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          英特爾和Micron稱下一代25納米NAND取得突破

          作者: 時(shí)間:2010-08-20 來源:賽迪網(wǎng) 收藏

            據(jù)國外媒體報(bào)道,和Micron已經(jīng)開始發(fā)布下一代25納米,為達(dá)到最高效率,該芯片使用了三層存儲(chǔ)單元技術(shù)。

          本文引用地址:http://cafeforensic.com/article/111913.htm

            首款8GB和64GB芯片正在向選定的客戶發(fā)售,用于SD卡存儲(chǔ)設(shè)備。該芯片在每個(gè)存儲(chǔ)單元中保存三位信息,而非像傳統(tǒng)芯片那樣保存一到兩位信息,宣稱,這種芯片是目前市場上最有效率的。

            副總裁及開發(fā)組主管Tom Rampone聲稱25納米已經(jīng)是業(yè)界最小的尺寸,在開發(fā)完成25納米程度的三層存儲(chǔ)單元之后,公司還將繼續(xù)為用戶探索和發(fā)展更高級(jí)的產(chǎn)品。公司計(jì)劃利用IMFT的設(shè)計(jì)和制造業(yè)地位來為用戶提供更高性價(jià)比的產(chǎn)品。

            目前IMFT正與三星以及其他公司爭奪利潤日趨豐厚的市場。隨著移動(dòng)存儲(chǔ)市場的增長以及公眾對(duì)于固態(tài)硬盤興趣的增多,芯片廠商正在為獲得市場上最好的硬件而競爭。

            Tom還說他們正在致力于使8GB的三層存儲(chǔ)單元NAND閃存設(shè)備符合最終產(chǎn)品設(shè)計(jì)。



          關(guān)鍵詞: 英特爾 NAND 存儲(chǔ)芯片

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