過壓保護（ovp） 文章 進入過壓保護（ovp）技術(shù)社區(qū)
如何使用開關(guān)浪涌抑制器替代傳統(tǒng)的線性浪涌抑制器
- 在工業(yè)電子設(shè)備中，過壓保護是確保設(shè)備可靠運行的重要環(huán)節(jié)。本文將探討如何使用開關(guān)浪涌抑制器替代傳統(tǒng)的線性浪涌抑制器，以應對長時間的過壓情況。與傳統(tǒng)線性浪涌抑制器不同，開關(guān)浪涌抑制器能夠在持續(xù)浪涌的情況下保持負載正常運行，而傳統(tǒng)線性浪涌抑制器則需要在電源路徑中的 MOSFET 散熱超過其處理能力時切斷電流?？煽康墓I(yè)電子設(shè)備通常配備保護電路，以防止電源線路出現(xiàn)過壓，從而保護電子設(shè)備免受損壞。過壓現(xiàn)象可能在電源線路負載快速變化時發(fā)生，線路中的寄生電感可能導致高電壓尖峰。這個問題可通過輸入保護電路來解決，比如圖
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電路設(shè)計要考慮的異常情況
- 電路設(shè)計要考慮的異常情況：電流倒灌、熱插拔、過流保護、過壓保護、上電時序一、異常情況的思考異常情況的思考1、 電流倒灌集成電路的典型模型如下：1、 D1在大多數(shù)CMOS集成電路中起著防靜電功能.同時輔助起著輸入端限幅作用。但是在ABT,LVT,LVC和AHC/AHCT類集成電路中無此二極管。2、D2是半導體集成所產(chǎn)生的寄生二極管(存在于所有數(shù)字集成電路),其輔助功能為對線路反射的下沖信號進行限幅，提供一些放電保護功能。3、D3用于保護CMOS電路在放電時的干擾。在大多數(shù)雙極性器件中也存在此二極管，但為寄生
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NPC2三電平拓撲橫管過壓保護開關(guān)邏輯
- NPC2三電平拓撲因為其效率高，諧波含量低，在光伏逆變器設(shè)計中應用非常廣泛。由下圖可以看到，NPC2由四個開關(guān)管構(gòu)成，包含豎管T1/T4，橫管T2/T3。在市電異常或者逆變器系統(tǒng)故障時，逆變器是否需要特殊的開關(guān)邏輯，對NPC2拓撲中的橫管進行過壓保護呢？我們以橫管T2/3采用50A 650V H5 IGBT IKW50N65H5，豎管T1/4為40A 1200V S6 IGBT IKW40N120CS6為例子。當市電異常時，逆變器啟動保護機制，如下圖，從波形上看，T1與T2同時開始關(guān)斷，但因為H5芯片開關(guān)
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基于Infineon ICE5GSAG 60W高效率standby電源解決方案
- Infineon推出定頻PWM電源控制芯片適合應用在返馳式架構(gòu)下之待機電源產(chǎn)品，產(chǎn)品本身可搭配不同Rds-on等級之MOSFET來作應用，可滿足不同輸出瓦數(shù)的設(shè)計并增加產(chǎn)品在設(shè)計上的靈活性與通用性。ICE5GSAG內(nèi)建有各式保護功能，因此可減少周遭電路元件數(shù)量，且其可操作在高頻模式下，可大幅度縮小磁性元件體積，借此達到高效率、降低成本與減小體積之待機電源產(chǎn)品設(shè)計之目的。并符合美國能源效率法規(guī)DOE與歐盟CoC能源協(xié)議規(guī)范。?場景應用圖?產(chǎn)品實體圖?展示板照片?方案方塊圖?核心技術(shù)優(yōu)勢1.提供高效率stan
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Vishay推出新型具備可調(diào)電流極限和過壓保護(OVP)的,在2.8V至23V工作的電子保險絲
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出四款小型3 mm x 3 mm TDFN封裝，具有可調(diào)電流極限和過壓保護（OVP）功能的新型電子保險絲---SiP32433A/B和SiP32434A/B。3.5 A SiP32433A/B和6 A SiP32434A/B在2.8 V至23 V輸入電壓范圍內(nèi)工作——最高達28 VIN?DC ——集成多種控制和保護功能，簡化設(shè)計，減少所需外部組件。日前發(fā)布的Vishay Siliconix單通道負載開關(guān)輸入電壓范圍寬，可用于廣
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過壓保護（ovp）介紹
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