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下一代5nm 2D材料可望突破摩爾定律限制？
- Imec 開發(fā)下一代 5nm 2D 通道 FET 架構(gòu)，證實采用 2D 非等向性材料可讓摩爾定律延續(xù)到超越 5nm 節(jié)點… 根據(jù)比利時研究機(jī)構(gòu)Imec指出，設(shè)計人員可以選擇采用2D非等向性(顆粒狀速度更快)材料(如黑磷單層)，讓摩爾定律(Moore's Law)擴(kuò)展到超越5納米(nm)節(jié)點。Imec研究人員在Semicon West期間舉辦的年度Imec技術(shù)論壇(Imec Technology Forum)發(fā)表其最新研究成果。 Imec開發(fā)的下一代5nm 2D通道
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半導(dǎo)體耦合多量子點量子比特器件研究取得重要進(jìn)展
- 在不遠(yuǎn)的將來，摩爾定律所預(yù)示的微電子器件的尺寸將微縮到一系列物理極限，這一技術(shù)進(jìn)步推動科研人員利用納米技術(shù)尋求一個完全基于量子效應(yīng)的信息處理方案。經(jīng)過近二十年的發(fā)展，半導(dǎo)體量子點自旋比特固態(tài)器件以其可調(diào)控性和可擴(kuò)展性成為最具應(yīng)用潛力的固態(tài)量子計算方案之一，目前已成為以凝聚態(tài)物理為背景，融合了凝聚態(tài)理論、量子物理、納米加工技術(shù)、納米電子學(xué)、低溫技術(shù)、半導(dǎo)體器件工藝等多個研究方向的前沿交叉研究領(lǐng)域。 近日，北京大學(xué)信息科學(xué)技術(shù)學(xué)院、固態(tài)量子器件北京市重點實驗室“千人計劃”教授
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摩爾定律能“活”到2025年以后 中國半導(dǎo)體趕超有望
- 在摩爾定律依然延續(xù)的今天，中國IC制造工藝與世界先進(jìn)工藝如何縮小，這是不得不思考的問題。IMEC中國區(qū)總裁丁輝文近日指出，半導(dǎo)體工藝尺寸的縮小和摩爾定律仍能持續(xù)發(fā)展到2025年以后，中國半導(dǎo)體若能善用國際和國內(nèi)資源，有機(jī)會在各領(lǐng)域趕超世界先進(jìn)水平。 多元化應(yīng)用需要多元化半導(dǎo)體技術(shù) 丁輝文認(rèn)為，講摩爾定律，其實首先是應(yīng)用推動了芯片的成長，而在應(yīng)用當(dāng)中，主要是IoT、移動通訊、云端服務(wù)這三大應(yīng)用市場。這三大應(yīng)用對半導(dǎo)體器件有不同的要求：一是IoT應(yīng)用，功耗在1mW到100mW;二是移動通訊部分
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模擬技術(shù)的困境
- 在這樣一個對數(shù)字電路處理有利的世界中，模擬技術(shù)更多地用來處理對它們不利的過程。但這個現(xiàn)象可能正在改變。 我們生活在一個模擬世界中，但數(shù)字技術(shù)已經(jīng)成為主流技術(shù)。混合信號解決方案過去包含大量模擬數(shù)據(jù)，只需要少量的數(shù)字信號處理，這種方案已經(jīng)遷移到系統(tǒng)應(yīng)用中，在系統(tǒng)中第一次產(chǎn)生了模數(shù)轉(zhuǎn)換過程?！ ∧M技術(shù)衰落有幾個原因，其中一些是建立在自身缺陷上的。摩爾定律適用于數(shù)字電路而不是模擬電路;晶體管可以而且必須做得更小，這有利于數(shù)字電路。但這對模擬晶體管的影響并不大，反而器件尺寸越小，模擬器件特性往往越差。器件的
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延續(xù)摩爾定律 EUV技術(shù)角色關(guān)鍵
- 臺積電已宣布將在2018年第二代7奈米制程中開始導(dǎo)入EUV微影技術(shù)，以做為5奈米全面采用EUV的先期準(zhǔn)備。 盡管目前EUV設(shè)備曝光速度仍不如期待且價格極為高昂，但與采用雙重或多重曝光技術(shù)相比，EUV的投資對解決先進(jìn)制程不斷攀升的成本問題仍是相對有力的解決方案。 每一季的臺積電法說會上，張忠謀董事長或是共同執(zhí)行長對于極紫外光(Extreme Ultraviolet, EUV)的發(fā)展進(jìn)度必會對臺下觀眾做一專門的報告，法人代表對于EUV的導(dǎo)入時程亦表示高度興趣。 到底EUV的發(fā)展對于臺積電未來發(fā)展甚至
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摩爾定律之后 存儲器發(fā)展要靠大數(shù)據(jù)、AI？
- 半導(dǎo)體供應(yīng)鏈存儲器缺貨絕對是橫貫2017年的主調(diào)，但除了量變，大數(shù)據(jù)中心、AI深度學(xué)習(xí)運算帶來對CPU與AI處理器的運算速度、存儲容量高門檻要求，也正在改變整個存儲器乃至于運算基礎(chǔ)核心架構(gòu)。 在近日一場GSA存儲器高峰論壇上，半導(dǎo)體與數(shù)據(jù)平臺、服務(wù)器領(lǐng)域與會人士對上述議題展開熱議。 西數(shù)(Western Digital)董事長兼COO Mike Cordano提到，未來存儲產(chǎn)業(yè)仍然機(jī)會巨大，占整個IC行業(yè)的三分之一份額，其中DRAM約600億美元、NAND Flash約480億美元、微
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3D NAND延續(xù)摩爾定律 電容耦合效應(yīng)及可靠度仍為技術(shù)關(guān)鍵
- DIGITIMES Research觀察，2D NANDFlash制程在物理限制下難度加劇，透過3DNAND Flash制程，無論是效能及儲存容量提升上都有突破性的改善。 3D NAND Flash可謂為摩爾定律在半導(dǎo)體內(nèi)存領(lǐng)域延伸的一項重要技術(shù)。 3D NAND Flash依存儲元件儲存機(jī)制可分浮動閘極(Floating Gate;FG)及電荷缺陷儲存(Charge Trap;CT);依不同堆棧結(jié)構(gòu)技術(shù)又可分為BiCS、P-BiCS、TCAT、VG-NAND Flash、DC-SF、S-SCG
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