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28納米
28納米 文章 進(jìn)入28納米技術(shù)社區(qū)
臺(tái)灣聯(lián)電稱明年發(fā)展28納米技術(shù) 疑追趕臺(tái)積電
- 臺(tái)灣芯片代工廠商聯(lián)電昨日在美國(guó)巴爾的摩所舉辦的2009國(guó)際電子組件會(huì)議上表示，將于2010年下半年推出28納米制程，采用高K金屬柵極技術(shù)的半導(dǎo)體產(chǎn)品。業(yè)內(nèi)人士指出，聯(lián)電此舉是為了追趕自己的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手臺(tái)積電。 據(jù)悉，早前臺(tái)積電曾宣布將在明年前三個(gè)季度分別開(kāi)始試產(chǎn)28納米高性能高K金屬柵極、28納米低功耗高K金屬柵極和28納米低功耗氮氧化硅三種新工藝產(chǎn)品。
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ARM和GlobalFoundries達(dá)成28納米ARM架構(gòu)芯片生產(chǎn)協(xié)議
- ARM和芯片代工廠商GlobalFoundries達(dá)成協(xié)議,支持客戶利用后者的28納米高K金屬柵極工藝生產(chǎn)Cortex-A9架構(gòu)處理器. 據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道稱,一周前就有消息稱,兩家公司在進(jìn)行相關(guān)談判.ARM首席執(zhí)行官華倫·伊斯特在一份聲明中說(shuō),“與GlobalFoundries合作表 明了我們的商業(yè)價(jià)值,以及向客戶提供最優(yōu)秀處理器產(chǎn)品的戰(zhàn)略.GlobalFoundries是加速28納米工藝ARM架構(gòu)處理器普及的理想合作伙伴.” GlobalFoundri
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傳東芝擬外包部分28納米系統(tǒng)芯片制造業(yè)務(wù)
- 據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，兩名東芝內(nèi)部消息人士透露，該公司正在就外包部分新一代系統(tǒng)芯片制造業(yè)務(wù)與新加坡特許半導(dǎo)體(Chartered Semiconductor)和Globalfoundries洽談，以降低成本。 東芝發(fā)言人Hiroko Mochida表示，該公司計(jì)劃在位于大分的工廠生產(chǎn)采用28納米工藝的芯片，但由于產(chǎn)能無(wú)法滿足需求，將考慮外包部分芯片制造業(yè)務(wù)。 上述消息人士稱，東芝在與特許半導(dǎo)體和Globalfoundries洽談開(kāi)發(fā)用于游戲機(jī)和數(shù)碼相機(jī)等電子產(chǎn)品的新一代系統(tǒng)芯片。Globalfo
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富士通微電子與臺(tái)積電合作發(fā)展28納米工藝技術(shù)
- 日本富士通微電子株式會(huì)社與臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司27日宣布，雙方同意以臺(tái)積電先進(jìn)的技術(shù)平臺(tái)為基礎(chǔ)，針對(duì)富士通微電子的28納米邏輯IC產(chǎn)品進(jìn)行生產(chǎn)、共同開(kāi)發(fā)并強(qiáng)化28納米高效能工藝。在這之前，富士通微電子與臺(tái)積電已經(jīng)就40納米工藝進(jìn)行合作。這項(xiàng)協(xié)定代表富士通微電子將延伸已經(jīng)在臺(tái)積電生產(chǎn)的40納米產(chǎn)品，雙方將共同發(fā)展最佳化的28納米高效能工藝，而首批28納米工程樣品預(yù)計(jì)于2010年年底出貨。 這項(xiàng)先進(jìn)技術(shù)的合作將富士通微電子在先進(jìn)高速工藝與低耗電設(shè)計(jì)技術(shù)的專長(zhǎng)及優(yōu)勢(shì)，以及臺(tái)積電節(jié)能的高效能邏輯
