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          EEPW首頁 >> 主題列表 >> 碳化硅!

          羅姆子公司SiCrystal和意法半導體宣布簽署碳化硅晶圓長期供應協(xié)議

          • 近日,羅姆和橫跨多重電子應用領(lǐng)域的全球領(lǐng)先的半導體供應商意法半導體(STMicroelectronics,簡稱ST;)宣布,意法半導體與羅姆集團旗下的SiCrystal公司簽署一了份碳化硅(SiC)晶圓長期供應協(xié)議。SiCrystal為一家在歐洲SiC晶圓市場占有率領(lǐng)先的龍頭企業(yè)。協(xié)議規(guī)定, SiCrystal將向意法半導體提供總價超過1.2億美元的先進的150mm碳化硅晶片,滿足時下市場對碳化硅功率器件日益增長的需求。意法半導體總裁兼首席執(zhí)行官Jean-Marc Chery表示:“該SiC襯底長期供應協(xié)
          • 關(guān)鍵字: 碳化硅  晶圓  

          環(huán)球晶圓:硅晶圓明年回溫

          • 半導體硅晶圓大廠環(huán)球晶圓董事長徐秀蘭日前表示,明年半導體景氣仍受貿(mào)易摩擦、總體經(jīng)濟及匯率三大變數(shù)干擾,但從客戶端庫存改善、拉貨動能加溫,以及應用擴大等來看,硅晶圓產(chǎn)業(yè)已在本季落底,明年上半年整體景氣動能升溫速度優(yōu)于預期,她預估環(huán)球晶圓明年首季與本季持平或略增,往后將會逐季成長。
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          Maxim發(fā)布隔離式碳化硅柵極驅(qū)動器,提供業(yè)界最佳電源效率、有效延長系統(tǒng)運行時間

          • 近日,Maxim Integrated Products, Inc 宣布推出MAX22701E隔離柵極驅(qū)動器,幫助高壓/大功率系統(tǒng)設計者將電源效率提升4%,優(yōu)于競爭產(chǎn)品;功耗和碳排放減少30%。驅(qū)動器IC優(yōu)化用于工業(yè)通信系統(tǒng)的開關(guān)電源,典型應用包括太陽能電源逆變器、電機驅(qū)動、電動汽車、儲能系統(tǒng)、不間斷電源、數(shù)據(jù)農(nóng)場及其他大功率/高效率電源等。目前,許多開關(guān)電源采用寬帶隙碳化硅(SiC)晶體管來提高電源效率和晶體管可靠性。但是,高開關(guān)頻率的瞬態(tài)特性會產(chǎn)生較大噪聲,影響系統(tǒng)的正常工作或者需要額外的措施抑制干擾
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          意法半導體完成對碳化硅晶圓廠商Norstel AB的并購

          • 近日, 橫跨多重電子應用領(lǐng)域的全球領(lǐng)先的半導體供應商意法半導體(STMicroelectronics,簡稱ST)于12月2日宣布,完成對瑞典碳化硅(SiC)晶圓制造商Norstel AB(“ Norstel”)的整體收購。在2019年2月宣布首次交易后,意法半導體行使期權(quán),收購了剩余的45%股份。Norstel并購案總價為1.375億美元,由現(xiàn)金支付。
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          科銳與ABB在汽車和工業(yè)領(lǐng)域展開SiC合作

          • 全球碳化硅(SiC)技術(shù)領(lǐng)先企業(yè)科銳與ABB電網(wǎng)事業(yè)部宣布達成合作,共同擴展SiC在快速增長大功率半導體市場的采用。協(xié)議內(nèi)容包括在ABB種類齊全的產(chǎn)品組合中將采用科銳Wolfspeed SiC基半導體,這將助力科銳擴大客戶基礎(chǔ),同時加快ABB進入正在快速擴大的電動汽車(EV)市場。
          • 關(guān)鍵字: 科銳  ABB  碳化硅  

