- 1GB 1美元——這很久以來就被視為固態(tài)硬盤真正全民普及、成為大眾化主流配置的一道門檻，而根據DRAMeXchange的最新報告，今年下半年就能以低于1GB 1美元的價格買到固態(tài)硬盤。20nm、19nm等最新NAND閃存工藝將在今年下半年投入大規(guī)模量產，閃存芯片的成本也會進一步降低，每 GB將會不足1美元。DRAMeXchange預計，在那之后超極本、超輕薄本都會從混合硬盤過渡到純粹的固態(tài)硬盤，而后者的主流容量也將升至 128GB。
隨著Intel Ivy Bridge處
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固態(tài)硬盤 NAND
- NAND閃存存儲器的自適應閃存映射層設計,閃存存儲器主要分為NAND和XOR兩種類型，其中NAND型是專為數據存儲設計。本文的閃存映射方法主要是針對NAND類型的閃存芯片。一個NAND類型的閃存芯片的存儲空間是由塊(Block)構成，每個塊又劃分為固定大小的頁，塊是擦
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閃存 設計 映射 存儲器 NAND 適應
- 基于磨損均衡思想的Nand Flash存儲管理在TMS320F28x中的實現, Nand Flash作為一種安全、快速的存儲體，因其具有體積小、容量大、成本低、掉電數 據不丟失等一系列優(yōu)點，已逐步取代其它半導體存儲元件，成為嵌入式系統中數據存儲的主 要載體。盡管Nand Flash的每個單元塊相互獨
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存儲 管理 TMS320F28x 實現 Flash Nand 磨損 均衡 思想
- 據媒體報道，根據亞洲最大芯片現貨市場的交易商集邦科技(DramexchangeTechnologyInc)提供的最新數據，2011年第四季度全球第四季度NAND閃存芯片市場規(guī)模達到48.9億美元，環(huán)比下滑了8.6%。三星電子依然是該市場的龍頭，市場份額達到了34.6%。
集邦科技提供的數據顯示，NAND閃存出貨環(huán)比增長了大約5%，而平均銷售價格則環(huán)比下滑了13%。集邦科技指出，雖然存儲卡和閃存的零售增幅依然緩慢，但是智能手機和平板電腦制造商對閃存的需求依然非常強勁。
集邦科技指出，三星電子
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海力士 NAND
- 外電報導，全球第二大內存制造商Hynix Semiconductor Inc. 日前公布2011年第4季(10-12月)合并財報：受內存價格下滑、PC需求趨緩的影響，凈損達2,399億韓元(2.131億美元)，遜于去年同期的純益300億韓元，已連續(xù)第2季繳出虧損成績單;營收年減7.2%至2.55兆韓元;營損達1,675億韓元，遜于去年同期的營益2,940億韓元。根據彭博社調查，分析師平均預期Hynix Q4凈損將達1,617億韓元。根據Thomson Reuters調查，分析師原先預期Hynix Q4
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Hynix NAND
- 根據市場研究機構Bernstein Research 公司分析師Toni Sacconaghi 報告指出，蘋果公司在上一季買了全球NAND 快閃記憶體出貨量的23% ，憑借著這么大的采購量，蘋果拿到的成本價格可說是出乎意料之外的低。
Sacconaghi 報告指出，蘋果產品在2011 年第四季消耗了容量總數高達14.5 億GB 的NAND 快閃記憶體;其中iPhone 占了其中50% ， iPad 為30% 。這么大的量，自然讓蘋果購買NAND 快閃記憶體有很大的折扣，大約是每GB 價格為0.6
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蘋果 NAND
- 日系DRAM廠爾必達(Elpida)身陷財務風暴，近期傳出在日本官方作媒下，正與同為日系NAND Flash大廠東芝(Toshiba)洽談整合事宜。對此東芝和爾必達高層都不予置評。
近期再度傳出爾必達與東芝高層就合并及整合密談協商，且日本政府扮演關鍵要角。內存業(yè)者透露，東芝在發(fā)展行動裝置上，需要與爾必達Mobile RAM結合，才能打敗美韓陣營，雙方確實有接觸洽談整合事宜，但東芝對于重返DRAM領域意愿不高，另外，日本政府亦認為，DRAM市場雖萎縮，但技術必須傳承，有意促使兩大半導體廠整合。
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東芝 NAND
