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	3d-nand
          

          
	
          
    	
          
    	  	
          
              	
                                
          
                  

                                
          
                    
          恒憶聯(lián)合群聯(lián)電子海力士開發(fā)閃存控制器
          
                                                            
            
                    	
          • 　　恒憶半導體(Numonyx)、群聯(lián)電子(Phison Electronics Corp.)和海力士(Hynix)今天宣布三家公司簽署一份合作開發(fā)協(xié)議，三方將按照JEDEC新發(fā)布的JEDEC eMMC™ 4.4產業(yè)標準，為下一代managed-NAND解決方案開發(fā)閃存控制器。 預計此項合作將加快當前業(yè)內最先進的eMMC標準的推廣，有助于管理和簡化大容量存儲需求，提高無線設備和嵌入式應用的整個系統(tǒng)級性能。
　　根據(jù)這項協(xié)議，恒憶、群聯(lián)電子和海力士將利用各自的技術，開發(fā)能夠支持各種NAND閃存
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          • 關鍵字：
                        Numonyx  NAND  閃存控制器                          
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          內存行業(yè)或已觸底 現(xiàn)貨漲價但復蘇道路漫長
          
                                                            
            
                    	
          • 　　《華爾街日報》撰文稱，從上周末三星和海力士發(fā)布的財報可以看出，內存芯片行業(yè)似乎已經觸底，這對整個半導體行業(yè)來說是一個積極的信號。
　　雖然內存芯片行業(yè)收入只占全球半導體行業(yè)2600億美元總收入的14%，但作為使用廣泛的芯片，其地位類似芯片行業(yè)中的日用商品，很難與其他芯片部門區(qū)分開來，因此是芯片行業(yè)整體表現(xiàn)的主要指標。內存行業(yè)下滑開始于2007年初，隨后芯片行業(yè)在2008年就開始了全面衰退。
　　上周五，兩家全球最大的內存芯片商三星電子和海力士都在發(fā)布第一季度報告時稱，與芯片有關的虧損低于上年同期。
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          • 關鍵字：
                        海力士  NAND  內存                          
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          iSuppli：存儲芯片市場恢復盈利還為時過早
          
                                                            
            
                    	
          • 　　在面臨破產威脅之際，許多內存供應商為了維護自己的形象，紛紛強調潛在的市場復蘇，試圖向外界描繪出一幅比較樂觀的圖景。但是，雖然預計總體內存芯片價格將在2009年剩余時間內趨于穩(wěn)定，但iSuppli公司認為，這些廠商不會在近期真正恢復需求與獲利能力。 繼
　　在面臨破產威脅之際，許多內存供應商為了維護自己的形象，紛紛強調潛在的市場復蘇，試圖向外界描繪出一幅比較樂觀的圖景。但是，雖然預計總體內存芯片價格將在2009年剩余時間內趨于穩(wěn)定，但iSuppli公司認為，這些廠商不會在近期真正恢復需求與獲利能力。

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          • 關鍵字：
                        NAND  存儲芯片                          
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          TDK推出兼容串行ATA II的GBDriver RS2系列NAND閃存控制器
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　TDK公司日前宣布開發(fā)出兼容串行ATA (SATA) II的NAND閃存控制器芯片GBDriver RS2 系列，并計劃于五月份開始銷售。

　　TDK新型GBDriver RS2是一款高速SATA控制器芯片，支持有效速率達95MB/S的高速訪問。該產品支持2KB/頁和4KB/頁結構的SLC(單層單元)內存以及MLC(多層單元)NAND閃存，可用于制造容量為128MB至64GB的高速SATA存儲。因而，GBDriver RS2可廣泛用于各種應用領域，從SATADOM1及其他的嵌入式存儲器，到視聽設
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          • 關鍵字：
                        TDK  NAND                          
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          內存晴雨表：聲稱內存市場復蘇的報告過于夸張
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　在面臨破產威脅之際，許多內存供應商為了維護自己的形象，紛紛強調潛在的市場復蘇，試圖向外界描繪出一幅比較樂觀的圖景。但是，雖然預計總體內存芯片價格將在2009年剩余時間內趨于穩(wěn)定，但iSuppli公司認為，這些廠商不會在近期真正恢復需求與獲利能力。
　　繼第一季度全球DRAM與NAND閃存營業(yè)收入比去年第四季度下降14.3%之后，這些產品市場將在今年剩余時間內增長。第二季度DRAM與NAND閃存營業(yè)收入合計將增長3.6%，第三和第四季度分別增長21.9%和17.5%。
　　圖4所示為iSuppli公
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          • 關鍵字：
                        iSuppli  NAND  DRAM                          
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          集邦：海力士大幅減產NAND 將由第三位滑落至第五位
          
