǎng)標(biāo)準(zhǔn)2016 年，開放
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迎接汽車電動(dòng)化時(shí)代的來臨，安世半導(dǎo)體引領(lǐng)MOSFET技術(shù)革命
- 近年來，汽車行業(yè)正迅速邁入智能化和電動(dòng)化的新紀(jì)元。新能源汽車的銷量與市場(chǎng)滲透率持續(xù)攀升。據(jù)彭博社預(yù)測(cè)，2023年，全球新能源汽車的銷量將達(dá)到1,410萬(wàn)輛，其中中國(guó)市場(chǎng)將占據(jù)大約60%的份額。在汽車向電動(dòng)化的轉(zhuǎn)型過程中，盡管 SiC 和 GaN 等第三代半導(dǎo)體材料備受關(guān)注，但電動(dòng)汽車制造商仍對(duì)成本持保守態(tài)度。目前，成本效益高且性能穩(wěn)定的硅基 MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）繼續(xù)在車載電子、電驅(qū)動(dòng)以及電池管理系統(tǒng)中發(fā)揮核心作用。去年 MOSFET 的大量缺貨進(jìn)一步突顯了這一點(diǎn)。然而，要滿足日益增
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美國(guó)芯片公司Vishay將收購(gòu)安世半導(dǎo)體紐波特晶圓廠
- 11月8日，美國(guó)芯片公司Vishay Intertechnology和安世半導(dǎo)體（Nexperia）宣布，雙方已經(jīng)達(dá)成協(xié)議，Vishay將以1.77億美元現(xiàn)金收購(gòu)Nexperia位于英國(guó)南威爾士紐波特的晶圓制造廠和相關(guān)業(yè)務(wù)。紐波特晶圓廠交易需接受英國(guó)政府審查，并符合第三方購(gòu)買權(quán)和慣例成交條件，預(yù)計(jì)將于2024年第一季度完成。資料顯示，紐波特晶圓廠是一家200mm半導(dǎo)體晶圓廠，經(jīng)過汽車認(rèn)證，主要供應(yīng)汽車市場(chǎng)。占地28英畝，是英國(guó)規(guī)模最大的半導(dǎo)體制造廠。Vishay總裁兼首席執(zhí)行官Joel Smejkal表示
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1.77億美元，安世半導(dǎo)體脫手英國(guó)最大晶圓廠
- 在英國(guó)晶圓廠 Newport Wafer Fab（NWF）收購(gòu)案按下回退鍵一年后，聞泰科技被迫出售了 NWF 母公司 NEPTUNE 6 LIMITED100% 股權(quán)。11 月 8 日晚間，聞泰科技公告，全資子公司 Nexperia B.V.（下稱「安世半導(dǎo)體」）擬轉(zhuǎn)讓 NEPTUNE 6 LIMITED 的 100% 股權(quán)，受讓方為紐交所上市公司 Vishay 的全資子公司 Siliconix，交易金額基礎(chǔ)值為 1.77 億美元（含安世半導(dǎo)體對(duì)標(biāo)的公司的債權(quán)）。聞泰科技稱，向 Siliconix 出售
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SiC和GaN的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)與技術(shù)挑戰(zhàn)
- 1? ?SiC和GaN應(yīng)用及優(yōu)勢(shì)我們對(duì)汽車、工業(yè)、數(shù)據(jù)中心和可再生能源等廣泛市場(chǎng)中的碳化硅(SiC) 和氮化鎵（GaN）應(yīng)用感興趣。一些具體的例子包括：●? ?電動(dòng)汽車（EV）：SiC和GaN 可用于電動(dòng)汽車，以提高效率、續(xù)航里程和整車性能。例如，SiC MOSFET 分立器件可用于牽引逆變器和車載充電，以減少功率損耗并提高效率。●? ?數(shù)據(jù)中心：SiC 和GaN 可用于數(shù)據(jù)中心電源，以提高效率并降低運(yùn)營(yíng)成本?！? ?可再生能
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如何選擇符合應(yīng)用散熱要求的半導(dǎo)體封裝
