2nm soc 文章進(jìn)入2nm soc技術(shù)社區(qū)

臺(tái)積電和蘋(píng)果合作致力2nm工藝開(kāi)發(fā)，傳聞3nm芯片訂單勢(shì)頭強(qiáng)勁

近期臺(tái)積電（TSMC）和蘋(píng)果更緊密和高效的合作，使得研發(fā)上取得了多項(xiàng)突破?！　∧壳笆謾C(jī)開(kāi)始大量使用基于5nm工藝制造的芯片，即將推出的A15 Bionic預(yù)計(jì)將使用更先進(jìn)的N5P節(jié)點(diǎn)工藝制造，預(yù)計(jì)蘋(píng)果將在2021年占據(jù)臺(tái)積電80%的5nm產(chǎn)能。不過(guò)臺(tái)積電很快將向3nm工藝推進(jìn)，并且進(jìn)一步到2nm工藝，這都只是時(shí)間問(wèn)題?！　　　?jù)Wccftech報(bào)道，為了更好地達(dá)成這些目標(biāo)，臺(tái)積電和蘋(píng)果已聯(lián)手推動(dòng)芯片的開(kāi)發(fā)工作，將硅片發(fā)展推向極限。臺(tái)積電和蘋(píng)果都為了同一個(gè)目標(biāo)而努力，不過(guò)受益者可能不只是蘋(píng)果，還有英特爾。臺(tái)
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加快早期設(shè)計(jì)探索和驗(yàn)證，縮短上市時(shí)間

芯片級(jí)驗(yàn)證的挑戰(zhàn)鑒于先進(jìn)工藝設(shè)計(jì)的規(guī)模和復(fù)雜性，而且各方為搶先將產(chǎn)品推向市場(chǎng)而不斷競(jìng)爭(zhēng)，片上系統(tǒng) (SoC) 設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)沒(méi)有時(shí)間等到所有芯片模塊都全部完成后才開(kāi)始組裝芯片。因此，SoC 設(shè)計(jì)人員通常會(huì)在模塊開(kāi)發(fā)的同時(shí)開(kāi)始芯片集成工作，以便在設(shè)計(jì)周期的早期捕獲并糾正任何布線(xiàn)違規(guī)，從而幫助縮短至關(guān)重要的上市時(shí)間。錯(cuò)誤在早期階段更容易修復(fù)，而且對(duì)版圖沒(méi)有重大影響，設(shè) 計(jì)人員在此階段消除錯(cuò)誤，可以減少實(shí)現(xiàn)流片所需的設(shè)計(jì)規(guī)則檢查 (DRC) 迭代次數(shù)（圖 1）。但是，早期階段芯片級(jí)物理驗(yàn)證面臨許多挑戰(zhàn)
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利用更高效的 LVS 調(diào)試提高生產(chǎn)率

簡(jiǎn)介版圖與電路圖比較 (LVS) 驗(yàn)證是片上系統(tǒng) (SOC) 設(shè)計(jì)周期中集成電路 (IC) 驗(yàn)證必不可少的組成部分，但鑒于當(dāng)今高密度且層次化的版圖、不斷提高的電路復(fù)雜性以及錯(cuò)綜復(fù)雜的晶圓代工廠規(guī)則，運(yùn)行 LVS 可能是一項(xiàng)耗時(shí)且資源密集的工作。全芯片 LVS 運(yùn)行不僅會(huì)將設(shè)計(jì)版圖與電路圖網(wǎng)表進(jìn)行比較，而且通常還包含會(huì)增加 LVS 運(yùn)行時(shí)間的其他驗(yàn)證，例如電氣規(guī)則檢查 (ERC) 和短路隔離。根據(jù)設(shè)計(jì)的復(fù)雜性，調(diào)試這些設(shè)計(jì)的 LVS 結(jié)果可能同樣具挑戰(zhàn)性且耗時(shí)，進(jìn)而影響總周轉(zhuǎn)時(shí) 間 (TAT) 和計(jì)
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出貨量破億！聯(lián)發(fā)科第一次登頂智能手機(jī)SoC