                                                            
            
                    	
          • 　　針對NAND閃存產業(yè)，研究機構集邦科技最新研究報告指出，三星可望穩(wěn)居今年全球市占率龍頭寶座，而海力士則因大幅減產，市場占有率恐將下滑剩下10%，落居第5名。
　　集邦科技根據(jù)各NAND Flash供貨商目前的制程技術、產能、營運狀況分析指出，三星因擁有較大產能，同時制程持續(xù)轉往42納米及3x納米，預期今年市占率 40%以上居冠，日本東芝與美商SanDisk聯(lián)盟的產能利用率略降，但制程技術也將轉往 43納米及32納米，預期東芝今年的市場占有率約在30%以上居次。
　　集邦科技表示，市場占有率第三和第
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          • 關鍵字：
                        海力士  NAND  晶圓                          
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          三星和海力士獲得蘋果7000萬NAND大單
          
                                                            
            
                    	
          • 　　4月15日消息 據(jù)韓國媒體報道 蘋果最近向韓國三星電子與海力士兩家公司下單，要求供應7000萬顆NAND型閃存芯片，用于生產iPhone和iPod。此次訂單較去年大漲了八成，引發(fā)蘋果可能推出新一代iPhone的聯(lián)想
　　韓國時報指出，有可靠的消息來源透露“三星電子被要求供應5000萬顆8Gb的NAND型閃存芯片給蘋果，而海力士也將供應2000萬顆。”
　　部分分析師認為，蘋果這次大規(guī)模訂單，將刺激韓國芯片廠商業(yè)績，同時，也有助于全球芯片產業(yè)早日復蘇。
　　分析師還指出，N
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          • 關鍵字：
                        三星  NAND  芯片                          
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          三維NAND內存技術將讓固態(tài)存儲看到希望
          
                                                            
            
                    	
          • 　　IBM的技術專家Geoff Burr曾說過，如果數(shù)據(jù)中心的占地空間象足球場那么大，而且還要配備自己的發(fā)電廠的話，那將是每一位首席信息官最害怕的噩夢。然而，如果首席信息官們現(xiàn)在不定好計劃將他們的數(shù)據(jù)中心遷移到固態(tài)技術平臺的話，那么10年以后他們就會陷入那樣的噩夢之中。
　　這并非危言聳聽，過去的解決方案現(xiàn)在已經顯露出存儲性能和容量不足的現(xiàn)象，這就是最好的證明。以前，如果需要更多的性能或容量，企業(yè)只需在數(shù)據(jù)中心添加更多的傳統(tǒng)硬盤就可以了，而且那樣做也很方便。現(xiàn)在，Geoff Burr在2008年發(fā)表的一
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          • 關鍵字：
                        IBM  NAND  固態(tài)存儲                          
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          FSI國際宣布將ViPR?全濕法去除技術擴展到NAND存儲器制造
          
                                                            
            
                    	
          • 　　美國明尼阿波利斯(2009年3月24日)——全球領先的半導體制造晶圓加工、清洗和表面處理設備供應商FSI國際有限公司(納斯達克：FSII)今日宣布：一家主要的存儲器制造商將FSI 帶有獨特ViPR?全濕法無灰化清洗技術的ZETA?清洗系統(tǒng)擴展到NAND閃存生產中。許多器件制造商對采用FSI的ZETA ViPR技術在自對準多晶硅化物形成過程所帶來的益處非常了解。該IC制造商就這一機臺在先進的NAND制造中可免除灰化引發(fā)損害的全濕法光刻膠去除能力進行了評估。客戶
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          • 關鍵字：
                        FSI  NAND  存儲器                          
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          FSI國際宣布將ViPR全濕法去除技術擴展到NAND存儲器制造
          
