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碳化硅(sic)
碳化硅(sic) 文章 進(jìn)入碳化硅(sic)技術(shù)社區(qū)
基于SiC集成技術(shù)的生物電信號(hào)采集方案
- 人體信息監(jiān)控是一個(gè)新興的領(lǐng)域,人們?cè)O(shè)想開發(fā)無線腦電圖(EEG)監(jiān)控設(shè)備來診斷癲癇病人,可穿戴的無線EEG能夠極大地改善病人的活動(dòng)空間,并最終通過因特網(wǎng)實(shí)現(xiàn)家庭監(jiān)護(hù)。這樣的無線EEG系統(tǒng)已經(jīng)有了,但如何
- 關(guān)鍵字: EEG SiC 生物電信號(hào)采集 IMEC
碳化硅肖特基二極管在電源中的應(yīng)用
- 功率因數(shù)校正(PFC)市場(chǎng)主要受與降低諧波失真有關(guān)的全球性規(guī)定影響。歐洲的EN61000-3-2是交直流供電市場(chǎng)的基本規(guī)定之一,在英國(guó)、日本和中國(guó)也存在類似的標(biāo)準(zhǔn)。EN61000-3-2規(guī)定了所有功耗超過75W的離線設(shè)備的諧波標(biāo)準(zhǔn)。由于北美沒有管理PFC的規(guī)定,能源節(jié)省和空間/成本的考慮成為在消費(fèi)類產(chǎn)品、計(jì)算機(jī)和通信領(lǐng)域中必須使用PFC的
- 關(guān)鍵字: 碳化硅 肖特基二極管 電源 DCM PFC
第三代半導(dǎo)體材料盛行,GaN與SiC如何撬動(dòng)新型功率器件
- GaN 功率管的發(fā)展微波功率器件近年來已經(jīng)從硅雙極型晶體管、場(chǎng)效應(yīng)管以及在移動(dòng)通信領(lǐng)域被廣泛應(yīng)用的LDMOS 管向以碳化硅 ( SiC )、氮鎵 ( GaN ) 為代表的寬禁帶功率管過渡。SiC、GaN 材料,由于具有寬帶隙、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場(chǎng)等突出優(yōu)點(diǎn),與剛石等半導(dǎo)體材料一起,被譽(yù)為是繼第一代 Ge、Si 半導(dǎo)體材料、第二代
- 關(guān)鍵字: GaN SiC 第三代半導(dǎo)體材料
ROHM全SiC功率模塊的產(chǎn)品陣容更強(qiáng)大!支持1200V 400A(BSM400D12P3G002)、600A(BSM600D12P3G001),有助于大功率應(yīng)用的高效化與小型化
- <概要> 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM面向工業(yè)設(shè)備用的電源、太陽(yáng)能發(fā)電功率調(diào)節(jié)器及UPS等的逆變器、轉(zhuǎn)換器,開發(fā)出額定1200V 400A、600A的全SiC功率模塊“BSM400D12P3G002”、“BSM600D12P3G001”?! ”井a(chǎn)品通過ROHM獨(dú)有的模塊內(nèi)部結(jié)構(gòu)及散熱設(shè)計(jì)優(yōu)化,實(shí)現(xiàn)了600A額定電流,由此,在工業(yè)設(shè)備用大容量電源等更大功率產(chǎn)品中的應(yīng)用成為可能。另外,與普通的同等額定電流的IGBT模塊相比,開關(guān)損耗降低了64%(芯片溫度150℃時(shí)),這非常有助于應(yīng)
- 關(guān)鍵字: ROHM SiC
汽車功率元器件市場(chǎng)前景廣闊
