晶體管 文章 進入晶體管技術(shù)社區(qū)
摩爾定律十年后失效 業(yè)界爭議甚囂塵上
- 今年12月16日是晶體管誕生60周年紀(jì)念日，但是摩爾定律的發(fā)現(xiàn)者，英特爾公司聯(lián)合創(chuàng)始人戈登▪摩爾卻在接受美聯(lián)社采訪時說，摩爾定律還只能延續(xù)十年，此后在技術(shù)上將會變得十分困難，在他看來，晶體管體積繼續(xù)縮小的物理極限即將達到。美聯(lián)社評論稱，由此，曾經(jīng)驅(qū)動了數(shù)字技術(shù)革命--甚至是現(xiàn)代經(jīng)濟--的半導(dǎo)體技術(shù)引擎將"剎車"停車。 "摩爾定律"可以簡述為：每18個月，同一面積芯片上可以集成的晶體管數(shù)量將翻一番，而價格下降一半。問世40多年來，摩爾定律對推動整個半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展，驅(qū)動數(shù)字革命和加速信息
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FPGA加速滲透非傳統(tǒng)應(yīng)用領(lǐng)域
- 自從1985年首款FPGA器件誕生以來，F(xiàn)PGA產(chǎn)業(yè)一方面修煉內(nèi)功——從技術(shù)上來說，工藝從2μm發(fā)展到65nm，晶體管數(shù)量從8.5萬個增長到10億個以上;另一方面向外擴張——應(yīng)用領(lǐng)域從最初的通信業(yè)不斷向消費電子、汽車、工業(yè)控制等滲透，同時在不斷“蠶食”DSP、ASIC、ASSP和嵌入式處理器的市場。如今，Xilinx、Altera和Actel等FPGA產(chǎn)業(yè)的領(lǐng)導(dǎo)廠商也不再是20多年前的孤軍奮戰(zhàn)，在其周圍，F(xiàn)PGA開發(fā)和應(yīng)用的生態(tài)系統(tǒng)已然初步形成，大大促進了FPGA產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。 “非傳統(tǒng)”應(yīng)用領(lǐng)域
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CEO如是說：對于可持續(xù)發(fā)展，電子行業(yè)做得太少
- Applied CEO Mike Splinter指出，在生態(tài)可持續(xù)發(fā)展方面，電子行業(yè)做的還太少，在半導(dǎo)體制造業(yè)必須開始朝一個目標(biāo)努力。Splinter指出，半導(dǎo)體行業(yè)持續(xù)地關(guān)注電子產(chǎn)品的速度和性能，而不夠重視能源使用效率。他說，未來的芯片架構(gòu)必須關(guān)注功率優(yōu)化。Splinter補充說，隨著消費電子中半導(dǎo)體產(chǎn)品的使用，芯片在可持續(xù)發(fā)展上扮演著重要的角色。 在和印度半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(India Semiconductor Association)的一位成員交談時，Splinter說尤其在少數(shù)半導(dǎo)體制造
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使用雙極晶體管進行鋰離子電池充電
- 序言隨著便攜式手持設(shè)備(如手機、PDA等)的功能不斷增加，加上對較小體積與更長電池壽命的要求，使得鋰電池成為許多此類設(shè)備的首選供電能源。本文將討論線性充電技術(shù)與相關(guān)的離散調(diào)節(jié)元件，并重點討論主要離散參數(shù)與選擇標(biāo)準(zhǔn)。 鋰離子電池充電周期為模擬充電電路中的主要功率損耗，以便選擇正確的元件，我們必須了解鋰離子(Li-Ion)電池的充電周期。圖1 顯示了單個鋰離子電池的典型充電周期。預(yù)充電壓閾值(VPRE)、上端電池電極電壓閾值(VT)、以及再充電閾值(VRECHG)，取決于鋰離子電池的種類及不同的生產(chǎn)商。而
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Zetex晶體管提升電源功率密度
- 模擬信號處理及功率管理解決方案供應(yīng)商Zetex Semiconductors (捷特科) 公司，推出一系列微型NPN及PNP晶體管，以迎合新一代電源設(shè)備中MOSFET柵極驅(qū)動需求。全新的ZXTN及ZXTP晶體管是首次采用SOT23FF封裝的雙極器件，占板面積為2.5 x 3mm，板外高度只有1mm。它們可提供更低的飽和電壓和更高的電流增益保持，有助于改善電路效率和降低工作溫度。 Zetex亞太區(qū)銷售副總裁李錦華表示：“我們最新的雙極晶體管能夠支持20V至1
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應(yīng)用材料公司推出Centura Carina Etch系統(tǒng)克服高K介電常數(shù)