          北京經(jīng)開區(qū)第三代半導體現(xiàn)新突破

          • 一輛新能源汽車、一組高能效服務器電源,核心功能的實現(xiàn)都離不開電力電子系統(tǒng)中半導體器件的支撐。碳化硅(SiC)作為第三代半導體材料的典型代表,具有低能耗、體積小、重量輕等特點,國際上都在競相研發(fā)碳化硅半導體制備技術(shù)。近日,記者在區(qū)內(nèi)企業(yè)世紀金光半導體有限公司(以下簡稱“世紀金光”)了解到,其研制成功了碳化硅6英寸單晶并實現(xiàn)小批量試產(chǎn),研發(fā)的功率器件和模塊也已大批量應用于新能源汽車、光伏、充電樁、高能效服務器電源、特種電源等領(lǐng)域,實現(xiàn)第三代半導體碳化硅關(guān)鍵領(lǐng)域全面布局。
          • 關(guān)鍵字: 第三代半導體  碳化硅  世紀金光  

          國際首次碳化硅MEMS微推力器陣列在軌點火試驗成功

          • 近日,隨金牛座納星運行了37天的碳化硅MEMS(微機電系統(tǒng))微推力器陣列芯片接受地面點火指令成功點火,在軌驗證了對金牛座納星的姿態(tài)控制技術(shù)。?
          • 關(guān)鍵字: MEMS  碳化硅  微推力器陣列  

          第三代半導體將催生萬億元市場

          •   日前,第三屆中歐第三代半導體高峰論壇在深圳舉行。與會專家學者認為,第三代半導體未來應用潛力巨大,具備變革性的突破力量,是半導體以及下游電力電子、通訊等行業(yè)新一輪變革的突破口。  2018年,美國、歐盟等持續(xù)加大第三代半導體領(lǐng)域研發(fā)支持力度,國際廠商積極、務實推進,商業(yè)化的碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)電力電子器件新品不斷推出,性能日益提升,應用逐漸廣泛。受益于整個半導體行業(yè)宏觀政策利好、資本市場追捧、地方積極推進、企業(yè)廣泛進入等積極因素,國內(nèi)第三代半導體產(chǎn)業(yè)穩(wěn)步發(fā)展。但是,在材料指標、器件性能等方
          • 關(guān)鍵字: 半導體  碳化硅  

          中歐“大咖”齊聚深圳,共話第三代半導體發(fā)展

          • 最近,由深圳市科學技術(shù)協(xié)會、坪山區(qū)人民政府、第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟指導,青銅劍科技、深圳第三代半導體研究院、南方科技大學深港微電子學院主辦,深圳基本半導體、深圳中歐創(chuàng)新中心承辦的第三屆“中歐第三代半導體高峰論壇”在深圳五洲賓館成功舉辦。來自中國和歐洲的專家學者、企業(yè)高管、投資精英等近200名代表參會,圍繞第三代半導體技術(shù)創(chuàng)新、產(chǎn)業(yè)發(fā)展、國際合作進行深入探討與交流,加速第三代半導體材料國產(chǎn)化替代進程,助力國產(chǎn)半導體開辟一片新天地。深圳市科學技術(shù)協(xié)會黨組書記林祥、深圳市坪山區(qū)科技創(chuàng)新局局長黃鳴出席論
          • 關(guān)鍵字: 碳化硅  二極管  MOSFET  

          更高效的半導體材料——碳化硅

          • 在功率電子學中,半導體基于元素硅 - 但碳化硅的能量效率會高得多。巴塞爾大學的物理學家,Paul Scherrer研究所和ABB在科學期刊“應用物理快報”中解釋了阻止硅和碳結(jié)合使用的原因。能源消耗在全球范圍內(nèi)不斷增長,風能和太陽能等可持續(xù)能源供應變得越來越重要。然而,電力通常遠離消費者產(chǎn)生。因此,高效的配電和運輸系統(tǒng)與將產(chǎn)生的直流電轉(zhuǎn)換成交流電的變電站和電力轉(zhuǎn)換器同樣重要。節(jié)省大筆開支現(xiàn)代電力電子設備必須能夠處理大電流和高電壓。目前用于場效應晶體管的半導體材料制成的晶體管現(xiàn)在主要基于硅技術(shù)。然而,在硅上使
          • 關(guān)鍵字: 碳化硅  

