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	第九代 v-nand
          

          
	
          
    	
          
    	  	
          
              	
          
                	
          第九代 v-nand 文章
                  進入第九代 v-nand技術社區(qū)  
                  
          
                
          
                                
          
                  

                                
          
                    
          2010年NAND Flash價格發(fā)展持續(xù)兩極化
          
                                                            
            
                    	
          • 　　NAND Flash市場未脫傳統(tǒng)淡季，仍在等待蘋果(Apple)補貨效應出現(xiàn)，2010年1月下旬NAND Flash合約價大致持平，高容量32Gb和64Gb芯片有小幅調漲，低容量芯片要嚴防3-bit-per-cell架構的TLC(Triple- Level Cell)成為市場的價格殺手，但高容量產品新增產能又相當有限，因此2010年NAND Flash價格發(fā)展持續(xù)兩極化。
　　近期NAND Flash現(xiàn)貨價和合約價都有止跌的跡象，1月下旬NAND Flash合約價持平開出，在高容量32Gb和64Gb
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          • 關鍵字：
                        Hynix  NAND                          
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          海力士第4季獲利6,570億韓元　創(chuàng)3年新高
          
                                                            
            
                    	
          • 　　全球第2大計算機存儲器制造商海力士(Hynix)公布2009年第4季財報，隨著全球個人計算機(PC)景氣回溫，海力士獲利創(chuàng)下3年來新高。
　　2009年第4季海力士營收為2.8兆韓元(約24.7億美元)，較第3季大幅成長32%，海力士營收成長主因為DRAM及NAND Flash存儲器出貨量成長，同時，DRAM平均售價也上揚，此外，第4季海力士凈利為6,570億韓元，更較第3季大幅成長167%。
　　和2009年第3季相較，2009年第4季海力士DRAM平均售價及出貨量分別成長26%及12%，至于N
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          • 關鍵字：
                        Hynix  DRAM  NAND                          
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          內存業(yè)醞釀地震：傳金士頓1億美元購買海力士
          
                                                            
            
                    	
          • 　　業(yè)內人士日前透露,美國金士頓科技公司(Kingston Technology )預付了1億美元給韓國海力士半導體公司以購買其2010年需要的內存和NAND閃存.
　　此外,該業(yè)內人士還表示,總部在臺灣的威剛科技(a-data technology)正在尋求途徑,增加其2010年的芯片供應商數(shù)量并且保證能通過預付款的方式獲得足夠多的芯片供應,而威剛所需要的內存此前主要來自韓國供應商.
　　內存模塊制造商正在擺脫對三星電子的依賴,因為三星電子優(yōu)先向PC和系統(tǒng)OEM廠商供貨.
　　另外有消息稱,海力士
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          • 關鍵字：
                        金士頓  內存  NAND                          
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          為什么存儲器是產業(yè)的風向標
          
                                                            
            
                    	
          • 　　存儲器通常包括DRAM，NAND，NOR及SRAM。在半導體業(yè)中經(jīng)常分成兩類，DRAM及閃存類。由于其兩大特征，能大量生產以及應用市場面寬，使其半導體業(yè)中有獨特的地位。業(yè)界有人稱它為半導體業(yè)的風向標。
　　縱觀DRAM發(fā)展的歷史，幾乎每8至10年一次大循環(huán)，最終一定有大型的存儲器廠退出，表示循環(huán)的結束。如1980年代的TI及IBM等退出;1990年代的東芝，日立及NEC退出，如今2000年代的奇夢達最先退出。奇夢達的退出使市場少了10萬片的月產能。
　　在全球硅片尺寸轉移中，存儲器也是走在前列，如
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          • 關鍵字：
                        存儲器  DRAM  NAND  NOR  SRAM                          
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          金士頓砸1億美元　綁樁海力士產能
          
                                                            
            
                    	
          • 　　2010年存儲器產業(yè)熱度急速升溫，許多熬過景氣低潮期但口袋空空的存儲器大廠，紛積極募資搶錢，而最直接方式便是向下游存儲器模塊廠借錢，未來再以貨源抵債，近期海力士(Hynix)便獲得金士頓(Kingston)達1億美元金援，未來將以DRAM和NAND Flash貨源償還，形成魚幫水、水幫魚的上下游緊密合作關系。海力士可望以此筆金援將NAND Flash制程大量轉進32奈米，全力從美光(Micron)手上搶回全球NAND Flash三哥寶座，并防止三星電子(Samsung Electronics)和東芝(
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          • 關鍵字：
                        存儲器  DRAM  NAND                           
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          三星推出64GB moviNAND閃存芯片
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　三星近日公布了兩款采用新制程技術的閃存產品。其中moviNAND閃存芯片產品使用了三星最新的3xnm制程NAND芯片，單片封裝的最大容量可達64GB，封裝內部堆疊了16塊超薄設計的4GB芯片，并集成了閃存控制器，而整個芯片封裝的厚度僅不足0.06英寸。