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臺(tái)積電28納米明年1Q試產(chǎn) 迎擊IBM陣營(yíng)
- 臺(tái)積電28納米制程再邁大步，預(yù)計(jì)最快2010年第1季底進(jìn)入試產(chǎn)，2011年明顯貢獻(xiàn)營(yíng)收，臺(tái)積電可望在28納米世代迎接中央處理器(CPU)代工訂單，目前28納米制程技術(shù)最大競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手，仍是來(lái)自IBM陣營(yíng)的Global Foundries與新加坡特許(Chartered)，雙方競(jìng)爭(zhēng)更趨激烈。 臺(tái)積電表示，已將低耗電制程納入28納米高介電層/金屬閘(HKMG)制程技術(shù)藍(lán)圖，預(yù)計(jì)2010年第3季進(jìn)行試產(chǎn)，至于28納米低功耗制程(28LP)、高效能制程(28HP)則分別于2010年第1季底、第2季底進(jìn)入試產(chǎn)
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臺(tái)積電將低功耗高k金屬柵工藝納入28納米技術(shù)藍(lán)圖
- 臺(tái)積電24日宣布已將低耗電工藝納入28納米高介電層/金屬閘(High-k Metal Gate，HKMG)工藝的技術(shù)藍(lán)圖，預(yù)計(jì)于2010年第三季進(jìn)行試產(chǎn)(Risk Production)。 臺(tái)積電自2008年九月發(fā)表28納米技術(shù)以來(lái)，技術(shù)的發(fā)展與進(jìn)入量產(chǎn)的時(shí)程皆按預(yù)期計(jì)劃進(jìn)行。就試產(chǎn)時(shí)程順序而言，低耗電氮氧化硅(簡(jiǎn)稱28LP)工藝預(yù)計(jì)于2010年第一季底進(jìn)行試產(chǎn)，高效能高介電層/金屬閘(簡(jiǎn)稱28HP)工藝則預(yù)計(jì)于2010年第二季底開(kāi)始試產(chǎn)，而低耗電高介電層/金屬閘(簡(jiǎn)稱28HPL)工藝的試產(chǎn)時(shí)程
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臺(tái)積電28納米SRAM良率突破
- 臺(tái)積電24日宣布率業(yè)界之先，不但達(dá)成28納米64Mb SRAM試產(chǎn)良率，而且分別在28納米高效能高介電層/金屬閘(簡(jiǎn)稱28HP)、低耗電高介電層/金屬閘(簡(jiǎn)稱28HPL)與低耗電氮氧化硅(簡(jiǎn)稱28LP)等28納米全系列工藝驗(yàn)證均完成相同的良率。 臺(tái)積電研究發(fā)展副總經(jīng)理孫元成博士表示：“所有三種28納米系列工藝皆已由64Mb SRAM芯片完成良率驗(yàn)證，是一項(xiàng)傲人的成就。更值得一提的是，此項(xiàng)成果亦展現(xiàn)我們兩項(xiàng)高介電層/金屬閘(High-k Metal Gate)工藝采用gate-last
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臺(tái)積電40納米良率大躍進(jìn) 已逾60%
- 外界關(guān)心臺(tái)積電40納米制程良率進(jìn)展，臺(tái)積電30日法說(shuō)首次破例現(xiàn)場(chǎng)聯(lián)機(jī)至Fab 12，請(qǐng)先進(jìn)制程事業(yè)副總劉德音說(shuō)明。劉德音表示，40納米制程良率已從30%進(jìn)展到60%，預(yù)期10月其缺陷密度將達(dá)0.2左右，同時(shí)，臺(tái)積電本季40納米制程產(chǎn)能也將沖上3萬(wàn)片。臺(tái)積電董事長(zhǎng)張忠謀則認(rèn)為，臺(tái)積電32、28納米制程，未來(lái)承接CPU訂單的機(jī)會(huì)將愈來(lái)愈多。 過(guò)去臺(tái)積電法說(shuō)會(huì)多現(xiàn)場(chǎng)問(wèn)答，這次破例進(jìn)行現(xiàn)場(chǎng)與Fab 12即時(shí)聯(lián)機(jī)，并由先進(jìn)制程副總劉德音身著無(wú)塵衣，親自對(duì)外界40納米制程進(jìn)度說(shuō)明釋疑并接受提問(wèn)。劉德音說(shuō)，目