          安森美為20歲慶生,“高能效電子創(chuàng)新”顯示旺盛活力

          • 1999年從摩托羅拉半導體部剝離時,安森美只是一家年營業(yè)額12億美元的標準半導體供應商,2018年已達到年營收近60億美元,轉(zhuǎn)型成為領(lǐng)先的高能效創(chuàng)新的半導體方案供應商。過去的20年,是半導體技術(shù)飛躍發(fā)展的20年,也是并購重組頻繁的20年,很多中小公司在并購浪潮中淹沒了,而安森美卻逐漸壯大,形成了自己的特色和穩(wěn)定的市場。安森美的成功經(jīng)驗是什么?如今的特色和對未來的觀察是什么?近日,安森美半導體戰(zhàn)略、營銷及方案工程高級副總裁David Somo和中國區(qū)銷售副總裁謝鴻裕接受了電子產(chǎn)品世界等媒體的采訪。1 靠創(chuàng)新
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          華為出手第三代半導體材料 性能實現(xiàn)千倍提升

          • 華為出資7億元全資控股,剛剛于今年4月23日成立的哈勃科技投資有限公司近日出手,投資了山東天岳先進材料科技有限公司,持股達10%。山東天岳是我國第三代半導體材料碳化硅龍頭企業(yè)。
          • 關(guān)鍵字: 華為  半導體  碳化硅  

          CISSOID發(fā)布最新工業(yè)和汽車級碳化硅功率模塊高溫柵極驅(qū)動器創(chuàng)新成果

          • 中國北京,2019年7月16日–各行業(yè)所需高溫半導體解決方案的領(lǐng)導者CISSOID今日宣布,公司將在7月17日 – 20日于北京舉行的“第二屆亞太碳化硅及相關(guān)材料國際會議”上,發(fā)表題為“一種用于工業(yè)和汽車級碳化硅MOSFET功率模塊的高溫柵極驅(qū)動器”的論文,并介紹公司在該領(lǐng)域的最新研究開發(fā)成果。CISSOID首席技術(shù)官Pierre Delatte將于19日在該會議上發(fā)表該文章。當今,碳化硅(SiC)在汽車制造商的大力追捧下方興未艾,碳化硅技術(shù)可以提供更高的能效和增加功率密度;在工業(yè)應用方面,越來越多的人則
          • 關(guān)鍵字: CISSOID  碳化硅  功率模塊  高溫柵極驅(qū)動器  

          Cree將投資10億美元,擴大SiC(碳化硅)產(chǎn)能

          • 此次產(chǎn)能擴大,將帶來SiC(碳化硅)晶圓制造產(chǎn)能的30倍增長和SiC(碳化硅)材料生產(chǎn)的30倍增長,以滿足2024年之前的預期市場增長 5年的投資,充分利用現(xiàn)有的建筑設施North Fab,并整新200mm設備,建造采用最先進技術(shù)的滿足汽車認證的生產(chǎn)工廠 投資:4.5億美元用于North Fab;4.5億美元用于材料超級工廠(mega factory);1億美元用于伴隨著業(yè)務增長所需要的其它投入
          • 關(guān)鍵字: 碳化硅  碳化硅基氮化鎵  工廠  

          碳化硅MOSFET的短路實驗性能與有限元分析法熱模型的開發(fā)

          • 本文的目的是分析碳化硅MOSFET的短路實驗(SCT)表現(xiàn)。具體而言,該實驗的重點是在不同條件下進行專門的實驗室測量,并借助一個穩(wěn)健的有限元法物理模型來證實和比較測量值,對短路行為的動態(tài)變化進行深度評估。
          • 關(guān)鍵字: 碳化硅(SiC)MOSFET  短路  熱模型  
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          碳化硅!介紹

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