 
　　64GB moviNAND
　　另外，三星還計劃升級自己的microSDHC閃存卡產品。將三星microSDHC閃存卡的最高容量提升為32GB(內部由8片4GB芯片堆疊而成)，比目前的最高容量提升了一倍。于此同時，閃存卡的最
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          • 關鍵字：
                        三星  NAND                          
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          重塑產業(yè)前景 迎接2010年IC業(yè)的大發(fā)展
          
                                                            
            
                    	
          • 　　編者點評(莫大康 SEMI China顧問)：國際上有許多市場分析公司與機構，如 Gartner，iSuppli，IC Insight，Semico，VLSI及SEMI，SIA，WSTS等。為什么它們的預測值不同，有時差異還不小。據(jù)編者的看法任何預測都有三類，即樂觀、中等和悲觀。另外，由于每個市場分析公司其數(shù)據(jù)來源及分析的范圍各不同，所以數(shù)據(jù)不一樣是正常的。那該如何來觀察與判斷呢?通常要找品牌，即有些公司的數(shù)據(jù)相對可靠(經(jīng)驗值)，如半導體數(shù)據(jù)是WSTS，SIA，Gartner，iSuppli，而設備材
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          • 關鍵字：
                        IC  NAND  DRAM                          
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          飚速度355MB/s 鎂光將發(fā)布6Gbps SSD
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　鎂光剛剛宣布了其34納米NAND SSD產品線，一個原生6Gbps的SATA設備引起了廣泛注意，鎂光透露它將被置于其子公司Lexar Media的Crucial品牌下發(fā)布。
　　這款SSD具體型號RealSSD C300，2.5寸外形設計，包含128和256GB兩種型號，讀取速度高達355MB/s,寫入速度達215MB/s，向下兼容3Gbps SATA。預計將面向北美、英國和歐洲大陸發(fā)布，128GB版售價大約450美元。

　　
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          • 關鍵字：
                        鎂光  34納米  NAND  SSD                          
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          東芝32nm制程NAND閃存SSD硬盤將于二季度上市
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　日本東芝公司在NAND閃存制造領域的地位可謂舉足輕重，其有關產品的產銷量僅次于三星公司，目前東芝公司推出的SSD硬盤產品中采用了自己設計的 NAND閃存控制器，這種產品在OEM廠商中口碑甚好。去年第三季度，東芝已經(jīng)開始量產32nm NAND閃存芯片，不過目前東芝所售出的SSD硬盤產品仍以43nm NAND型產品為主力，這樣OEM廠商乃至終端客戶便無法享受到32nm制程技術帶來低成本實惠。

　　不過東芝近日宣布，他們將開始測試部分采用32nm NAND閃存芯片試制的SSD硬盤產品，并將于本季度推出
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          • 關鍵字：
                        東芝  32nm  NAND  閃存制造                          
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          一季度半導體供應商將繼續(xù)維持低庫存
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　據(jù)iSuppli公司，經(jīng)過2009年對膨脹的庫存大幅削減 ，全球半導體供應商預計將在2010年第一季度維持低量庫存，以期在不明朗的經(jīng)濟環(huán)境中能獲益。
　　半導體供應商的庫存天數(shù)(DOI)預計將在第一季度下降到68.3，比2009年第四季度的68.5低。由于第四季度的DOI已經(jīng)比歷史平均水平低了2.9%，第一季度的庫存預計比這一標準還低6.9%。而第一季度的庫存會維持在可滿足要求的平衡水平上，庫存將達到非常低的水平--甚至有幾種具體設備會接近短缺的邊緣。

