3d nand 文章 進入3d nand技術社區(qū)
NAND Flash價格瀕臨成本線 靜待大廠減產(chǎn)
- 全球NAND Flash產(chǎn)業(yè)在高容量32Gb和64Gb芯片產(chǎn)能持續(xù)開出下,9月下旬合約價續(xù)跌,其中,32Gb芯片合約價下跌5~6%,64Gb芯片大跌 9~10%,模塊廠表示,NAND Flash芯片價格已跌到相當接近各大廠成本線,若價格再跌,恐會讓NAND Flash廠產(chǎn)生虧損,接下來要看大陸十一長假后是否出現(xiàn)補貨需求,帶動NAND Flash價格止跌。 模塊廠表示,近期NAND Flash產(chǎn)品需求比DRAM模塊好一些,DRAM買氣受限于現(xiàn)貨價跌幅較深,通路商補貨意愿不高,但在NAND Flas
- 關鍵字: NAND DRAM
NAND Flash跌價深 上游大廠開始對模塊廠讓步
- NAND Flash價格經(jīng)歷一段大修正后,原本對于價格談判完全不肯讓步的上游NAND Flash大廠,在面對庫存節(jié)節(jié)攀高的情況下,態(tài)度已開始松動,部分模塊廠開始回補一些庫存,不過,全球兩大NAND Flash陣營三星電子(Samsung Electronics)和東芝(Toshiba)則因為有蘋果(Apple)訂單的撐腰,對于價格仍是相當強硬,顯示蘋果仍是NAND Flash產(chǎn)業(yè)的唯一大補丸。 近期NAND Flash價格修正頗深,除了歐洲和美國市場需求不佳,尤其是返校需求完全是虛晃一招外,大陸
- 關鍵字: 三星電子 NAND Flash
爾必達已與Spansion開發(fā)出4G NAND閃存
- 爾必達內(nèi)存公司(Elpida Memory Inc.)9月2日表示,該公司與Spansion公司(Spansion Inc.)已開發(fā)出一款新閃存芯片,擁有比現(xiàn)有芯片更為簡單的信元結構,該公司計劃于2011年開始在其日本西部的工廠批量生產(chǎn)該芯片。 這家日本芯片制造商表示,該公司采用了所謂的電荷擷取(charge trap)技術來開發(fā)這個4G的NAND閃存芯片,該芯片的信元結構不同于現(xiàn)有的以傳統(tǒng)浮動柵(floating gate)技術制造的NAND閃存芯片。該公司表示,這項新技術可幫助生產(chǎn)較目前市場
- 關鍵字: 爾必達 NAND
Intel鎂光生產(chǎn)出25nm 64Gb密度3位元NAND閃存芯片
- Intel與鎂光公司已經(jīng)成功生產(chǎn)出基于25nm制程技術的3位元型NAND閃存芯片產(chǎn)品,目前他們已經(jīng)將有關的產(chǎn)品樣品送往部分客戶手中進行評估,預計這款NAND閃存芯片將于今年年底前開始量產(chǎn)。這款25nm NAND閃存芯片的存儲密度為64Gb,為三位元型閃存。 這款閃存芯片是由Intel與鎂光合資的IM Flash公司研制,芯片采用了3位元(TLC)型設計,一個存儲單元可存儲3位數(shù)據(jù),比一般的單位元(SLC)/雙位元(MLC)閃存的存儲量更大。 這款產(chǎn)品的面積要比現(xiàn)有Intel與鎂光公司推
- 關鍵字: Intel 25nm NAND
英特爾和Micron稱下一代25納米NAND取得突破
- 據(jù)國外媒體報道,英特爾和Micron已經(jīng)開始發(fā)布下一代25納米NAND存儲芯片,為達到最高效率,該芯片使用了三層存儲單元技術。 首款8GB和64GB芯片正在向選定的客戶發(fā)售,用于SD卡存儲設備。該芯片在每個存儲單元中保存三位信息,而非像傳統(tǒng)芯片那樣保存一到兩位信息,英特爾宣稱,這種芯片是目前市場上最有效率的。 英特爾副總裁及NAND開發(fā)組主管Tom Rampone聲稱25納米已經(jīng)是業(yè)界最小的尺寸,在開發(fā)完成25納米程度的三層存儲單元之后,公司還將繼續(xù)為用戶探索和發(fā)展更高級的產(chǎn)品。公司計劃利
- 關鍵字: 英特爾 NAND 存儲芯片
英特爾美光公布存儲密度更高的新型閃存芯片
- 英特爾和美光當?shù)貢r間周二公布了存儲密度更高的NAND閃存芯片。新型芯片不僅能減少存儲芯片所占空間,還能增加消費電子產(chǎn)品的存儲容量。 新NAND芯片每個存儲單元可以存儲3位信息,存儲容量高達64G位(相當于8GB)。英特爾和美光稱這是它們迄今為止尺寸最小的NAND閃存芯片。 兩家公司稱,使用NAND閃存的數(shù)碼相機和便攜式媒體播放器等產(chǎn)品的尺寸越來越小。新型芯片還有助于降低制造成本。 兩家公司已經(jīng)向客戶發(fā)送樣品,預計將于今年底投入量產(chǎn)。新型NAND閃存芯片將采用 25納米工藝生產(chǎn)。與每單
- 關鍵字: 英特爾 NAND 閃存芯片
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