- 汽車功率電子產(chǎn)品正成為半導(dǎo)體行業(yè)的關(guān)鍵驅(qū)動(dòng)因素之一。這些電子產(chǎn)品包括功率元器件,是支撐新型電動(dòng)汽車?yán)m(xù)航里程達(dá)到至少200英里的核心部件。 雖然智能手機(jī)的出貨量遠(yuǎn)高于汽車(2015年為14億部[1],汽車銷量為8,800萬輛[2]),但汽車的半導(dǎo)體零件含量卻高得多。汽車功率IC穩(wěn)健增長(zhǎng),2015-2020年該行業(yè)的年復(fù)合增長(zhǎng)率預(yù)計(jì)將達(dá)8%[3]。尤其是電池驅(qū)動(dòng)的電動(dòng)汽車在該行業(yè)成為強(qiáng)勁增長(zhǎng)推動(dòng)力,2015年5月Teardown.com針對(duì)寶馬i3電動(dòng)車的報(bào)告顯示,該車型物料清單中包含100多個(gè)電源
- 關(guān)鍵字: SiC GaN
汽車功率元器件市場(chǎng)前景廣闊
- 雖然智能手機(jī)的出貨量遠(yuǎn)高于汽車(2015年為14億部[1],汽車銷量為8,800萬輛[2]),但汽車的半導(dǎo)體零件含量卻高得多。汽車功率IC穩(wěn)健增長(zhǎng),2015 - 2020年該行業(yè)的年復(fù)合增長(zhǎng)率預(yù)計(jì)將達(dá)8%[3]。尤其是電池驅(qū)動(dòng)的電動(dòng)汽車在該行業(yè)成為強(qiáng)勁增長(zhǎng)推動(dòng)力,2015年5月Teardown.com針對(duì)寶馬i3電動(dòng)車的報(bào)告顯示,該車型物料清單中包含100多個(gè)電源相關(guān)芯片?! ∨c遵循摩爾定律不斷縮小尺寸的先進(jìn)邏輯晶體管不同,功率元器件FET通常運(yùn)用更老的技術(shù)節(jié)點(diǎn),使用200毫米(和
- 關(guān)鍵字: SiC GaN
功率半導(dǎo)體:自主可控迫在眉睫 產(chǎn)業(yè)地位穩(wěn)步提升
- 與市場(chǎng)的不同的觀點(diǎn):傳統(tǒng)觀點(diǎn)認(rèn)為功率半導(dǎo)體競(jìng)爭(zhēng)格局固定,技術(shù)升級(jí)步伐相對(duì)緩慢,與集成電路產(chǎn)業(yè)的重要性不可同日而語(yǔ),中泰電子認(rèn)為隨著新能源車和高端工控對(duì)新型功率器件的需求爆發(fā),功率半導(dǎo)體的產(chǎn)業(yè)地位正在逐步提升,其重要性不亞于規(guī)模更大的“集成電路”。大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的崛起需要“兩條腿走路”(集成電路+功率器件),由于功率半導(dǎo)體的重要性被長(zhǎng)期低估,我國(guó)功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)存在規(guī)模小、技術(shù)落后、品類不全等諸多不足,適逢我國(guó)半導(dǎo)體投融資漸入高峰期,行業(yè)龍頭有望率先受益。大
- 關(guān)鍵字: 功率半導(dǎo)體 SiC
電源設(shè)計(jì)控必須了解的2017三大趨勢(shì)
- 2017電源市場(chǎng)需求和技術(shù)趨勢(shì)風(fēng)向如何?來e星球,與超六萬的專業(yè)人士一起把握潮流! 需求往往是推動(dòng)創(chuàng)新的源泉,無論是時(shí)尚、金融亦或是我們熟悉的電源領(lǐng)域都存在這樣的現(xiàn)象。抓住了用戶需求,潛在的創(chuàng)新動(dòng)力才會(huì)被激發(fā),也只有適應(yīng)需求的創(chuàng)新才是最具生命周期的。2017年電源需求在哪?創(chuàng)新著力點(diǎn)在哪?帶著疑問與期盼請(qǐng)來亞洲第一大電子展——2017年慕尼黑上海電子展一探究竟吧!3月14日-16日將有超過6萬多名的專業(yè)觀眾以及眾多的國(guó)內(nèi)外領(lǐng)先電源廠商集聚上海新國(guó)際博覽中心,深度探討2017年中國(guó)電源市場(chǎng)需求與走勢(shì),
- 關(guān)鍵字: SiC GaN
ROHM參展“2017慕尼黑上海電子展” 五大解決方案蓄勢(shì)待發(fā)