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MagmaTalus IC實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)被納入Reference Flow 10.0
- 芯片設(shè)計(jì)解決方案供應(yīng)商微捷碼(Magma)設(shè)計(jì)自動(dòng)化有限公司日前宣布，Talus® IC實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)已被納入臺(tái)積電(TSMC)Reference Flow 10.0。采用微捷碼軟件和最新臺(tái)積電參考流程(Reference Flow)，設(shè)計(jì)師可使用“Fastest Path to Silicon™”進(jìn)行針對(duì)臺(tái)積電28納米工藝的設(shè)計(jì)。 “臺(tái)積電28納米工藝提供了制造10億門(mén)IC的希望，但同時(shí)也帶來(lái)應(yīng)對(duì)更多的物理效應(yīng)、更棘手的功耗要求和困難的時(shí)序收斂
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AMD紐約州芯片工廠開(kāi)工建設(shè) 總投資42億美元
- 據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，從AMD獨(dú)立出來(lái)的芯片制造公司GlobalFoundries，周五開(kāi)始在紐約州北部馬耳他鎮(zhèn)的一塊叢林地建造一家總投資為42億美元的芯片工廠。 雖然美國(guó)的制造行業(yè)在繼續(xù)裁員，不過(guò)AMD及其競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手都在投資新建工廠。分析師認(rèn)為，科技公司的投資是為經(jīng)濟(jì)復(fù)蘇做準(zhǔn)備，由于美國(guó)政府限制芯片技術(shù)向海外轉(zhuǎn)移，因此芯片行業(yè)看到了在美國(guó)建廠的重要性。 或許更重要的是，芯片公司想從美國(guó)政府那里獲得巨額獎(jiǎng)勵(lì)。紐約州已經(jīng)表示，將向GlobalFoundries馬耳他鎮(zhèn)工廠提供12億美元資金。In-S
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臺(tái)積電推出設(shè)計(jì)參考流程10.0版 支持28納米工藝
- 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司22日推出其最新版本的設(shè)計(jì)參考流程10.0版，能夠進(jìn)一步降低芯片設(shè)計(jì)門(mén)檻、提升芯片設(shè)計(jì)精確度、并提高生產(chǎn)良率。此設(shè)計(jì)參考流程10.0版系臺(tái)積公司開(kāi)放創(chuàng)新平臺(tái)(Open Innovation Platform)的主要構(gòu)成要素之一，并能延續(xù)其實(shí)現(xiàn)更先進(jìn)設(shè)計(jì)方法的傳統(tǒng)，解決28納米工藝所面臨的新設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)，并有多項(xiàng)創(chuàng)新以促成系統(tǒng)級(jí)封裝設(shè)計(jì)(System in Package, SiP)的應(yīng)用。 應(yīng)用于28納米芯片設(shè)計(jì) 臺(tái)積公司的開(kāi)放創(chuàng)新平臺(tái)使EDA電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化工具可以
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Globalfoundries破土在即 向臺(tái)積電宣戰(zhàn)
