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28納米
28納米 文章 進(jìn)入28納米技術(shù)社區(qū)
FPGA 28納米市場(chǎng)戰(zhàn)火升溫 晶圓代工巨頭激烈角逐
- 可程序邏輯閘陣列芯片(FPGA)雙雄賽靈思(Xilinx)與阿爾特拉 (Altera)先后推出28納米FPGA產(chǎn)品，不僅使FPGA市場(chǎng)戰(zhàn)火升溫，也讓晶圓代工市場(chǎng)激烈角逐，在Xilinx首度與臺(tái)積電攜手合作后，Altera在28納米產(chǎn)品的布局上亦相當(dāng)積極，近期亦展示在28納米 FPGA平臺(tái)上的25-Gbps收發(fā)器，F(xiàn)PGA雙雄的激烈競(jìng)賽，預(yù)料臺(tái)積電將成為最大受惠者。 Altera指出，在28納米FPGA中展示25-Gbps收發(fā)器，是收發(fā)器產(chǎn)品的里程碑，該芯片是Altera用于在28納米FPGA上，
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巴克萊分析師看空半導(dǎo)體
- 外資半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)看板分析師陸行之跳槽巴克萊后，首度出具亞太除日本外半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)研究報(bào)告指出，預(yù)估半導(dǎo)體產(chǎn)能利用率將于明年上半年以前下滑至 70-75%，并推估半導(dǎo)體業(yè)明年?duì)I收年減3-5%，明年首季營(yíng)收則季減15-20%，因此首評(píng)亞洲除日本外半導(dǎo)體業(yè)為負(fù)向，且預(yù)期市場(chǎng)對(duì)明年半導(dǎo)體業(yè)的獲利預(yù)測(cè)將在未來(lái)半年內(nèi)下修20%，甚至更多，另首評(píng)半導(dǎo)體、封測(cè)及PCB等7檔個(gè)股，僅給予臺(tái)積電、南電的評(píng)等為加碼。 陸行之認(rèn)為，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)長(zhǎng)線面臨五大結(jié)構(gòu)性改變，包括(1)由于臺(tái)積電在HKMG技術(shù)的適應(yīng)力，預(yù)期臺(tái)積電在28
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FPGA 28納米激戰(zhàn) 臺(tái)積電可望受惠
- 可程序邏輯閘陣列芯片(FPGA)雙雄賽靈思(Xilinx)與阿爾特拉(Altera)先后推出28納米FPGA產(chǎn)品，不僅使FPGA市場(chǎng)戰(zhàn)火升溫，也讓晶圓代工市場(chǎng)激烈角逐，在Xilinx首度與臺(tái)積電攜手合作后，Altera在28納米產(chǎn)品的布局上亦相當(dāng)積極，近期亦展示在28納米 FPGA平臺(tái)上的25-Gbps收發(fā)器，F(xiàn)PGA雙雄的激烈競(jìng)賽，預(yù)料臺(tái)積電將成為最大受惠者。 Altera指出，在28納米FPGA中展示25-Gbps收發(fā)器，是收發(fā)器產(chǎn)品的里程碑，該芯片是Altera用于在28納米FPGA上，成
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三星晶圓代工跨入28納米
- 韓國(guó)半導(dǎo)體大廠三星電子7日來(lái)臺(tái)舉辦第7屆三星行動(dòng)解決方案年度論壇，三星電子半導(dǎo)體事業(yè)部社長(zhǎng)權(quán)五鉉表示，三星雖然2005年才開(kāi)始跨足晶圓代工市場(chǎng)，但積極提升競(jìng)爭(zhēng)力，目前45納米及32納米已量產(chǎn)，明年將導(dǎo)入28納米高介電金屬閘極(HKMG)技術(shù)，且會(huì)較聚焦在低功耗及應(yīng)用處理器(AP)市場(chǎng)。 業(yè)者認(rèn)為，三星除了會(huì)更積極爭(zhēng)取蘋(píng)果iPhone及iPad等AP芯片代工訂單，也會(huì)以其在手機(jī)及數(shù)字家電市場(chǎng)的集團(tuán)優(yōu)勢(shì)，爭(zhēng)取手機(jī)芯片或電視芯片等代工訂單。加上三星有內(nèi)存事業(yè)的龐大現(xiàn)金流作為奧援，未來(lái)幾年的確可能成為臺(tái)
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AMD計(jì)劃第四季度推40納米顯示芯片
- 顯示芯片廠商AMD因提前競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手英偉達(dá)(NVIDIA)推出支持DirectX11的40納米顯示芯片Evergreen(RV870)，第2季市占率大躍進(jìn)至24.4%，為了加速產(chǎn)品世代交替速度，拉大與英偉達(dá)間市占率距離，AMD第4季將推出新一代40納米顯示芯片Southern Islands，仍將交由臺(tái)積電(2330)代工。 此外，AMD已開(kāi)始著手進(jìn)行28納米顯示芯片設(shè)計(jì)作業(yè)，臺(tái)積電及全球晶圓(GlobalFoundries)均可獲得訂單，預(yù)計(jì)明年下半年開(kāi)始量產(chǎn)投片。 根據(jù)市調(diào)機(jī)構(gòu)Jon Pe
