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寬帶隙(WBG)半導體: 切實可靠的節(jié)能降耗解決方案
- 減少能源轉(zhuǎn)換損耗和提高能效是人們的不懈追求，新的寬帶隙 (WBG) 半導體是一個切實可靠的節(jié)能降耗解決方案，可以通過系統(tǒng)方式減少碳足跡來減輕技術(shù)對環(huán)境的影響。例如，我們最新的 650 V、 750 V 和 1,200 V STPOWER 系列碳化硅 MOSFET 晶體管，可以讓設(shè)計人員開發(fā)續(xù)航里程更長的電動汽車動力總成系統(tǒng)。更高的能效可以大幅簡化冷卻系統(tǒng)設(shè)計，更小更輕的電子設(shè)備有助于最大限度降低車自重，在相同電量條件下，自重更輕的汽車行跑得更遠。意法半導體汽車和分立器件產(chǎn)品部(ADG)?Fil
- 關(guān)鍵字： 202207 寬帶隙 WBG 意法半導體
寬帶隙 (WBG) 半導體：切實可靠的節(jié)能降耗解決方案
- 受訪人：Filippo Di Giovanni（意法半導體汽車和分立器件產(chǎn)品部(ADG)）1.氮化鎵和碳化硅同屬第三代半導體，在材料特性上有什么相似之處和不同之處？根據(jù)其不同的特性，分別適用在哪些應用領(lǐng)域？貴公司目前在SiC和GaN兩種材料的半導體器件方面都有哪些主要的產(chǎn)品？ 意法半導體的第三代碳化硅是我們的STPOWER SiC MOSFET技術(shù)改良研發(fā)活動取得的新進展，是為了更好地滿足電動汽車廠商在用碳化硅設(shè)計的動力電機逆變器、車載充電機和DC-DC轉(zhuǎn)換器時的嚴格要求。在高端工業(yè)領(lǐng)域，我們的第三代碳
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英飛凌與臺達雙強連手：以寬帶隙技術(shù)搶攻高端服務器及電競電源市場
- 數(shù)字化、低碳化等全球大趨勢推升了采用寬帶隙 (WBG)器件碳化硅/氮化鎵 (SiC/GaN) 器件的需求。這類器件具備獨特的技術(shù)特性，能夠助力電源產(chǎn)品優(yōu)化性能和能源效率。英飛凌科技公司 (FSE: IFX / OTCQX: IFNNY) 與臺達電子工業(yè)股份有限公司 (TWSE: 2308) 兩家全球電子大廠，長期致力于創(chuàng)新的半導體和電力電子領(lǐng)域，今日宣布深化其合作，強化寬帶隙SiC及GaN器件在高端電源產(chǎn)品上的應用，為終端客戶提供出色的解決方案。??600 V CoolGaN HSOF
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