- 為了滿足應(yīng)用的散熱要求，設(shè)計(jì)人員需要比較不同半導(dǎo)體封裝類型的熱特性。在本博客中， Nexperia（安世半導(dǎo)體）討論了其焊線封裝和夾片粘合封裝的散熱通道，以便設(shè)計(jì)人員選擇更合適的封裝。焊線器件中的熱傳導(dǎo)如何實(shí)現(xiàn)焊線封裝器件中的主要散熱通道是從結(jié)參考點(diǎn)到印刷電路板（PCB）上的焊點(diǎn)，如圖1所示。按照一階近似的簡(jiǎn)單算法，次要功耗通道的影響（如圖所示）在熱阻計(jì)算中可以忽略不計(jì)。焊線器件中的散熱通道夾片粘合器件中的雙熱傳導(dǎo)通道夾片粘合封裝在散熱上與焊線封裝的區(qū)別在于，器件結(jié)的熱量可以沿兩條不同的通道耗散出去，即通
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AN90039用于汽車以太網(wǎng)應(yīng)用的ESD保護(hù)器件（100Base-T1、1000Base-T1）（下）
- 本應(yīng)用筆記介紹適用于 100BASE-T1 和 1000BASE-T1 的現(xiàn)代半導(dǎo)體 ESD 保護(hù)器件的特性。ESD 保護(hù)器件的作用是實(shí)現(xiàn)穩(wěn)健的系統(tǒng)，使系統(tǒng)能夠承受破壞性的 ESD 事件并提供更高的EMC性能。本文提供了使用共模扼流圈（CMC）來增強(qiáng)這種耐受性的建議。04 ESD保護(hù)器件的SI和影響4.1. PCB 層疊汽車應(yīng)用最常用的是四層或更多層的印刷電路板（PCB）。大規(guī)模生產(chǎn)中的大多數(shù)應(yīng)用通?；跇?biāo)準(zhǔn)的 FR4 PCB 技術(shù)。典型 PCB 層疊及尺寸如圖 11 所示。需要注意的是，這種層疊只是一個(gè)
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用于汽車以太網(wǎng)應(yīng)用的ESD保護(hù)器件（100Base-T1、1000Base-T1）（上）
- 本應(yīng)用筆記介紹適用于 100BASE-T1 和 1000BASE-T1 的現(xiàn)代半導(dǎo)體 ESD 保護(hù)器件的特性。ESD 保護(hù)器件的作用是實(shí)現(xiàn)穩(wěn)健的系統(tǒng)，使系統(tǒng)能夠承受破壞性的 ESD 事件并提供更高的EMC性能。本文提供了使用共模扼流圈（CMC）來增強(qiáng)這種耐受性的建議。本應(yīng)用筆記分為（上）（下）兩部分，您現(xiàn)在看到的是（上）。01 引言目前有幾種以太網(wǎng)解決方案在工業(yè)和商業(yè)應(yīng)用中非常流行，但幾十年來，并沒有在汽車領(lǐng)域得到廣泛采用。到 2016 年，汽車行業(yè)中共推出了 100BASE-T1 和 1000BASE-
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安世半導(dǎo)體致力于為中國(guó)汽車半導(dǎo)體保駕護(hù)航
- 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的專家，安世半導(dǎo)體今日宣布將再次亮相于2021年11月5日至10日在上海舉辦的第四屆中國(guó)國(guó)際進(jìn)口博覽會(huì)，介紹安世半導(dǎo)體如何運(yùn)用邏輯電路、分立器件和MOSFET方面的最新進(jìn)步推動(dòng)全世界電子設(shè)計(jì)的發(fā)展。 安世半導(dǎo)體首席執(zhí)行官?gòu)垖W(xué)政表示：“我們非常高興繼2020年首次成功參加第三屆中國(guó)國(guó)際進(jìn)口博覽會(huì)之后，連續(xù)第二年參加此屆盛會(huì)。我們將為與會(huì)領(lǐng)導(dǎo)和來賓展示安世半導(dǎo)體是如何通過增加產(chǎn)能、創(chuàng)新和運(yùn)用氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）和IGBT等新技術(shù)，推動(dòng)中國(guó)汽車產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，讓世界變得更美
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安世半導(dǎo)體亮相唯樣直播間
- 2020年8月6日晚21：00，伴隨著一聲“謝謝觀看，我們下期再見”，宣告了本次 唯樣聯(lián)合功率半導(dǎo)體巨頭Nexperia 舉辦的直播活動(dòng)圓滿落幕！繼2020年6月，唯樣商城聯(lián)合Nexperia（安世半導(dǎo)體）舉辦 “超級(jí)品牌周” 活動(dòng)之后，雙方再度攜手，共同啟動(dòng)了一場(chǎng) 電子人都聽得懂的功率半導(dǎo)體巨頭“直播秀” ！直播以 《首度公開：全球半導(dǎo)體基礎(chǔ)元器件高產(chǎn)能巨無霸養(yǎng)成記》 為主題，從全球半導(dǎo)體巨無霸Nexperia的前世今生，講到當(dāng)下備受矚目的 “新基建”的超全市場(chǎng)覆蓋、新一代GaN (氮化鎵) FET解決