                                                            
            
                    	
          • 　　全球領先的半導體制造晶圓加工、清洗和表面處理設備供應商FSI國際有限公司(納斯達克：FSII)日前宣布：一家主要的存儲器制造商將FSI 帶有獨特ViPR全濕法無灰化清洗技術的ZETA清洗系統(tǒng)擴展到NAND閃存生產中。許多器件制造商對采用FSI的ZETA ViPR技術在自對準多晶硅化物形成過程所帶來的益處非常了解。該IC制造商就這一機臺在先進的NAND制造中可免除灰化引發(fā)損害的全濕法光刻膠去除能力進行了評估?？蛻魧χ圃爝^程中無灰化光刻膠剝離法、實現(xiàn)用一步工藝替代灰化-清洗兩步工藝的機臺能力給予肯定。除了
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          • 關鍵字：
                        FSI  半導體  NAND                          
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          業(yè)界稱Windows 7將推動NAND閃存芯片需求
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 3月21日消息，內存廠商預計Windows 7的將推動NAND閃存芯片的需求，因為這種新的操作系統(tǒng)為利用固態(tài)硬盤進行了優(yōu)化。在當前的市場不確定的情況下，優(yōu)化固態(tài)硬盤以便適應Windows 7已經成為固態(tài)硬盤廠商和筆記本電腦廠商的重點。
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          • 關鍵字：
                        閃存  NAND  芯片                          
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          NAND多空未明　市場仍在觀望
          
                                                            
            
                    	
          •         集邦科技(DRAMeXchange)表示，2月下旬NAND Flash(閃存)合約價格呈現(xiàn)上揚，現(xiàn)貨價格方面卻已經開始下跌；然而，目前現(xiàn)貨市場仍處于多空未明狀態(tài)，觀望氣氛濃厚，買家不敢貿然搶進。

        集邦表示，2月下旬主流MLC NAND Flash合約均價約上漲8%到36%，SLC合約價則維持平盤，價格上漲的主要原因是今年首季國際大
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          • 關鍵字：
                        集邦  NAND  Flash                          
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          三星NAND產業(yè)市場占有率40%
          
                                                            
            
                    	
          •  　　市調機構DRAMeXchange指出，2008年NAND Flash品牌廠商公布去年第四季暨全年營收排名出爐，SAMSUNG以46億1千4百萬美元，市占率為40.4％，蟬聯(lián)第一寶座 觀察2007年與2008年NAND Flash品牌市場變化，2007年品牌廠商全年營收約為133億6千8百萬美元，2008年則為114億1千8百萬美元，年營收下跌14.6％，2008年平均銷售價格較2007年下跌63％。
　　Toshiba以全年營收為32億5百萬美元，市占率28.1％排名居次，比2007年的
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          • 關鍵字：
                        三星  NAND                          
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          解密16G MLC NAND閃存表象下的技術細節(jié)
          
                                                            
                    
          
                
          
                                
          
                    
          受益東芝海力士減產 NAND閃存價格回穩(wěn)
          
                                                            
            
                    	
          • 　　12月25日消息，據(jù)臺灣媒體報道，NAND Flash12月下旬合約價出爐，終止先前下跌趨勢，至少都以平盤以上開出，主流規(guī)格晶片漲幅更在16%以上，隨價格回穩(wěn)走揚，將有助創(chuàng)見、威剛、群聯(lián)等模組業(yè)者降低庫存跌價損失壓力。
　　業(yè)者指出，這次NAND Flash價格止跌回穩(wěn)，主要是反應日本東芝與韓國海力士減產效益，隨晶片廠對力保價格不跌有了堅定共識，也意味NAND Flash回穩(wěn)態(tài)勢已逐步確立。
　　根據(jù)集邦科技昨日最新報價，NAND Flash12月下旬合約價都以平盤以上開出，其中以16Gb主流規(guī)格
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          • 關鍵字：
                        NAND                          
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