 
　　圖示為iSuppli
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          • 關鍵字：
                        半導體  NAND                          
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          iSuppli：全球芯片庫存保持緊縮 NAND閃存或短缺
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　據(jù)市場研究公司iSuppli的調查，全球半導體供應商預計將在第一季度保持輕庫存，以便在不確定的經(jīng)濟形勢下保持盈利。
　　第一季度末庫存天數(shù)預計將減少至68.3天，上季度為68.5天。去年第四季度，庫存天數(shù)已經(jīng)少于歷史平均水平2.9%，第一季度預計將較普通水平少6.9%。
　　iSuppli預測，由于庫存量仍將保持在較低水平，某些特殊器件將面臨短缺。
　　2010年，預計庫存天數(shù)將穩(wěn)定在近70天左右。緊縮的庫存管理將幫助半導體產業(yè)獲得兩位數(shù)增長，增長幅度預計為15.4%，而2009年減少12.4%
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          • 關鍵字：
                        芯片  NAND                          
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          威剛陳立白：今年DRAM市場多處于缺貨狀態(tài)
          
                                                            
            
                    	
          • 　　存儲器模塊大廠威剛2009年獲利交出賺進1個股本的豐碩成績單，董事長陳立白表示，2010年的DRAM產業(yè)多數(shù)時間將處于缺貨的狀態(tài)，只要價格維持平穩(wěn)，預計對于模塊產業(yè)絕對是好事，往年會是傳統(tǒng)淡季的第2季，2010年將會見到淡季不淡，也不見五窮六絕;而NAND Flash產業(yè)價格則預計會起起伏伏，整體而言，DRAM表現(xiàn)會優(yōu)于NAND Flash產業(yè)。
　　威剛2009年進行高層人士調整，延攬前三星電子(Samsung Electronics)存儲器部門資深營銷副總金一雄擔任威剛總經(jīng)理一職，與原有的總經(jīng)理
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          • 關鍵字：
                        威剛  存儲器  NAND                           
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          韓結束3年反壟斷調查 未發(fā)現(xiàn)芯片廠操縱價格
          
                                                            
            
                    	
          • 　　韓國公平交易委員會(FTC)周三宣布，并未發(fā)現(xiàn)NAND快閃記憶芯片制造商在韓國或其它地區(qū)有操縱市場價格的行為，也宣告終止近3年來對該產業(yè)的反壟斷調查。
　　反壟斷監(jiān)管單位聲明，針對計算機記憶芯片產業(yè) (包括DRAM芯片、NAND芯片等) 相關的價格操縱調查已經(jīng)全部結束。
　　2007年1月，F(xiàn)TC宣布將針對NAND快閃記憶芯片制造商進行反壟斷調查，偵查是否有操縱價格的事實，之后已針對全球4家企業(yè)進行調查，其中2家位于韓國，另外2家分別在美國和日本，但FTC并未公布詳細的企業(yè)名單。
　　韓國快閃記
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          • 關鍵字：
                        海力士  NAND  DRAM                          
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          韓國FTC：NAND Flash大廠無操控價格
          
                                                            
            
                    	
          • 　　據(jù)華爾街日報(WSJ)報導，韓國公平貿易委員會(FTC)并未發(fā)現(xiàn)NAND Flash存儲器大廠有任何操控價格的證據(jù)，將結束為期將近3年的調查。此外，韓國FTC表示，至目前為止所有和存儲器市場相關的操控價格調查皆已完成，包括DRAM、SRAM及NAND Flash市場。
　　韓國FTC自2007年1月開始調查存儲器產業(yè)是否存在操控價格的不法行為，并調查4家全球存儲器大廠，包括兩家韓國廠商、1家日本及1家美國廠商，然FTC并未透露遭調查的廠商名稱。
　　存儲器產業(yè)近年來遭數(shù)個國家調查是否存在柯斷，近期
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          • 關鍵字：
                        Samsung  DRAM  存儲器芯片  NAND                           
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          韓國結束對閃存商反壟斷調查 未發(fā)現(xiàn)違法行為
          
                                                            
            
                    	
          • 　　韓國公平交易委員會在一份聲明中表示尚未發(fā)現(xiàn)韓國或其他地區(qū)閃存廠商有操縱價格或其他壟斷行為的證據(jù)。
　　該機構調查了四家NAND閃存制造商。在被調查的四家廠商中，兩家位于韓國，其他位于美國和日本。不過公平交易委員會沒有點出這些廠商的名字。NAND閃存適用于于各種手持設備，包括數(shù)字音樂播放器、數(shù)碼相機和手機。
　　根據(jù)三星電子和東芝的說法，今年8月，美國司法部也結束了這樣的調查。三星電子和東芝是全球前兩大NAND閃存芯片制造商。
　　市場調查公司iSuppli的數(shù)據(jù)顯示第三季度三星在全球NAND閃存
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          • 關鍵字：
                        海力士  NAND  閃存芯片                          
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