- 近日，應(yīng)用材料公司推出Centura® Carina™ Etch系統(tǒng)用于世界上最先進晶體管的刻蝕。運用創(chuàng)新的高溫技術(shù)，它能提供45納米及更小技術(shù)節(jié)點上采用高K介電常數(shù)/金屬柵極(HK/MG)的邏輯和存儲器件工藝擴展所必需的材料刻蝕輪廓，是目前唯一具有上述能力并可以用于生產(chǎn)的解決方案。應(yīng)用材料公司的Carina技術(shù)具有獨一無二的表現(xiàn)，它能達到毫不妥協(xié)的關(guān)鍵刻蝕參數(shù)要求：平坦垂直，側(cè)邊輪廓不含任何硅材料凹陷，同時沒有任何副產(chǎn)品殘留物。 應(yīng)用材料公司資深副總裁、硅系統(tǒng)業(yè)務(wù)
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飛思卡爾推出最高功率的LDMOS射頻功率晶體管
- 飛思卡爾半導(dǎo)體日前在IEEE MTT-S國際微波大會上宣布推出全球最高功率的LDMOS射頻功率晶體管。MRF6VP11KH 設(shè)備提供130 MHz、1 kW的脈沖射頻輸出功率，具有同類設(shè)備最高的排放效率和功率增益。 這種超高效率晶體管是飛思卡爾承諾為工業(yè)、科技和醫(yī)療（ISM）市場提供業(yè)界最具創(chuàng)新力的射頻功率解決方案的最新例證。該晶體管的操作電壓為50V，與雙極和MOSFET 設(shè)備相比，它具有明顯的優(yōu)勢。它能夠提供核磁共振成像(MRI)系統(tǒng)、CO2激光器、等
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安森美擴展低Vce(sat)雙極結(jié)晶體管產(chǎn)品
- 電源管理半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體(ONSemiconductor)推出采用先進硅技術(shù)的PNP與NPN器件，豐富了其業(yè)界領(lǐng)先的低Vce(sat)雙極結(jié)晶體管(BJT)產(chǎn)品系列。這兩種新型晶體管與傳統(tǒng)的BJT或平面MOSFET相比，不僅實現(xiàn)了能效的最大化，而且還延長了電池的使用壽命。最新的低Vce(sat)BJT包括WDFN、SOT-23、SOT-223、SOT-563、ChipFET及SC-88等多種封裝形式，非常適用于多種便攜式應(yīng)用。
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恩智浦推出UHF波段高壓LDMOS晶體管BLF878
- 恩智浦半導(dǎo)體(NXPSemiconductors)（由飛利浦創(chuàng)建的獨立半導(dǎo)體公司）日前推出了全球首款真正的300W超高頻（UHF）晶體管，即第六代高壓LDMOS晶體管BLF878。這一新的大功率晶體管是市場上唯一能夠在整個UHF波段以杰出線性性能和穩(wěn)定性能提供300W功率的解決方案，主要面向電視發(fā)射及廣播市場。電視廣播發(fā)射行業(yè)不斷提高輸出功率以滿足高清電視的需求，廣播商憑借恩智浦的這一最新高效率解決方案能夠顯著提高輸出功率，同時降低成本。 如今的高性能電視發(fā)射機投資巨大，所以廣播商正
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恩智浦推出最新一代低VCEsat晶體管
- 恩智浦半導(dǎo)體（由飛利浦創(chuàng)建的獨立半導(dǎo)體公司）發(fā)布了最新一代低VCEsat晶體管，與普通晶體管相比，其功率損耗可減少80%。恩智浦新型BISS（小信號擊穿）晶體管具有超低飽和電壓（1安培時低于60毫瓦）、高電路效率和更低的能源消耗，并能減少便攜式電池供電產(chǎn)品（如筆記本電腦、PDA和數(shù)碼相機）的發(fā)熱量。先進的BISS雙極晶體管還可用于需要低等效導(dǎo)通電阻的工業(yè)及汽車領(lǐng)域。 華碩公司研發(fā)處主任鄭慶福表示：“卓越的節(jié)能性能是華碩科技（ASUSTek）非常關(guān)注的一項重要性能，也是我們獲得世界首個筆記本電腦T
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晶體管介紹
【簡介】
晶體管（transistor）是一種固體半導(dǎo)體器件，可以用于檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號調(diào)制和許多其它功能。晶體管作為一種可變開關(guān)，基于輸入的電壓，控制流出的電流，因此晶體管可做為電流的開關(guān)，和一般機械開關(guān)（如Relay、switch）不同處在于晶體管是利用電訊號來控制，而且開關(guān)速度可以非常之快，在實驗室中的切換速度可達100GHz以上。
半導(dǎo)體三極管，是內(nèi)部含有兩個P [ 查看詳細(xì) ]
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