市調(diào)機(jī)構(gòu)CounterPoint今天公布了2020年第三季度全球智能手機(jī)SoC芯片市場(chǎng)統(tǒng)計(jì)報(bào)告，聯(lián)發(fā)科意外超越高通而登頂，這也是“發(fā)哥”第一次拿到第一。2019年第三季度的時(shí)候，聯(lián)發(fā)科的份額為26％，落后高通5個(gè)百分點(diǎn)，但是現(xiàn)在，聯(lián)發(fā)科來(lái)到了對(duì)手水平，拿下31％的市場(chǎng)，高通則滑落至29％。CounterPoint分析認(rèn)為，在中國(guó)、印度千元機(jī)市場(chǎng)上的強(qiáng)勁表現(xiàn)，是聯(lián)發(fā)科最大的資本，當(dāng)季搭載聯(lián)發(fā)科芯片的智能手機(jī)出貨量也突破了1億部。不過(guò)，高通在5G領(lǐng)域仍然無(wú)敵，39％ 5G手機(jī)都基于高通平臺(tái)。第三季度，17％的
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谷歌自研5nm SoC被曝已流片：效仿蘋(píng)果打造全生態(tài)體驗(yàn)

此前蘋(píng)果發(fā)布了基于ARM機(jī)構(gòu)的自研芯片M1，其性能表現(xiàn)十分出色，并且對(duì)于蘋(píng)果打造全生態(tài)用戶(hù)體驗(yàn)的計(jì)劃又進(jìn)了一步。谷歌作為安卓生態(tài)的領(lǐng)導(dǎo)者，也有意效仿蘋(píng)果打通PC、平板、手機(jī)的終端壁壘，打造全生態(tài)體驗(yàn)?！　?lái)自Axios的最新報(bào)道稱(chēng)，谷歌代號(hào)Whitechapel的SoC芯片已于近期流片成功。據(jù)了解，這顆芯片基于三星5nmLPE工藝，8核ARM架構(gòu)，除了CPU、GPU等，還集成了谷歌的TPU神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)加速單元?！　　　≈档靡惶岬氖?，一顆芯片從流片到商用大概需要1年左右時(shí)間，因此還需要消費(fèi)者耐心等待?！　〈送?，
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臺(tái)積電2nm工藝重大突破！2023年投入試產(chǎn)

這幾年，天字一號(hào)代工廠臺(tái)積電在新工藝進(jìn)展上簡(jiǎn)直是開(kāi)掛一般的存在，7nm工藝全面普及，5nm工藝一路領(lǐng)先，3nm工藝近在眼前，2nm工藝也進(jìn)展神速。根據(jù)最新報(bào)道，臺(tái)積電已經(jīng)在2nm工藝上取得一項(xiàng)重大的內(nèi)部突破，雖未披露細(xì)節(jié)，但是據(jù)此樂(lè)觀預(yù)計(jì)，2nm工藝有望在2023年下半年進(jìn)行風(fēng)險(xiǎn)性試產(chǎn)，2024年就能步入量產(chǎn)階段。臺(tái)積電還表示，2nm的突破將再次拉大與競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的差距，同時(shí)延續(xù)摩爾定律，繼續(xù)挺進(jìn)1nm工藝的研發(fā)。臺(tái)積電預(yù)計(jì)，蘋(píng)果、高通、NVIDIA、AMD等客戶(hù)都有望率先采納其2nm工藝。2nm工藝上，臺(tái)積
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臺(tái)積電：2nm芯片研發(fā)重大突破，1nm也沒(méi)問(wèn)題

一、臺(tái)積電：第一家官宣2nm工藝，研發(fā)進(jìn)度超前據(jù)臺(tái)灣經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)報(bào)道，臺(tái)積電2nm工藝取得重大突破，研發(fā)進(jìn)度超前，業(yè)界看好其2023年下半年風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)良率就可以達(dá)到90%。據(jù)臺(tái)媒透露，有別于3nm與5nm采用鰭式場(chǎng)效晶體管（FinFET）架構(gòu)，臺(tái)積電2nm改采全新的多橋通道場(chǎng)效晶體管（MBCFET）架構(gòu)，研發(fā)進(jìn)度超前。據(jù)悉，臺(tái)積電去年成立了2nm專(zhuān)案研發(fā)團(tuán)隊(duì)，尋找可行路徑進(jìn)行開(kāi)發(fā)?？剂砍杀尽⒃O(shè)備相容、技術(shù)成熟及效能表現(xiàn)等多項(xiàng)條件，2nm采以環(huán)繞閘極（GAA）制程為基礎(chǔ)的MBCFET架構(gòu)，解決FinFET因制程微
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臺(tái)積電2024年將量產(chǎn)突破性的2nm工藝晶體管