- 自AMD獨(dú)立分出的Globalfoundries，將在本周五(7月24日)以盛大的破土儀式，向全球最大的芯片制造商對(duì)手宣戰(zhàn)。 前身為AMD芯片制造單位的Globalfoundries，耗資42億美元於紐約州Malta興建的晶圓廠，將于24日破土動(dòng)工。 這是Globalfoundries擠身全球一流芯片制造商的關(guān)鍵。該公司的公關(guān)經(jīng)理Jon Carvill表示，未來(lái)30天內(nèi)將公布一個(gè)以上的大客戶名單。 初期客戶可能包括為消費(fèi)電子市場(chǎng)設(shè)計(jì)低功率和無(wú)線芯片的公司，他說(shuō)：在那個(gè)領(lǐng)域擔(dān)任重要的角
- 關(guān)鍵字： Globalfoundries 晶圓 28納米
臺(tái)積電先進(jìn)制程出貨破500萬(wàn)片
- 臺(tái)積電先進(jìn)制程晶圓出貨正式突破500萬(wàn)片大關(guān)，達(dá)到535萬(wàn)片，若將這些晶圓堆迭起來(lái)，厚度將是臺(tái)北101大樓的8倍高!這還是不包括目前正加緊量產(chǎn)的40納米制程，同時(shí)臺(tái)積電預(yù)計(jì)2009年第4季將量產(chǎn)32納米泛用型制程，2010年第2季正式量產(chǎn)28納米低功耗制程，首要瞄準(zhǔn)智能型手機(jī)芯片市場(chǎng)。 臺(tái)積電目前在晶圓代工市場(chǎng)占有率約50%，不過(guò)單就先進(jìn)制程技術(shù)，市占率更高，外界推估90、65納米制程基本市占率都超過(guò)7~8成以上。臺(tái)積電內(nèi)部統(tǒng)計(jì)，采用先進(jìn)制程技術(shù)的客戶包括將近200家業(yè)者，所設(shè)計(jì)的產(chǎn)品約2,50
- 關(guān)鍵字： 臺(tái)積電 晶圓 40納米 28納米
晶圓代工22納米競(jìng)賽鳴槍 Global Foundries略勝臺(tái)積電一籌
- 晶圓代工業(yè)者Global Foundries來(lái)勢(shì)洶洶，除積極與臺(tái)積電爭(zhēng)搶兩大繪圖芯片客戶超微(AMD)與NVIDIA訂單，在技術(shù)上亦強(qiáng)調(diào)其將是目前晶圓代工廠最領(lǐng)先者，繼臺(tái)積電日前發(fā)表28納米制程技術(shù)，Global Foundries亦不甘示弱，對(duì)外發(fā)表22納米制程，預(yù)計(jì)最快2012年進(jìn)行生產(chǎn)，與臺(tái)積電互別苗頭意味濃。 臺(tái)積電日前在京都VLSI大會(huì)上發(fā)表28納米制程，是首代正式采用高k金屬柵(High-k Metal Gate;HKMG)制程技術(shù)，并將取代32納米成為全世代制程，多數(shù)晶圓廠包括Gl
- 關(guān)鍵字： GlobalFoundries 晶圓代工 繪圖芯片 28納米 HKMG
NEC和東芝將擴(kuò)展與IBM的芯片技術(shù)協(xié)議
- NEC電子公司(NEC Electronics Corp.)和東芝公司(Toshiba Corp.)同意擴(kuò)展與IBM Corp.的研發(fā)協(xié)議，允許聯(lián)合開(kāi)發(fā)使用于消費(fèi)者產(chǎn)品的28 納米半導(dǎo)體技術(shù)。 這三家公司18日表示，兩家日本公司將與IBM一起開(kāi)發(fā)28納米互補(bǔ)型金屬氧化物半導(dǎo)體 (CMOS)技術(shù)。在IBM紐約州East Fishkill的工廠，該團(tuán)隊(duì)還將包括Infineon Technologies和三星電子公司(Samsung Electronics Co.)。 東芝公司2007年12月加
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28納米介紹
就是指制造工藝，比如說(shuō)CPU，以前的制造工藝是130nm，后來(lái)又出現(xiàn)了90nm、45nm、30nm、22mn等，28nm好像是顯卡的制造工藝。
28納米工藝，指的是手機(jī)主板芯片里面的半導(dǎo)體溝道之間的距離，現(xiàn)在做到28納米了，之所以賣(mài)家要說(shuō)這點(diǎn)，是科技進(jìn)步的表現(xiàn)，能做到越小，這方面的技術(shù)工藝越先進(jìn)，越小集成度越高，但是隨之而來(lái)會(huì)出現(xiàn)負(fù)面的效應(yīng)，耗能散熱的問(wèn)題，電子通過(guò)的通道越窄，一來(lái)是工藝越難 [ 查看詳細(xì) ]
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