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助力新基建，安世半導(dǎo)體升級(jí)GaN產(chǎn)品線
- 近日，安世半導(dǎo)體宣布推出新一代H2技術(shù)的全新650V GaN（氮化鎵） FET。重點(diǎn)應(yīng)用場(chǎng)合包括電動(dòng)汽車的車載充電器、高壓DC-DC直流轉(zhuǎn)換器和發(fā)動(dòng)機(jī)牽引逆變器; 1.5~5kW鈦金級(jí)工業(yè)電源，用于機(jī)架裝配的電信設(shè)備、5G設(shè)備和數(shù)據(jù)中心相關(guān)設(shè)備。 日前，安世半導(dǎo)體MOS業(yè)務(wù)集團(tuán)大中華區(qū)總監(jiān)李東岳詳細(xì)解析了安世半導(dǎo)體的GaN FET藍(lán)圖以及新一代GaN FET的特性。 新一代GaN產(chǎn)品升級(jí) 2019年，安世半導(dǎo)體正式推出650V GaN MOSFET，采用級(jí)聯(lián)技術(shù)，利用高壓GaN配合低壓
- 關(guān)鍵字： 安世半導(dǎo)體 GaN
安世半導(dǎo)體推出采用LFPAK56封裝的0.57m?產(chǎn)品
- 奈梅亨，2020年2月19日：安世半導(dǎo)體，分立器件和MOSFET器件及模擬和邏輯集成電路器件領(lǐng)域的生產(chǎn)專家，今日宣布推出有史以來最低RDS(on)的功率MOSFET。今日推出的PSMNR51-25YLH已經(jīng)是業(yè)內(nèi)公認(rèn)的低壓、低RDS(on)的領(lǐng)先器件，它樹立了25 V、0.57 m?的新標(biāo)準(zhǔn)。該市場(chǎng)領(lǐng)先的性能利用安世半導(dǎo)體獨(dú)特的NextPowerS3技術(shù)實(shí)現(xiàn)，并不影響最大漏極電流(ID(max))、安全工作區(qū)(SOA)或柵極電荷QG等其他重要參數(shù)。?很多應(yīng)用均需要超低RDS(on)器件，例如OR
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恒流LED驅(qū)動(dòng)器：經(jīng)濟(jì)高效、可靠、使用方便
- LEDs are widely used across all market segments. Although high power LEDs need complex driver schemes, the vast majority of applications use LEDs with currents below 500 mA and can be driven by linear constant-current LED drivers. These are easy-to-use, r
- 關(guān)鍵字： 恒流LED驅(qū)動(dòng)器 安世半導(dǎo)體
聞泰科技收購(gòu)安世半導(dǎo)體事項(xiàng)獲得證監(jiān)會(huì)審核通過
- 6月5日，歷時(shí)近一年的聞泰科技收購(gòu)安世半導(dǎo)體事項(xiàng)獲得證監(jiān)會(huì)審核通過，這是迄今為止中國(guó)最大的半導(dǎo)體收購(gòu)案，也意味著半導(dǎo)體領(lǐng)域的整合再次邁出了關(guān)鍵一步，為集中資源優(yōu)勢(shì)進(jìn)行半導(dǎo)體關(guān)鍵領(lǐng)域的突破奠定了基礎(chǔ)。
- 關(guān)鍵字： 聞泰科技 安世半導(dǎo)體 并購(gòu)
安徽合肥：“IC之都”夢(mèng)想照進(jìn)現(xiàn)實(shí)
- 向來低調(diào)的安徽省會(huì)合肥，近來因一起中國(guó)半導(dǎo)體最大跨境并購(gòu)案在海外聲名鵲起——作為最大單一投資人，聯(lián)合國(guó)內(nèi)數(shù)十家資本方在競(jìng)爭(zhēng)中脫穎而出，以27.5億美元一舉收購(gòu)全球稀缺的優(yōu)質(zhì)標(biāo)的安世半導(dǎo)體。
- 關(guān)鍵字： 合肥 安世半導(dǎo)體 IC之都
安世半導(dǎo)體介紹
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