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          EEPW首頁 >> 主題列表 >> 碳化硅

          三菱電機攜多款碳化硅功率器件亮相PCIM Asia 2017展

          •   三菱電機于6月27至29日在上海世博展覽館舉行的PCIM Asia 2017(上海國際電力元件、可再生能源管理展覽會)展會中,以十款新型功率器件強勢登場,其中第7代IGBT模塊更首次作全電壓、全封裝及全系列展出(三菱電機展位號:E06)?! ∪怆姍C以“創(chuàng)新功率器件構(gòu)建可持續(xù)未來”為主題,今年展出的功率器件應(yīng)用范圍跨越五大領(lǐng)域,包括:變頻家電、鐵道牽引及電力傳輸、電動汽車、工業(yè)應(yīng)用和新能源發(fā)電,致力為客戶提供高性能及低損耗的產(chǎn)品?! ∽冾l家電市場  在變頻家電應(yīng)用方面,三菱電機展出
          • 關(guān)鍵字: 三菱電機  碳化硅  

          碳化硅肖特基二極管在電源中的應(yīng)用

          • 功率因數(shù)校正(PFC)市場主要受與降低諧波失真有關(guān)的全球性規(guī)定影響。歐洲的EN61000-3-2是交直流供電市場的基本規(guī)定之一,在英國、日本和中國也存在類似的標(biāo)準(zhǔn)。EN61000-3-2規(guī)定了所有功耗超過75W的離線設(shè)備的諧波標(biāo)準(zhǔn)。由于北美沒有管理PFC的規(guī)定,能源節(jié)省和空間/成本的考慮成為在消費類產(chǎn)品、計算機和通信領(lǐng)域中必須使用PFC的
          • 關(guān)鍵字: 碳化硅  肖特基二極管  電源  DCM  PFC  

          氮化鎵/碳化硅技術(shù)真的能主導(dǎo)我們的生活方式?

          • 伴隨著第三代半導(dǎo)體電力電子器件的誕生,以碳化硅和氮化鎵為代表的新型半導(dǎo)體材料走入了我們的視野。
          • 關(guān)鍵字: 氮化鎵  碳化硅  

          中國成功研制國產(chǎn)6英寸碳化硅晶片 年產(chǎn)7萬片

          •   從2英寸、3英寸、4英寸到如今的6英寸碳化硅單晶襯底,陳小龍團隊花了10多年時間,在國內(nèi)率先實現(xiàn)了碳化硅單晶襯底自主研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化。   不久前,中國科學(xué)院物理研究所研究員陳小龍研究組與北京天科合達藍(lán)光半導(dǎo)體有限公司(以下簡稱天科合達)合作,解決了6英寸擴徑技術(shù)和晶片加工技術(shù),成功研制出了6英寸碳化硅單晶襯底。   從2英寸、3英寸、4英寸到如今的6英寸碳化硅單晶襯底,陳小龍團隊花了10多年時間,在國內(nèi)率先實現(xiàn)了碳化硅單晶襯底自主研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化。   第三代半導(dǎo)體材料   研究人員告訴記者,上世紀(jì)
          • 關(guān)鍵字: 碳化硅  晶片  

          首批6英寸碳化硅外延晶片在廈門投產(chǎn)

          •   5月29日,國內(nèi)首批產(chǎn)業(yè)化6英寸碳化硅外延晶片在位于廈門火炬高新區(qū)的瀚天天成電子科技(廈門)有限公司投產(chǎn),并交付第一筆商業(yè)訂單產(chǎn)品, 成為國內(nèi)首家提供商業(yè)化6英寸碳化硅外延晶片的生產(chǎn)商。   據(jù)悉,碳化硅是繼第一代硅、鍺和第二代砷化鎵等材料之后的第三代新型半導(dǎo)體材料。碳化硅半導(dǎo)體儀器大禁帶寬度、高臨界場強和高熱導(dǎo)率等優(yōu)良特性,成為制作高溫、高頻和大功率電力電子器件的理想半導(dǎo)體材料。   瀚天天成電子科技(廈門)有限公司總經(jīng)理鄭忠惠介紹,6英寸碳化硅外延晶片相對于4英寸碳化硅外延晶片具有巨大
          • 關(guān)鍵字: 碳化硅  外延晶片  

          三菱電機攜六款新品亮相PCIM亞洲展2014

          •   三菱電機今年以“創(chuàng)新功率器件構(gòu)建可持續(xù)未來”為題,攜帶六款全新產(chǎn)品,于6月17至19日在上海世博展覽館舉行的PCIM亞洲展2014中隆重亮相?! 〗衲暾钩龅漠a(chǎn)品范圍跨越六大領(lǐng)域,包括:工業(yè)應(yīng)用、變頻家電應(yīng)用、可再生能源應(yīng)用、鐵路牽引和電力應(yīng)用、電動汽車應(yīng)用以及碳化硅器件應(yīng)用?! ≡谛庐a(chǎn)品方面,這次展出的全新第7代IGBT模塊,適合應(yīng)用在工業(yè)驅(qū)動和太陽能發(fā)電上。它采用了第7代IGBT硅片和二極管硅片;具有650V、1200V和1700V三種電壓等級;提高利用門極電阻優(yōu)化dv/dt的可控性;涵蓋模塊電流7
          • 關(guān)鍵字: 三菱電機  PCIM  碳化硅  