9 月 25 日消息據(jù) wccftech 報(bào)道，臺(tái)灣半導(dǎo)體制造公司（TSMC）在 2nm 半導(dǎo)體制造節(jié)點(diǎn)的研發(fā)方面取得了重要突破：臺(tái)積電有望在 2023 年中期進(jìn)入 2nm 工藝的試生產(chǎn)階段，并于一年后開(kāi)始批量生產(chǎn)。目前，臺(tái)積電的最新制造工藝是其第一代 5 納米工藝，該工藝將用于為 iPhone 12 等設(shè)備構(gòu)建處理器。臺(tái)積電的 2nm 工藝將采用差分晶體管設(shè)計(jì)。該設(shè)計(jì)被稱(chēng)為多橋溝道場(chǎng)效應(yīng)（MBCFET）晶體管，它是對(duì)先前 FinFET 設(shè)計(jì)的補(bǔ)充。臺(tái)積電第一次作出將 MBCFET 設(shè)計(jì)用于其晶體管而不
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臺(tái)積電2nm工藝2023年風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)良率或達(dá)90%

據(jù)臺(tái)灣經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)報(bào)道，臺(tái)積電2nm工藝取得重大突破，研發(fā)進(jìn)度超前，業(yè)界看好其2023年下半年風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)良率就可以達(dá)到90%。供應(yīng)鏈透露，有別于3nm和5nm采用鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FinFET），臺(tái)積電的2nm工藝改用全新的多橋通道場(chǎng)效電晶體（MBCFET）架構(gòu)。據(jù)悉，臺(tái)積電去年成立了2nm專(zhuān)案研發(fā)團(tuán)隊(duì)，尋找可行路徑進(jìn)行開(kāi)發(fā)?？剂砍杀?、設(shè)備相容、技術(shù)成熟及效能表現(xiàn)等多項(xiàng)條件，2nm采以環(huán)繞閘極（GAA）制程為基礎(chǔ)的MBCFET架構(gòu)，解決FinFET因制程微縮產(chǎn)生電流控制漏電的物理極限問(wèn)題。極紫外光（EUV）微顯
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首款5nm 5G Soc！麒麟9000來(lái)襲：Mate 40 Pro首發(fā)

　　蘋(píng)果iPad Air 4首發(fā)A14仿生芯片，成為業(yè)界一款搭載5nm處理器的平板設(shè)備。不出意外，iPhone 12系列也將使用蘋(píng)果A14仿生芯片，預(yù)計(jì)在10月份亮相?！　∨ciPhone 12同期亮相的預(yù)計(jì)還有華為Mate 40系列，它將首發(fā)麒麟9000芯片?！　?月17日消息，據(jù)外媒報(bào)道，華為Mate 40 Pro首發(fā)商用的麒麟9000芯片將是業(yè)界第一款5nm 5G Soc，與蘋(píng)果A14仿生芯片不同，麒麟9000直
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國(guó)產(chǎn)視覺(jué)應(yīng)用新平臺(tái) 瓴盛科技AIoT SoC芯片破繭而出

作為視頻監(jiān)控的應(yīng)用和生產(chǎn)大國(guó)，中國(guó)的視頻監(jiān)控應(yīng)用誕生了多家重要的國(guó)際領(lǐng)先企業(yè)，比如?？?、大華等，不過(guò)受制于美國(guó)的科技管控，兩家企業(yè)均曾被列入美國(guó)實(shí)體名單，這就讓國(guó)內(nèi)諸多AI和視覺(jué)應(yīng)用的系統(tǒng)方案級(jí)企業(yè)不得不考慮更多的硬件選擇，從而更好的將中國(guó)的視覺(jué)智能應(yīng)用產(chǎn)業(yè)做大做強(qiáng)。在這樣的前提下，瓴盛科技的JA310的發(fā)布就有了更多不尋常的戰(zhàn)略意義。 8月28日，“2020 AIoT高峰論壇暨瓴盛‘芯視覺(jué)’產(chǎn)品發(fā)布會(huì)”在成都市雙流區(qū)隆重召開(kāi)，省市區(qū)相關(guān)領(lǐng)導(dǎo)、瓴盛科技股東方、行業(yè)客戶(hù)、生態(tài)合作伙伴和媒體記者等超過(guò)300位
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臺(tái)積電正與一家主要客戶(hù)緊密合作加快研發(fā)2nm工藝