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賽靈思28納米FPGA明年量產(chǎn) 強(qiáng)攻ASIC陣地
- 現(xiàn)場(chǎng)可編程邏輯閘陣列芯片(FPGA)近年來(lái)加速取代特殊應(yīng)用芯片(ASIC)市場(chǎng)，F(xiàn)PGA雙雄賽靈思(Xilinx)與阿爾特拉(Altera)先后推出28納米FPGA產(chǎn)品，可望加速FPGA取代ASIC市場(chǎng)，賽靈思亞太區(qū)營(yíng)銷及應(yīng)用總監(jiān)張宇清指出，28納米FPGA可大幅提升效能，并降低功耗與價(jià)格，拓展以往FPGA無(wú)法取代的ASIC市場(chǎng)，加速FPGA 市場(chǎng)的成長(zhǎng)力道。 張宇清指出，F(xiàn)PGA要取代ASIC市場(chǎng)有4大障礙，包括需要提高更大的容量、更高的系統(tǒng)效能、更低的功耗與更低的成本，過(guò)去在40納米雖然已有
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臺(tái)積電力推OIP 完整伙伴體系助客戶推進(jìn)2x納米
- 晶圓代工制程推進(jìn)至2x納米以下先進(jìn)技術(shù)，不論在設(shè)計(jì)或制程上皆面臨更嚴(yán)峻的考驗(yàn)，晶圓代工廠亦積極為客戶打造設(shè)計(jì)環(huán)境，IBM陣營(yíng)近年來(lái)力推共通平臺(tái)(Common Platform)，臺(tái)積電則推出開(kāi)放創(chuàng)新平臺(tái)(OIP)，臺(tái)積電設(shè)計(jì)暨技術(shù)平臺(tái)副總經(jīng)理許夫杰表示，進(jìn)入2x納米以下，客戶仍會(huì)不斷擔(dān)憂良率問(wèn)題，不過(guò)已有近百家的電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化(EDA)、矽智財(cái)(IP)伙伴加入，擁有完整的生態(tài)體系，能協(xié)助客戶進(jìn)入2x納米制程。 臺(tái)積電開(kāi)放創(chuàng)新平臺(tái)亦即結(jié)合臺(tái)積電的制程技術(shù)與IP、EDA、IC設(shè)計(jì)業(yè)者，從前段設(shè)計(jì)到后
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臺(tái)積電心中有個(gè)夢(mèng)
- 臺(tái)積電中科12英寸超大型晶圓廠(GIGAFAB)晶圓15廠 (Fab15) 16日舉行動(dòng)土典禮，董事長(zhǎng)張忠謀親自主持動(dòng)土儀式。他表示，未來(lái)將陸續(xù)投入該廠新臺(tái)幣3，000億元資金，折合90億美元，并預(yù)計(jì)在2011年6月開(kāi)始裝機(jī)，于2012年首季進(jìn)行28納米制程的量產(chǎn)。 臺(tái)積電晶圓15廠是繼晶圓14廠之后，沉寂了多年的重大投資建廠案，也是臺(tái)積電第3座超大型晶圓廠，亦是第2座具28納米制程能力的晶圓廠。 為了滿足市場(chǎng)的需求，除Fab15外，臺(tái)積電也不斷進(jìn)行竹科晶圓12廠(Fab12)與南科晶圓1
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Cadence針對(duì)28納米工藝為T(mén)SMC模擬/混合信號(hào)設(shè)計(jì)參考流程1.0版提供廣泛支持
- 全球電子設(shè)計(jì)創(chuàng)新領(lǐng)導(dǎo)廠商Cadence設(shè)計(jì)系統(tǒng)公司今天宣布，支持臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司 (以下簡(jiǎn)稱TSMC) 模擬/混合信號(hào)(以下簡(jiǎn)稱AMS)設(shè)計(jì)參考流程1.0版，以實(shí)現(xiàn)先進(jìn)的28納米工藝技術(shù)。Cadence與TSMC在這項(xiàng)全新設(shè)計(jì)參考流程上的合作，將可協(xié)助促進(jìn)高級(jí)混合信號(hào)設(shè)計(jì)的上市時(shí)間，幫助降低在設(shè)計(jì)基礎(chǔ)架構(gòu)的多余投資，并提高投資回報(bào)率。 “與Cadence之間的合作伙伴關(guān)系，是客戶實(shí)現(xiàn)高級(jí)模擬/混合信號(hào)設(shè)計(jì)成功不可或缺的一環(huán)，”TSMC設(shè)計(jì)方法與服務(wù)行銷副處長(zhǎng)T
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TSMC宣布三項(xiàng)能加速系統(tǒng)規(guī)格至芯片設(shè)計(jì)完成時(shí)程的創(chuàng)新技術(shù)