- 2017年3月14日(周二)~16日(周四),全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM將亮相在"上海新國(guó)際展覽中心"舉辦的"2017慕尼黑上海電子展"。屆時(shí)ROHM將在E4館設(shè)有展位(展位號(hào):4100),向與會(huì)觀眾展示ROHM最新的產(chǎn)品與技術(shù)。來到現(xiàn)場(chǎng)還將有ROHM的專業(yè)技術(shù)人員向您做最詳盡的介紹,期待您的到來?! OHM展位信息 "慕尼黑上海電子展"不僅是亞洲領(lǐng)先的電子行業(yè)展覽,還是行業(yè)內(nèi)最重要的盛會(huì)。而作為擁有近60年歷史的綜合性半導(dǎo)體制造商,&
- 關(guān)鍵字: ROHM SiC
新型激光材料加工專利大幅提升SiC生產(chǎn)率
- 日本 DISCO 公司的科學(xué)家們使用一種稱為關(guān)鍵無定形黑色重復(fù)吸收(key amorphous-black repetitive absorption,KABRA)的專利和正在申請(qǐng)專利的激光材料加工技術(shù),可以將碳化硅(SiC)晶圓的生產(chǎn)率提升到原來的四倍,并且在提高產(chǎn)量的同時(shí)減少材料損耗。該技術(shù)適用于單晶和多晶錠,不管晶體層的取向如何。目前,SiC 功率器件在市場(chǎng)中的滲透較慢,主要是因?yàn)槠洚a(chǎn)量小、且生產(chǎn)成本高。然而,KABRA 方法能夠顯著提高 SiC 器件的產(chǎn)量,并且應(yīng)該能夠使 SiC 器件作為功率
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“十三五”期間,功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)應(yīng)有怎樣的路線圖?
- 如果說中央處理器(CPU)是一臺(tái)計(jì)算機(jī)的心臟,功率半導(dǎo)體就是電機(jī)的心臟,它可以實(shí)現(xiàn)對(duì)電能的高效產(chǎn)生、傳輸、轉(zhuǎn)換、存儲(chǔ)和控制。我國(guó)發(fā)布《中國(guó)制造2025》,勾勒出未來十年產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型升級(jí)的整體方向與發(fā)展規(guī)劃,在此過程中,功率半導(dǎo)體發(fā)揮的作用不可替代。 然而,與集成電路產(chǎn)業(yè)相似,我國(guó)功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展水平與國(guó)際先進(jìn)水平也存在著巨大差距。人們常拿我國(guó)每年集成電路進(jìn)口額與石油進(jìn)行比較,其實(shí)如果按比例計(jì)算,我國(guó)功率半導(dǎo)體的進(jìn)口替代能力可能更弱。隨著“節(jié)能減排”、“開發(fā)綠色
- 關(guān)鍵字: 功率半導(dǎo)體 SiC
第三代半導(dǎo)體技術(shù)、應(yīng)用、市場(chǎng)全解析
- 第一代半導(dǎo)體材料是元素半導(dǎo)體的天下,第一代半導(dǎo)體材料是化合物半導(dǎo)體材料,然而隨著半導(dǎo)體器件應(yīng)用領(lǐng)域的不斷擴(kuò)大,特別是特殊場(chǎng)合要求半導(dǎo)體能夠在高溫、強(qiáng)輻射、大功率等環(huán)境下依然堅(jiān)挺,第一、二代半導(dǎo)體材料便無能為力,于是賦予使命的第三代半導(dǎo)體材料——寬禁帶半導(dǎo)體材料誕生了。
- 關(guān)鍵字: 寬禁帶半導(dǎo)體 SiC
碳化硅(sic)介紹
您好,目前還沒有人創(chuàng)建詞條碳化硅(sic)!
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對(duì)碳化硅(sic)的理解,并與今后在此搜索碳化硅(sic)的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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