- 力晶在2012年起將會大幅降低標準型DRAM投片量，以最低的產能維持DRAM的技術發(fā)展，并于明年起全數轉入30nm 4Gb生產，而空出的產能將會以NAND FLASH填補，后續(xù)技術發(fā)展的重點也轉移到NAND 2Xnm的制程微縮。放遠未來，力晶仍會保留DRAM技術，待3D-IC以及TSV的技術成熟時，將會以記憶體為中心做芯片組的整合，力圖成為大中華地區(qū)各技術領域最完整之晶圓廠。
隨著力晶正式宣布將產能逐步擴大至Flash產品上，加上原先代工如LCD Driver及非標準型DRAM產品，希望明年標準
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力晶 NAND
- 根據集邦科技(TrendForce)旗下研究機構DRAMeXchange調查，因為隨身碟與記憶卡市場銷售依舊此未見起色，而高容量產品也因為智能型手機與平板計算機銷售不如預期而下滑，終端產品銷售不佳導致供貨商回補庫存力道疲弱，連帶影響合約價格面臨下滑的壓力，10月下旬NAND Flash合約價將再下跌約4-8%。
展望NAND Flash后市，集邦科技認為，雖然泰國水患造成的HDD缺貨效應使得SSD產品詢問度頓時增加，但SSD仍存在著與HHD價差大及SSD機種認證程序尚需2-3個月等問題，因此，預
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NAND SSD
- 根據集邦科技(TrendForce)旗下研究部門DRAMeXchange的調查，隨著部份系統產品客戶自9月起，已開始準備4Q11新機型上市所需的庫存回補所需。9月上旬主流的MLC NAND Flash合約價大致維持平盤，雖然記憶卡及UFD通路市場的需求仍然相對平淡，但也已呈現止跌回穩(wěn)的狀況。
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集邦科 NAND 記憶卡
- 根據集邦科技(TrendForce)旗下研究部門 DRAMeXchange 的調查，市場預期 NAND Flash 部份系統產品客戶為因應新產品上市庫存回補需求，9月份可望逐漸開始回溫。因此，8月下旬 NAND Flash 合約價格出大多呈現持平，但記憶卡及U盤(UFD)通路市場的需求仍然相對疲軟，所以128Gb TLC合約均價格仍然下跌5%。此外，部份供貨商已將部份32Gb MLC的產量轉為生產64Gb MLC，故32Gb MLC在市場供給減少下合約均價小漲約3%。
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ultrabook NAND
- 據IHS iSuppli公司的閃存市場報告，由于一家大型廠商的銷售額下降，第二季度NAND閃存市場意外下滑。
根據最終數據，第二季度全球NAND銷售額為47億美元，比第一季度的49億美元下降4.3%。該市場降幅大于預期，主要是因為東芝第二季度銷售額銳減了21.4%至14億美元。東芝是全球第二大NAND生產商，僅次于韓國三星電子。
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IHS iSuppli NAND
- 據IHS iSuppli公司的閃存市場報告，由于一家大型廠商的銷售額下降，第二季度NAND閃存市場意外下滑。
根據最終數據，第二季度全球NAND銷售額為47億美元，比第一季度的49億美元下降4.3%。該市場降幅大于預期，主要是因為東芝第二季度銷售額銳減了21.4%至14億美元。東芝是全球第二大NAND生產商，僅次于韓國三星電子。東芝銷售額大幅下降，拖累了整體市場，如表1所示。
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三星 NAND
- 受到諸多全球總體經濟復蘇的不確定變數干擾，2011部份的NAND Flash終端應用產品出貨量將不如預期，及3Q11受過剩庫存去化影響而使傳統備貨旺季效應遞延等因素的綜合影響下，8月上旬NANDFlash芯片市場買氣依然疲弱，但某些系統客戶的OEM訂單需求相對于記憶卡及UFD通路市場需求仍相對地穩(wěn)定，因此，MLCNAND Flash芯片合約均價小跌約1-2%，而TLCNAND Flash芯片合約均價則下跌約4-7%。
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閃存芯片 NAND
- 在日前的一場閃存高峰會中，SanDisk公司的技術長Yoram Cedar指出，下一代光刻技術的延遲，將導致NAND閃存的成長趨緩。市場原先對閃存的展望都相當樂觀，但Cedar表示，由于超紫外光(EUV)光刻技術的延遲，閃存的成長可能需要再評估。
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SanDisk NAND
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