據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，為蘋(píng)果、AMD等眾多公司代工芯片的臺(tái)積電，近幾年在芯片制程工藝方面走在行業(yè)前列，他們的5nm工藝已在今年一季度大規(guī)模量產(chǎn)，為蘋(píng)果等客戶(hù)代工最新的處理器。在5nm工藝投產(chǎn)之后，臺(tái)積電下一步工藝研發(fā)的重點(diǎn)就將是更先進(jìn)的3nm、2nm工藝，其中3nm工藝在最近兩個(gè)季度的財(cái)報(bào)分析師電話(huà)會(huì)議上均有提及，臺(tái)積電CEO魏哲家透露正在按計(jì)劃推進(jìn)，計(jì)劃2021年風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)，2022下半年大規(guī)模投產(chǎn)。此前鮮有提及的2nm工藝，也有了消息。外媒的報(bào)道顯示，在昨日的臺(tái)積電2020年度全球技術(shù)論壇上，他們透露正在同一
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臺(tái)積電2nm工廠計(jì)劃建在新竹已獲得建廠所需土地

8月25日消息，據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，5nm工藝在一季度大規(guī)模投產(chǎn)之后，臺(tái)積電下一步的工藝研發(fā)重點(diǎn)就將是更先進(jìn)的3nm工藝和2nm工藝，為盡快量產(chǎn)，相關(guān)的工廠也需要提前謀劃，同步跟進(jìn)。雖然3nm工藝還未投產(chǎn)，2nm工藝也還在研發(fā)階段，但臺(tái)積電已經(jīng)在謀劃2nm工藝的芯片生產(chǎn)工廠。臺(tái)積電已開(kāi)始謀劃2nm工藝工廠的消息，源自臺(tái)積電負(fù)責(zé)營(yíng)運(yùn)組織的資深副總經(jīng)理秦永沛。外媒在報(bào)道中表示，秦永沛透露臺(tái)積電計(jì)劃在新竹建設(shè)2nm工藝的芯片生產(chǎn)工廠，建設(shè)工廠所需的土地目前已經(jīng)獲得。新竹是臺(tái)積電總部所在地，先進(jìn)工藝的工廠建在新竹也在
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Mentor 推出 Calibre nmLVS-Recon 技術(shù)，顯著簡(jiǎn)化 IC 電路驗(yàn)證過(guò)程

為了幫助集成電路 (IC) 設(shè)計(jì)人員更快地實(shí)現(xiàn)設(shè)計(jì)收斂，Mentor, a Siemens business 近日將Calibre? Recon 技術(shù)擴(kuò)展至 Calibre nmLVS 電路驗(yàn)證平臺(tái)。Calibre Recon 技術(shù)于2019年推出，作為 Mentor Calibre nmDRC 套件的擴(kuò)展，旨在幫助客戶(hù)在早期驗(yàn)證設(shè)計(jì)迭代期間快速、自動(dòng)和準(zhǔn)確地分析 IC 設(shè)計(jì)中的錯(cuò)誤，從而極大地縮短設(shè)計(jì)周期和產(chǎn)品上市時(shí)間?！? ?Calibre nmLVS-Recon?技術(shù)可
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高效節(jié)能！Silicon Mitus汽車(chē)用AVN電源管理IC亮相

電源管理半導(dǎo)體IC設(shè)計(jì)公司Silicon Mitus 近日推出用于汽車(chē)車(chē)載主機(jī)(AVN)的SoC電源管理IC “SM6700Q”。通過(guò)汽車(chē)AVN電源管理IC能夠從汽車(chē)電池流入的電源有效切換、分配及控制于車(chē)輛SoC平臺(tái)上。另外，新產(chǎn)品SM6700Q高度符合汽車(chē)AVN的SoC上所需要的電源、CPU、存儲(chǔ)、I/O和I/F等各種電源需求。SM6700Q的特征為：支持3.5~5.5V輸入范圍；搭載6個(gè)降壓穩(wěn)壓器 (Buck Regulator) 和6個(gè)LDO Regulator；具有4CH的10-bit模擬數(shù)字變換
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