          東芝擴充碳化硅肖特基勢壘二極管系列

          • 東京—東芝公司(TOKYO:6502)日前宣布將擴充其650V碳化硅(SiC)肖特基勢壘二極管(SBD)系列,為其現(xiàn)有的6A、8A和12A產(chǎn)品陣容中增添一款10A產(chǎn)品。該產(chǎn)品將于即日起批量交付。
          • 關(guān)鍵字: 東芝  碳化硅  

          Mouser推出Cree的1200V高頻碳化硅半電橋模塊

          • Mouser Electronics宣布備貨Cree公司的CAS100H12AM1,這是業(yè)界首款在單個半電橋封裝中結(jié)合SiC MOSFET和SiC肖特基二極管的產(chǎn)品。
          • 關(guān)鍵字: Mouser  CAS100H12AM1  碳化硅  

          Microsemi推出新型SiC肖特基二極管

          • 致力于提供幫助功率管理、安全、可靠與高性能半導(dǎo)體技術(shù)產(chǎn)品的領(lǐng)先供應(yīng)商美高森美公司(Microsemi Corporation,紐約納斯達克交易所代號:MSCC) 推出采用碳化硅(SiC)材料和技術(shù)的全新1200 V 肖特基二極管系列,新的二極管產(chǎn)品瞄準(zhǔn)廣泛的工業(yè)應(yīng)用,包括太陽能逆變器、電焊機、等離子切割機、快速車輛充電、石油勘探。
          • 關(guān)鍵字: 美高森美  碳化硅  二極管  

          天域半導(dǎo)體聯(lián)合中科院發(fā)力“硅”產(chǎn)業(yè)

          •   記者從東莞市天域半導(dǎo)體科技有限公司獲悉,該公司投資碳化硅(SiC)材料這一高科技領(lǐng)域,連續(xù)砸進1.8億元,正與中科院半導(dǎo)體研究所聯(lián)合,進行“第三代半導(dǎo)體碳化硅外延晶片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化”,是我國首家、全球第五家專業(yè)從事第三代半導(dǎo)體碳化硅(SiC)外延片生產(chǎn)、研發(fā)和銷售的高科技企業(yè)。  
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          科銳推出低基面位錯4H碳化硅外延片

          • LED 領(lǐng)域的市場領(lǐng)先者科銳公司(Nasdaq: CREE)日前宣布推出其最新低基面位錯(LBPD)100毫米4H碳化硅外延片。該款低基面位錯材料的外延漂移層的總基面位錯密度小于1 cm-2,引起Vf偏移的基面位錯容量小于0.1 cm-2。
          • 關(guān)鍵字: 科銳  LED  碳化硅  

          科銳推出150毫米4H N型碳化硅外延片

          •  科銳材料產(chǎn)品經(jīng)理 Vijay Balakrishna博士表示:“科銳擁有在碳化硅領(lǐng)域100毫米外延片的強大量產(chǎn)能力。最新的150毫米技術(shù)將進一步提升碳化硅晶圓片的標(biāo)準(zhǔn)??其J的垂直整合能力確保能夠為客戶提供針對高品質(zhì)150毫米碳化硅外延片的完整解決方案,并為電力電子市場的領(lǐng)先企業(yè)提供穩(wěn)定的供貨保障。
          • 關(guān)鍵字: 科銳  碳化硅  LED  

          科銳推出150毫米4H N型碳化硅外延片

          • LED領(lǐng)域的市場領(lǐng)先者科銳公司(Nasdaq: CREE)日前宣布推出高品質(zhì)、低微管的150毫米 4H N型碳化硅外延片??其J通過推出更大直徑的外延片,從而繼續(xù)引領(lǐng)碳化硅材料市場的發(fā)展。此項最新技術(shù)能夠降低設(shè)備成本,并能夠利用現(xiàn)有150毫米設(shè)備工藝線。新型150毫米外延片擁有高度均一的厚度為100微米的外延層,并已開始訂購。
          • 關(guān)鍵字: 科銳  LED  碳化硅  

          開關(guān)電源轉(zhuǎn)換器高性能碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體器件

          • 進入21世紀(jì),開關(guān)電源技術(shù)將會有更大的發(fā)展,這需要我國電力電子、電源、通信、器件、材料等工業(yè)和學(xué)術(shù)各界努...
          • 關(guān)鍵字: 開關(guān)電源  轉(zhuǎn)換器  碳化硅(SiC)  

          具有快速開關(guān)和低VCESAT的1200V碳化硅雙極性晶體管

          • 由于能源成本上升和人們積極應(yīng)對全球變暖,電力電子設(shè)備的能源效率已經(jīng)變得越來越重要。為了提升電力電子設(shè)備的能源效率,具有較低功率損耗的功率半導(dǎo)體器件技術(shù)是關(guān)鍵所在。在半導(dǎo)體器件中,功率損耗的降低可以改善
          • 關(guān)鍵字: VCESAT  1200V  開關(guān)  碳化硅    
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          碳化硅介紹

          碳化硅(SiC)為由硅與碳相鍵結(jié)而成的陶瓷狀化合物,碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。 制造 由于天然含量甚少,碳化硅主要多為人造。最簡單的方法是將氧化硅砂與碳置入艾其遜電弧爐中,以1600至2500°C高溫加熱。 發(fā)現(xiàn) 愛德華·古德里?!ぐ溥d在1893年制造出此化合物,并發(fā)展了生產(chǎn)碳化硅用之艾其遜電弧爐,至今此技術(shù)仍為眾人使用中。 性質(zhì) 碳化硅至少有70種 [ 查看詳細(xì) ]

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