- TSMC 7日宣布擴(kuò)展開(kāi)放創(chuàng)新平臺(tái)服務(wù)，增加著重于提供系統(tǒng)級(jí)設(shè)計(jì)、類比/混合訊號(hào)/射頻設(shè)計(jì)(analog/mixed-signal (AMS)/RF)，以及二維/三維集成電路(2-D/3-D IC)的設(shè)計(jì)服務(wù)。TSMC亦同時(shí)針對(duì)上述新增的服務(wù)，宣布開(kāi)放創(chuàng)新平臺(tái)的三項(xiàng)創(chuàng)新技術(shù)。 TSMC自2008年推出促進(jìn)產(chǎn)業(yè)芯片設(shè)計(jì)的開(kāi)放創(chuàng)新平臺(tái)后，幫助縮短產(chǎn)品上市時(shí)程，改善設(shè)計(jì)投資的報(bào)酬，并減少重復(fù)建構(gòu)設(shè)計(jì)工具的成本。此開(kāi)放創(chuàng)新平臺(tái)包含一系列可相互操作支援的各種設(shè)計(jì)平臺(tái)介面、及合作元件與設(shè)計(jì)流程，能促進(jìn)供應(yīng)鏈
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Global Foundries宣布擴(kuò)充德國(guó)與紐約12寸廠產(chǎn)能
- 全球晶圓(Global Foundries)在臺(tái)北計(jì)算機(jī)展(COMPUTEX)首日在臺(tái)舉行記者會(huì)，宣布一系列擴(kuò)產(chǎn)計(jì)畫(huà)，執(zhí)行長(zhǎng)Douglas Grose指出，Global Foundries將擴(kuò)充12寸晶圓廠產(chǎn)能，位于德國(guó)的Fab1將成為歐洲首座Giga Fab，另外也將目前正在興建的紐約Fab8，將每月產(chǎn)能增加到6萬(wàn)片。 Douglas Grose表示，德國(guó)Fab1將成為歐洲首座Giga Fab與最大的12寸廠，產(chǎn)能增加33%，由每月6萬(wàn)片提升到8萬(wàn)片，用以增加45奈米、40奈米與28奈米制程產(chǎn)
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TSMC推出先進(jìn)工藝之互通式電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化格式
- TSMC7日宣布針對(duì)65納米、40納米及28納米工藝推出已統(tǒng)合且可交互操作的多項(xiàng)電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化(Electronic Design Automation; EDA) 技術(shù)檔案。這些與設(shè)計(jì)相關(guān)的技術(shù)檔案套裝包括可互通的工藝設(shè)計(jì)套件(iPDK)、工藝設(shè)計(jì)規(guī)則檢查(iDRC)、集成電路布局與電路圖對(duì)比 (iLVS)，及工藝電容電阻抽取模組 (iRCX)。 iPDK、iDRC、iLVS，及iRCX技術(shù)系由TSMC與EDA合作伙伴一同在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的互通項(xiàng)目下通過(guò)驗(yàn)證，也是TSMC「開(kāi)放創(chuàng)新平臺(tái)」之一部份。
- 關(guān)鍵字： 臺(tái)積電 EDA 65納米 40納米 28納米
TSMC推出65納米、40納米與28納米之互通式電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化格式
- TSMC 7日宣布針對(duì)65納米、40納米及28納米工藝推出已統(tǒng)合且可交互操作的多項(xiàng)電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化(Electronic Design Automation; EDA) 技術(shù)檔案。這些與設(shè)計(jì)相關(guān)的技術(shù)檔案套裝包括可互通的工藝設(shè)計(jì)套件(iPDK)、工藝設(shè)計(jì)規(guī)則檢查(iDRC)、集成電路布局與電路圖對(duì)比 (iLVS)，及工藝電容電阻抽取模組 (iRCX)。 iPDK、iDRC、iLVS，及iRCX技術(shù)系由TSMC與EDA合作伙伴一同在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的互通項(xiàng)目下通過(guò)驗(yàn)證，也是TSMC「開(kāi)放創(chuàng)新平臺(tái)」之一部份
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28納米介紹
就是指制造工藝，比如說(shuō)CPU，以前的制造工藝是130nm，后來(lái)又出現(xiàn)了90nm、45nm、30nm、22mn等，28nm好像是顯卡的制造工藝。
28納米工藝，指的是手機(jī)主板芯片里面的半導(dǎo)體溝道之間的距離，現(xiàn)在做到28納米了，之所以賣(mài)家要說(shuō)這點(diǎn)，是科技進(jìn)步的表現(xiàn)，能做到越小，這方面的技術(shù)工藝越先進(jìn)，越小集成度越高，但是隨之而來(lái)會(huì)出現(xiàn)負(fù)面的效應(yīng)，耗能散熱的問(wèn)題，電子通過(guò)的通道越窄，一來(lái)是工藝越難 [ 查看詳細(xì) ]
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