第三代半導(dǎo)體材料 文章 進入第三代半導(dǎo)體材料技術(shù)社區(qū)
筑波網(wǎng)絡(luò)科技x美商泰瑞達共創(chuàng)卓越-4/17第三代半導(dǎo)體材料與測試技術(shù)研討會
- 圖 左起清大材料科學(xué)工程學(xué)系?嚴(yán)大任教授兼全球長、SEMI Taiwan/ 陽明交大光電工程研究所 郭浩中教授、陽明交大機械工程系 成維華教授兼副院長、筑波網(wǎng)絡(luò)科技?許深福董事長、泰瑞達?高士卿臺灣區(qū)總經(jīng)理、陽明交大電子研究所?洪瑞華教授、筑波網(wǎng)絡(luò)科技?許永周項目經(jīng)理、筑波網(wǎng)絡(luò)科技?官暉舜博士/研發(fā)經(jīng)理筑波網(wǎng)絡(luò)科技與美商泰瑞達Teradyne攜手合作，于2024年4月17日成功舉辦首場「第三代半導(dǎo)體材料與測試技術(shù)研討會」。此次研討會邀請產(chǎn)官學(xué)講師
- 關(guān)鍵字： 筑波 泰瑞達 第三代半導(dǎo)體材料
第三代半導(dǎo)體材料市場分析
- 第三代半導(dǎo)體行業(yè)是指基于新型材料和技術(shù)的半導(dǎo)體產(chǎn)品，具有更高的性能和更低的功耗，有望在多個領(lǐng)域取得突破性的應(yīng)用。在當(dāng)前全球科技發(fā)展的背景下，第三代半導(dǎo)體行業(yè)市場具有巨大的潛力和發(fā)展空間。半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展至今經(jīng)歷了三個階段，第一代半導(dǎo)體材料以硅（Si）為代表，以砷化鎵（GaAs）為代表的第二代半導(dǎo)體材料和以氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）、氧化鋅（ZnO）等寬禁帶為代表的第三代半導(dǎo)體材料。相較前兩代產(chǎn)品，第三代半導(dǎo)體的性能優(yōu)勢非常顯著且受到業(yè)內(nèi)廣泛好評。圖片來源網(wǎng)絡(luò)以GaN、SiC為代表的第三代半導(dǎo)體材料最
- 關(guān)鍵字： 202404 第三代半導(dǎo)體材料
8英寸碳化硅襯底材料裝備開發(fā)及產(chǎn)業(yè)化工藝研究項目順利通過中期驗收
- 據(jù)科友半導(dǎo)體官微消息，12月10日，“8英寸碳化硅襯底材料裝備開發(fā)及產(chǎn)業(yè)化工藝研究”項目階段驗收評審會召開。會上，以黑龍江省科學(xué)院原院長郭春景研究員為組長的評審專家組認(rèn)為，科友半導(dǎo)體圓滿完成了計劃任務(wù)書2023年度階段任務(wù)，成功獲得了8英寸碳化硅單晶生長的新技術(shù)和新工藝，建立了碳化硅襯底生產(chǎn)的工藝流程，制定了相關(guān)工藝流程的作業(yè)指導(dǎo)書，一致同意項目通過階段驗收評審。據(jù)了解，8英寸碳化硅襯底材料裝備開發(fā)及產(chǎn)業(yè)化工藝研究項目是2021年哈爾濱市科技專項計劃項目，由哈爾濱科友半導(dǎo)體承擔(dān)，旨在推動8英寸碳化硅裝備國
- 關(guān)鍵字： 碳化硅 科友半導(dǎo)體 第三代半導(dǎo)體材料
第三代半導(dǎo)體布局提速 國產(chǎn)勢力能否“換道超車”？
- 半導(dǎo)體材料目前已經(jīng)發(fā)展至第三代，從傳統(tǒng)Si（硅）功率器件IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）、MOSFET（金氧半場效晶體管），到以SiC（碳化硅）和GaN（氮化鎵）為代表的第三代半導(dǎo)體。在這條賽道上，企業(yè)融資并購、廠商增資擴產(chǎn)、新玩家跑步入場、新項目不斷涌現(xiàn)。與半導(dǎo)體市場整體“低迷”的現(xiàn)狀不同，第三代半導(dǎo)體市場則煥發(fā)著別樣生機。近日，國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心（以下簡稱“國創(chuàng)中心”）在北京召開第一屆理事會第一次會議，標(biāo)志著國創(chuàng)中心正式邁入實際運行階段。國創(chuàng)中心由科技部批復(fù)同意建設(shè)，旨在瞄準(zhǔn)國家戰(zhàn)略需求，統(tǒng)籌
- 關(guān)鍵字： 第三代半導(dǎo)體材料
半導(dǎo)體材料創(chuàng)新鞏固產(chǎn)業(yè)供應(yīng)鏈，賦能智能手機、汽車領(lǐng)域
- 現(xiàn)階段,在整個半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中,針對供應(yīng)優(yōu)化襯底材料方面的角色來說,主要技術(shù)用于加工晶體管隨之產(chǎn)品直接進入到工業(yè)及終端市場......
- 關(guān)鍵字： 第三代半導(dǎo)體材料 Soitec
第三代半導(dǎo)體材料盛行，GaN與SiC如何撬動新型功率器件
- GaN 功率管的發(fā)展微波功率器件近年來已經(jīng)從硅雙極型晶體管、場效應(yīng)管以及在移動通信領(lǐng)域被廣泛應(yīng)用的LDMOS 管向以碳化硅 ( SiC )、氮鎵 ( GaN ) 為代表的寬禁帶功率管過渡。SiC、GaN 材料，由于具有寬帶隙、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場等突出優(yōu)點，與剛石等半導(dǎo)體材料一起，被譽為是繼第一代 Ge、Si 半導(dǎo)體材料、第二代
- 關(guān)鍵字： GaN SiC 第三代半導(dǎo)體材料
| 共6條 1/1 1 |
第三代半導(dǎo)體材料介紹
您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條第三代半導(dǎo)體材料!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對第三代半導(dǎo)體材料的理解，并與今后在此搜索第三代半導(dǎo)體材料的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對第三代半導(dǎo)體材料的理解，并與今后在此搜索第三代半導(dǎo)體材料的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473